资料存储型闪存中写操作控制方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种资料存储型闪存中写操作控制方法与装置，包括：接收外部写入信号，通过内部电路处理得到写使能信号；通过触发写使能信号，得到写操作信号；通过触发写操作信号得到地址锁存信号，并由地址锁存信号锁住本存储单元地址；根据本存储单元地址，通过写操作信号将数据由芯片外部存储模块转存到本存储单元地址对应的锁存器；写操作信号结束后，释放本存储单元地址，复位本存储单元地址与对应替换存储单元比对结果，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址。本发明专利技术将下一写操作时钟内所需写入替换存储单元复位和地址比对工作，转移至本操作时钟，实现了对写操作时钟复位，进而提高了写操作效率，减小了写入数据所需时钟周期。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器写操作
，具体的说，涉及一种资料存储型闪存中写操作控制方法与装置。
技术介绍
随着电子产品的不断发展，芯片技术也在发生着巨大的变化。资料存储型闪存作为闪存的一种，由于其内部非线性宏单元模式为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。资料存储型闪存存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。但资料存储型闪存在其应用领域也存在一定的不足。传统资料存储型闪存的写操作控制，需要利用读取数据的周期时间进行替换存储单元的复位和地址比对，进而影响了资料存储型闪存写操作的效率。
技术实现思路
针对以上不足，本专利技术提出了一种资料存储型闪存中写操作控制方法与装置。通过改变复位地址比对结果及存储单元地址与替换存储单元比对所占用的时间周期，进而克服了资料存储型闪存写操作效率低下的问题。为了实现以上技术方案，本专利技术提出了一种资料存储型闪存中写操作控制方法，包括以下步骤:S1、接收外部写入信号，通过内部电路处理得到写使能信号；S2、通过触发所述写使能信号，得到写操作信号；S3、通过触发所述写操作信号得到地址锁存信号，并由所述地址锁存信号锁住本存储单元地址；S4、根据所述本存储单元地址，通过所述写操作信号将数据由芯片外部存储模块转存到本存储单元地址对应的锁存器；S5、写操作信号结束后，释放本存储单元地址，复位本存储单元地址与对应替换存储单元比对结果，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址；其中，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址占用本次写使能信号的时钟周期。进一步的，对于资料存储型闪存的首存储单元，其步骤还包括:比对本存储单元地址与替换存储单元地址，若比对结果匹配则将本存储单元替换为替换存储单元。进一步的，所述写操作信号是由所述写使能信号上升沿触发得到的。进一步的，所述地址锁存信号来自所述资料存储型闪存芯片内部电路。进一步的，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址，比对结果匹配则将所述下一存储单元替换为对应替换存储单元。此外，本专利技术还提出了一种资料存储型闪存中写操作控制装置，包括，信号使能模块、信号转换模块、地址锁存模块、数据存储模块及复位比对模块；其中，信号使能模块用于接收外部写入信号，通过内部电路处理得到写使能信号;信号转换模块用于通过触发所述写使能信号，得到写操作信号；地址锁存模块用于通过触发所述写操作信号得到地址锁存信号，并由于所述地址锁存信号锁住本存储单元地址；数据转存模块用于根据所述本存储单元地址，通过所述写操作信号将数据由芯片外部存储模块转存到本存储单元地址对应的锁存器；复位比对模块用于写操作信号结束后，释放本存储单元地址，复位本存储单元地址与对应替换存储单元比对结果，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址；其中，所述复位比对模块中比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址占用本次写使能信号的时钟周期。进一步的，对于资料存储型闪存的首存储单元，还包括附加比对模块；其中，所述附加比对模块用于比对本存储单元地址与替换存储单元地址，若比对结果匹配则将本存储单元替换为替换存储单元。进一步的，所述信号转换模块根据所述写使能信号上升沿触发，得到所述写操作信号。进一步的，所述地址锁存信号来自所述资料存储型闪存芯片内部电路。进一步的，所述复位比对模块比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址，比对结果匹配则将所述下一存储单元替换为对应替换存储单元。本专利技术通过将比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址占用本次读使能信号的时钟周期，进而缩短了替换存储单元写入数据所需的周期时间，进而提高了时间的利用效率。【附图说明】图1是现有技术中一种资料存储型闪存写操作时序图。图2是本专利技术实施例提供的一种资料存储型闪存中写操作控制方法的时序图。图3是本专利技术实施例提供的一种资料存储型闪存中写操作控制方法的流程图。图4是本专利技术实施例提供的一种资料存储型闪存中写操作控制装置的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。图1是现有技术中一种资料存储型闪存写操作时序图。由图1所示，WEB为写使能信号，此写使能信号WEB由外部处理器产生，并经过资料存储型闪存内部电路进行处理后得到的。QBUF_EN为写操作信号，上升沿触发。它产生于资料存储型闪存内部电路，并根据写操作信号WEB的时钟上升沿触发产生，也就是说，当写使能信号WEB产生一个时钟上升沿便触发写操作信号QBUF_EN产生一个上升的时钟信号。当写操作信号QBUF_EN处于上升沿时开始对芯片外部存储模块中数据进行写入存储单元。值得一提的是，CA为存储单元地址，当写使能信号WEB上升沿触发后，首先需要对本存储单元地址与替换存储单元RDN地址比对结果，若比对结果匹配则采用替换存储单元RDN代替本存储单元，如不匹配则写入本存储单元中。实施例一图2是本专利技术实施例提供的一种资料存储型闪存中写操作控制方法的时序图。由图2所示，WEB为写使能信号、QBUF_EN为写操作信号、CA为本存储单元地址，三者的作用于现有技术中的写使能信号WEB及写操作信号QBUF_EN相同，这里不再重复。LD为锁存信号，它产生于资料存储型闪存内部电路，用于对锁住存储单元的地址，低电平有效。值得注意的是，LD锁存信号与WEB写使能信号均是来自于资料存储型闪存内部电路，但两者分别来自资料存储型闪存内部电路的不同部分，并不是通过相同内部电路产生。RDN为替换的存储单元，也就是说它与本存储单元进行地址进行比对。CAD为本存储单元的下一存储单元地址。进而，图3是本专利技术实施例提供的一种资料存储型闪存中写操作控制方法的流程图。如图3所示，一种资料存储型闪存中写操作的控制方法包括:301、接收外部写入信号，通过内部电路处理得到写使能信号WEB。该外部写入信号来自于资料存储型闪存外部处理器。302、通过触发所述写使能信号WEB，得到写操作信号QBUF_EN。这里值得注意的是，写使能信号WEB为上升沿触发，也就是说当写使能信号WEB处于上升沿时，写操作信号QBUF_EN产生向上的翻转。303、通过触发所述写操作信号QBUF_EN得到地址锁存信号LD，并由所述地址锁存信号LD锁住本存储单元地址。其中，地址锁存信号LD来自于资料存储型闪存的内部电路，它的作用在于将存储单元的地址锁存在锁存器中。值得注意的是，LD为低电平有效，当LD由高电平翻转至低电平时，锁存信号LD将数据存储器CA的地址进行锁存，当LD电平由低电平返回至高电平，锁存信号LD将对锁存的数据存储单元的地址进行释放。304、根据所述本存储单元地址，通过所述写操作信号QBUF_EN将数据由芯片外部存储模块转存到本存储单元地址对应的锁存器。当锁存信号LD低电平，即将本数据存储单元的地址锁存之后，写操作信号QBUF_EN处于上升沿时会将芯片外部存储模块的数据写入到与本存储单元地址对应的锁存器中。305、写操作信号QBUF_EN结束后，释放本存储单元地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种资料存储型闪存中写操作控制方法，其特征在于，对不同存储单元包括以下步骤：S1、接收外部写入信号，通过内部电路处理得到写使能信号；S2、通过触发所述写使能信号，得到写操作信号；S3、通过触发所述写操作信号得到地址锁存信号，并由所述地址锁存信号锁住本存储单元地址；S4、根据所述本存储单元地址，通过所述写操作信号将数据由芯片外部存储模块转存到本存储单元地址对应的锁存器；S5、写操作信号结束后，释放本存储单元地址，复位本存储单元地址与对应替换存储单元比对结果，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址；其中，比对下一存储单元地址与对应替换存储单元地址占用本次写使能信号的时钟周期。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，丁冲，谢瑞杰，陈立刚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11