III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法技术

一种III族氮化物复合衬底(1)，其具有75mm以上直径，包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差st与其厚度的平均值mt的比率st/mt为0.01以上且0.5以下，且III族氮化物膜(13)的主面(13m)和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与偏离角的绝对值的平均值mo的比率so/mo是0.005以上且0.6以下。因此，提供一种低成本且大直径的III族氮化物复合衬底，一种制造III族氮化物复合衬底的方法，一种层叠的III族氮化物复合衬底，以及一种III族氮化物半导体器件及其制造方法，所述III族氮化物复合衬底具有具备小厚度、小厚度变化以及高结晶质量的III族氮化物膜且由此降低半导体器件的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种III族氮化物复合衬底，其具有75mm以上的直径并且包括彼此接合的支撑衬底和III族氮化物膜，所述III族氮化物膜具有50nm以上且小于10μm的厚度，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与该III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比率st/mt为0.01以上且0.5以下，并且在所述III族氮化物膜的主面和预定平面取向的平面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与该偏离角的绝对值的平均值mo的比率so/mo为0.005以上且0.6以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥惠二，柳泽拓弥，上松康二，关裕纪，山本喜之，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP