有机发光二极管基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管基板及其制备方法，属于有机发光二极管制备技术领域，其可解决现有的有机发光二极管基板制备过程中边缘区的有机膜层去除困难问题。本发明专利技术的有机发光二极管基板包括显示区和位于显示区外的边缘区，显示区中设有由油墨层固化形成的有机膜层，边缘区包括无有机膜层的暴露区；所述有机发光二极管基板还包括：遮挡结构，其位于所述有机膜层所在层下方，并用于阻止油墨层与暴露区的表面接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机发光二极管制备
，具体涉及一种。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置主要依靠有机发光二极管发光，有机发光二极管包括阴极、阳极和夹在二者间的多个有机膜层。有机膜层主要通过蒸镀法或溶液制备。蒸镀法在制备大尺寸有机发光二极管基板时存在很多缺陷，如掩膜板易受高温影响而偏移、变形等。溶液法则先通过喷墨印刷、旋涂等方式在基底上形成有机材料的油墨层，油墨层再固化形成相应的有机膜层，其比较适于大尺寸有机发光二极管基板的制备。如图1至图4所示，有机发光二极管基板包括用于进行显示的显示区11，以及位于显示区11外的边缘区12，有机发光二极管主要位于显示区11中。在连续喷墨印刷的制程中，由于制程本身的原因，边缘区12也会被印刷有墨水。但显示产品的后续制程中要求边缘区12中的很多位置不能被有机膜层4覆盖，故边缘区12中的有机膜层4需要被额外的制程清除掉，可使用的清除方法有等离子刻蚀、激光清洁等。边缘区12中包括阴极接触区121，阴极接触区121的作用是连接有机发光二极管阴极与外围驱动电路从而实现对阴极的驱动。阴极接触区包括氧化铟锡(ITO)层3，其与有机发光二极管的阳极同层设置；为保证阴极接触区功能的实现，在蒸镀阴极(金属层5)之前，必须清除掉沉积在氧化铟锡层3上的有机膜层4以使金属层5与氧化铟锡层3相连。在现有设计中，阴极接触区121的氧化铟锡层3下的钝化层2中有许多连接孔，用于使氧化铟锡层3与钝化层2下的源漏层6(源漏电极所在层，其连接驱动电路)相连；连接孔导致氧化铟锡层3表面有许多凹陷8，如图4所示，这些凹陷8中的有机膜层4难以去除，等离子刻蚀或激光清洁方法在清洁过程中难以控制，能量小的时候可能会无法清洁干净有机膜层4，尤其是凹陷8中的有机膜层4 ;为将其清除干净，需要使用更苛刻的清除条件，如加大激光功率或等离子能量，而这样容易对其他结构造成损伤，且残留的有机膜层4会影响产品质量。
技术实现思路
本专利技术针对现有的有机发光二极管基板制备过程中边缘区的有机膜层去除困难问题，提供一种可容易的去除的边缘区的有机膜层的。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种有机发光二极管基板，包括显示区和位于显示区外的边缘区，显示区中设有由油墨层固化形成的有机膜层，边缘区包括无有机膜层的暴露区；所述有机发光二极管基板还包括:遮挡结构，其位于所述有机膜层所在层下方，并用于阻止油墨层与暴露区的表面接触。可选的是，所述暴露区中设有第一导电层；所述遮挡结构位于所述第一导电层所在层上方；所述暴露区中还设有位于所述有机膜层所在层上方的第二导电层，所述暴露区中的第一导电层与第二导电层至少部分接触。进一步可选的是，所述有机发光二极管基板还包括设于显示区中的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、有机膜层、阴极；所述暴露区包括阴极接触区；所述阴极接触区中的第一导电层与所述阳极同层且间隔，且第一导电层的表面有多个凹陷；所述阴极接触区中的第二导电层与所述阴极同层且相连。可选的是，所述油墨层采用喷墨印刷法形成；所述遮挡结构包括多个设于暴露区内的间隔的凸起，相邻所述凸起上端的间隔在8?20微米之间。进一步可选的是，所述凸起由相对所述油墨层为疏液性的材料构成。进一步可选的是，所述凸起为长条状，且其长度方向垂直于所述油墨层的印刷方向。进一步可选的是，还包括设于显示区中的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、有机膜层、阴极；所述暴露区包括阴极接触区；所述阴极接触区中设有表面有多个凹陷的、与所述阳极同层且间隔的第一导电层；所述遮挡结构位于所述第一导电层所在层上方；所述阴极接触区中还设有位于所述有机膜层所在层上方的、与所述阴极同层且相连的第二导电层，所述阴极接触区中的第一导电层与第二导电层至少部分接触。进一步可选的是，所述凸起为长条状，且其长度方向垂直于所述油墨层的印刷方向；所述凹陷为长条状，且与所述凸起平行。进一步可选的是，所述凸起设在所述凹陷外的位置处。可选的是，所述油墨层采用旋涂法形成；所述遮挡结构包括设于所述暴露区靠近显示区一侧外的挡墙。进一步可选的是，所述遮挡结构还包括:设于与所述暴露区靠近显示区一侧相邻的两侧外的挡墙。进一步可选的是，所述挡墙的高度在0.5?2.0um。进一步可选的是，所述有机发光二极管基板还包括:像素界定层，所述遮挡结构与像素界定层同层。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种上述有机发光二极管基板的制备方法，其包括:形成所述遮挡结构；形成所述油墨层，使所述油墨层固化形成有机膜层，至少去除所述暴露区中的油墨层或有机膜层。本专利技术的有机发光二极管基板中具有遮挡结构，其可阻止油墨层与暴露区表面接触，因此有机膜层也不与暴露区表面接触，故可被很容易的除去，避免有机膜层残留。【附图说明】图1为现有的有机发光二极管基板的俯视结构示意图；图2为现有的有机发光二极管基板的阴极接触区的局部俯视结构示意图；图3为图2中沿AA’线的形成有机膜层后的剖面结构示意图；图4为图2中沿AA’线的形成金属层后的剖面结构示意图；图5为本专利技术的实施例的有机发光二极管基板的俯视结构示意图；图6为本专利技术的实施例的一种有机发光二极管基板的阴极接触区的局部俯视结构示意图；图7为图6中沿AA’线的形成有机膜层后的剖面结构示意图；图8为图6中沿AA’线的形成金属层后的剖面结构示意图；图9为本专利技术的实施例的另一种有机发光二极管基板的阴极接触区的局部俯视结构示意图；图10为图9中沿AA’线的形成有机膜层后的剖面结构示意图；其中，附图标记为:11、显示区；12、边缘区；121、阴极接触区；2、钝化层；3、氧化铟锡层；4、有机膜层；5、金属层；6、源漏层；71、凸起；72、挡墙；8、凹陷；9、基底。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:如图5至图10图所不，本实施例提供一种有机发光一■极管基板，包括显不区11，以及位于显示区11外的边缘区12，显示区11中设有由油墨层固化形成的有机膜层4，边缘区12包括无有机膜层4的暴露区。也就是说，在有机发光二极管基板具有用于进行显示的显示区11，显示区11中设有多个有机发光二极管，每个有机发光二极管包括阴极、阳极、夹在阴极与阳极间的多个有机膜层4 ;其中，这些有机膜层4是通过溶液法形成的，即先在基底9上形成有机材料的油墨层，之后该油墨层干燥固化形成的有机膜层4。在有机发光二极管基板的显示区11之外还设有边缘区12，该边缘区12用于连接驱动芯片、作为显示装置的边框等。在边缘区12中，有一个或多个暴露区，暴露当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管基板，包括显示区和位于显示区外的边缘区，显示区中设有由油墨层固化形成的有机膜层，边缘区包括有机膜层的暴露区，特征在于，所述有机发光二极管基板还包括：遮挡结构，其位于所述有机膜层所在层下方，并用于阻止油墨层与暴露区的表面接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋莹莹，孙力，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11