本发明专利技术公开了一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管。本发明专利技术大大提高了电容整流电路的功率因数。
【技术实现步骤摘要】
:本专利技术涉及电子电路
，更具体地说涉及一种高功率因数驱动电路。
技术介绍
:因数驱动电为设置在电路中的一种整流电路，现有技术中因数驱动电路导通角很小，电流呈现脉冲型，所以功率因数很低。
技术实现思路
:本专利技术的目的就在于提供一种高功率因数驱动电路，它大大提高了电容整流电路的功率因数。为实现上述目的，本专利技术的一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管作为上述技术方案的优选，所述可编程控制器具有MOS管栅极、MOS漏极、MOS管源极和电流采样引脚。作为上述技术方案的优选，所述可编程控制器与分压电路连接，所述分压电路为可编程控制器提供电源电压同时为可编程控制器MOS管提供栅极导通电压。作为上述技术方案的优选，所述MOS管栅极连接有止MOS管产生自激振荡的栅极串阻。作为上述技术方案的优选，所述电流采样引脚上连接有采样电阻。作为上述技术方案的优选，所述分压电路上连接有缓上电电容。本专利技术的有益效果在于:本专利技术提供了一种高功率因数驱动电路，它大大提高了电容整流电路的功率因数。【附图说明】:下面结合附图对本专利技术做进一步的说明:图1为本专利技术实施例的电路原理图【具体实施方式】:以下所述仅为体现本专利技术原理的较佳实施例，并不因此而限定本专利技术的保护范围实施例:如图1所示为本专利技术一种高功率因数驱动电路的实施例，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管可编程控制器具有MOS管栅极、MOS漏极、MOS管源极和电流采样引脚。可编程控制器与分压电路连接，所述分压电路为可编程控制器提供电源电压同时为可编程控制器MOS管提供栅极导通电压。MOS管栅极连接有止MOS管产生自激振荡的栅极串阻。电流采样弓丨脚上连接有采样电阻。分压电路上连接有缓上电电容。具体地说，该电路是一个带填谷式FPC (功率因数补偿)的降压型恒流LED驱动电路。其输入是ACL和ACL，接交流市电的火线和零线。其输出是Vout+和Vout-，输出是恒流电流，Vout+接LED的阳极，Vout-接LED的阴极。该电路可以分成两个部分。一个由L2、L3、DB1、C2、C4、C5、D1、D2、D3组成的填谷式整流滤波电路；另一个部分由R1、R2、R4、R5、R6、C1、U1、L1和D8组成的降压型恒流驱动电路。该填谷式整流滤波电路具有功率因数补偿作用，使得功率因数可以达到0.9以上。功率因数补偿的原理是填谷式，填谷式补偿主要利用电容02、04、01、02、03化2和C4的容值必须相等)。在交流电压大于155.6V时，市电通过整流桥DBl、C2、D3、C4给电容C2和C4充电，此时，D2和Dl反偏不导通，市电对串联的C2和C4充电；在交流电压小于155.6V时，C2通过Dl向负载放电，C4也通过D2向负载放电，D3反偏不导通，C2和C4并联对负载放电。这样在交流电正向大于1/2峰值时整流桥的二极管就导通，正半周期导通角度为30度-150度，当交流电负向大于1/2峰值时整流桥的二极管也导通，负半周期导通角度为210 度-330 度相比于普通整流器大滤波电容整流电路的功率因数大大提高，普通整流滤波电路的整流二极管只有在交流电峰峰值附近才导通，导通角很小，电流呈现脉冲型，所以功率因数很低。电路中电容C5为滤波电容，已减少电路输出直流电压的纹波。电路中电感L2和L3和后级电容构成LC滤波电容，一方面进一步加大整流桥二极管导通角度，另一方面在电路上电瞬间或者C2和C4充电过程中，抑制瞬间尖峰电流，否则容易损坏二极管同时导致电路EMC辐射超标。如果没有L2和L3，就需要在C2和C4串联充电回路中串入电阻，使得电路损耗增加，效率上不去。再说第二个部分，LED恒流驱动电路。LED恒流驱动电路以非隔离LED恒流驱动芯片Ul为主体，目前这种中小功率非隔离LED恒流驱动芯片很多，国内芯片厂家也有生产，价格也不贵。RU R2和R4构成限流分压电阻，为Ul提供电源，Ul内部有LD0，可以为其内部电路提供精准的电压值。Ul内部有两个串联的MOS管，MOS管I由4脚信号控制，在上电延迟一段时间后导通，另一个MOS管2 (5、6脚为漏极，8脚为源极)由电流采样电路控制，R6为电流采样电阻。Ul的MOS管2和L1、D8构成降压拓扑，MOS管2导通时，电流由Vout+流经LED再回到Vout-，然后由电感LI流经Ul的5、6脚，再由8脚回到GND，电感LI中的电流增加，采样电路通过R6监视电感中的电流。当电感电流大于规定的恒流值时，MOS管2关断，电感LI中的电流由D8到Vout+再到LED，然后通过Vout-回到电感LI，这时电感中的电流不断减少，当小于一定值时，Ul种的MOS管2打开，电感LI中的电流开始增加，周而复始。所以Vout+和Vout-输出的是恒流电流，但是该恒流不是决定的恒流，而是有一定的微小波动的。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本专利技术精神作举例说明。本专利技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本专利技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。【主权项】1.一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS 管。2.根据权利要求1所述的一种高功率因数驱动电路，其特征在于，所述可编程控制器具有MOS管栅极、MOS漏极、MOS管源极和电流采样引脚。3.根据权利要求2所述的一种高功率因数驱动电路，其特征在于，所述可编程控制器与分压电路连接，所述分压电路为可编程控制器提供电源电压同时为可编程控制器MOS管提供栅极导通电压。4.根据权利要求3所述的一种高功率因数驱动电路，其特征在于，所述MOS管栅极连接有止MOS管产生自激振荡的栅极串阻。5.根据权利要求4所述的一种高功率因数驱动电路，其特征在于，所述电流采样引脚上连接有采样电阻。6.根据权利要求5所述的一种高功率因数驱动电路，其特征在于，所述分压电路上连接有缓上电电容。【专利摘要】本专利技术公开了一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管。本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷银华，
申请(专利权)人：嘉兴市伊飞诺电器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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