本申请涉及包括以下步骤的制造光电子部件的方法：提供具有第一表面的光电子半导体芯片；在第一表面上沉积牺牲层；形成模制体，其中光电子半导体芯片被至少部分嵌入在该模制体中；以及去除牺牲层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及依据专利权利要求1的制造光电子部件的方法以及涉及依据专利权利要求11的光电子部件。本专利申请要求德国专利申请DE 10 2013 202 910.1的优先权，本申请的公开内容通过参考而被包括于此。
技术介绍
在现有技术中，光电子部件包括实现若干功能性的外壳。这些功能性包含提供用于光电子部件的光电子半导体芯片的电连接、提供适合的安装界面一一例如用于依据SMT技术的表面安装、以及机械连接光电子部件的各个部分。而且，可以集成保护性的ESD 二极管以用于保护光电子部件的光电子半导体芯片免遭由静电放电产生的损害，以及集成用于注入和分开光、用于形成束或者用于转换波长的器件。由于要被实现的这许多的功能性，所以常规的光电子部件的外壳构成大量的消费因素。DE 10 2009 036 621 Al公开了制造光电子部件的方法，其中光电子半导体芯片被布置在载体的上表面处。光电子半导体芯片被封装在模制体中，该模制体覆盖光电子半导体芯片的所有横向表面。光电子半导体芯片的顶表面和底表面优选地保持不被占用。在去除载体之后，光电子半导体芯片可以被单体化。在每个半导体芯片的顶表面和/或底表面处，可以提供接触点。模制体可以例如由基于环氧树脂的模制材料组成。
技术实现思路
本专利技术的目标是提供制造光电子部件的方法。该目标通过具有权利要求1的特征的方法来解决。本专利技术的进一步目标是提供光电子部件。该目标通过具有权利要求11的特征的光电子部件来解决。在从属权利要求中指示潜在和优选的实施例。制造光电子部件的方法包括以下步骤:提供具有第一表面的光电子半导体芯片；在第一表面上沉积牺牲层；形成模制体，光电子半导体芯片被至少部分嵌入到该模制体中；以及去除牺牲层。有利地，该方法允许制造具有模制体的光电子部件，该模制体包括邻近于在模制体中嵌入的光电子半导体芯片的凹陷。在不要求先前精确放置半导体芯片或另一个部分的情况下，将所述凹陷与光电子半导体芯片精确对准。模制体的凹陷于是可以有利地被用于以高的精确度相对于光电子半导体芯片来安置光电子部件的进一步部分。有利地，该方法不涉及复杂的光刻工艺步骤。在该方法的实施例中，在去除牺牲层之前执行进一步步骤，用于部分去除模制体以便致使牺牲层可接近。结果，在将光电子半导体芯片嵌入到模制体中时牺牲层有利地不必保持不被占用，而是可以被模制体覆盖。在部分去除模制体时，光电子半导体芯片有利地被牺牲层保护，因而防止对光电子半导体芯片的损害。在该方法的实施例中，光电子半导体芯片的第一表面被提供用于电磁福射的通道。有利地，光电子部件的模制体中的凹陷于是被布置成邻近于光电子半导体芯片的所述束通道表面。这允许使用模制体中的凹陷来用于光电子部件的部分相对于光电子半导体芯片的所述束通道表面的自对准布置。在该方法的实施例中，将具有布置在其上的接触引脚牺牲层的导电接触引脚与光电子半导体芯片一起嵌入在模制体中。随后，接触引脚牺牲层与牺牲层一起被去除。有利地，嵌入在模制体中的接触引脚于是可以被用于将电连接引导穿过模制体。在该方法的实施例中，所述方法包括以下进一步步骤:在光电子半导体芯片的第一表面处布置的电接触与接触引脚之间建立导电连接。有利地，接触引脚于是引导导电连接穿过模制体到光电子半导体芯片的电接触，因而允许在模制体的另一侧处电接触光电子半导体芯片。在该方法的实施例中，所述方法包括在模制体的上表面处布置光学透镜的进一步步骤。有利地，在模制体中形成的邻近光电子半导体芯片的凹陷允许光学透镜关于光电子半导体芯片的精确自对准定向。为了对准光学透镜，具有高精确度的光学透镜的耗时和昂贵的放置因此不是所需的。在该方法的实施例中，光电子半导体芯片被嵌入在模制体中，使得光电子半导体芯片的第二表面与模制体的底表面处于齐平。有利地，光电子半导体芯片的第二表面于是在光电子半导体芯片的模制体的底表面处是可接近的。这允许在模制体的底表面处电接触光电子部件的光电子半导体芯片。在该方法的实施例中，在形成模制体之前，执行将光电子半导体芯片布置在载体上的步骤，其中光电子半导体芯片的第二表面被布置成面向载体的上表面。有利地，该方法步骤保证光电子半导体芯片的第二表面在随后形成的模制体的底表面处保持可接近的。在该方法的实施例中，在牺牲层的沉积与模制体的形成之间将光电子半导体芯片与晶片分离。有利地，然后在光电子半导体芯片的晶片上执行牺牲层的沉积，因而允许以便宜方式同时向多个光电子半导体芯片供应牺牲层。在该方法的实施例中，将多个光电子半导体芯片共同地嵌入到模制体中。之后，模制体被划分以便获得多个光电子部件。有利地，该方法因此允许在共享的方法步骤中并行制造多个光电子部件。有利地，这导致针对每个光电子部件的制造成本的剧烈减少。光电子部件包括具有第一表面的光电子半导体芯片。光电子半导体芯片被嵌入到具有上表面的模制体中。光电子半导体芯片的第一表面在模制体的上表面处是可接近的。模制体的上表面关于光电子半导体芯片的第一表面是升高的。有利地，模制体的升高的上表面形成围绕被嵌入到光电子部件的模制体中的光电子半导体芯片的第一表面的调整区域，在该调整区域处可以以高精确度以自对准的方式来相对于光电子半导体芯片定向光电子部件的进一步部分。在光电子部件的实施例中，光电子半导体芯片的第一表面被提供用于电磁辐射的通道。有利地，通过升高超过光电子半导体芯片的第一表面的模制体部分形成的调整区域因此被布置成在光电子半导体芯片的辐射通道区域之上，这允许在光电子半导体芯片的辐射通道区域之上的光电子部件部分的精确和自对准定向。在光电子部件的实施例中，光学透镜被布置在模制体的上表面上。有利地，可以以自对准和精确的方式在通过模制体的升高的部分形成的调整区域处相对于光电子半导体芯片定向透镜，这可以导致光电子部件的高质量的光学属性。在光电子部件的实施例中，光学透镜邻接与模制体整体地形成的调整结构。有利地，光电子部件具有由少量的单个部分组成的简单设计，并且因此可以以便宜的方式被制造。在光电子部件的实施例中，将导电接触引脚嵌入在模制体中。接触引脚在模制体的上表面处是可接近的。在光电子半导体芯片的第一表面处布置的电接触在本上下文中以导电的方式被连接到接触引脚。有利地，光电子部件的光电子半导体芯片于是可以在与模制体的上表面相对的模制体的底表面处被电接触。由此经由接触引脚和接触引脚与光电子半导体芯片的第一表面处的电接触之间的导电连接来引导电连接。 在光电子部件的实施例中，光电子半导体芯片的第二表面在模制体的底表面处是可接近的，并且与模制体的底表面处于齐平。有利地，光电子部件的光电子半导体芯片的第二电接触于是可以在模制体的底表面处的光电子半导体芯片的第二表面处被电接触。这允许在执行了表面安装技术(SMT )之后例如借助于回流焊接而电接触光电子部件。在光电子部件的实施例中，金属化部被布置成在光电子半导体芯片的第二表面处。有利地，金属化部可以用来借助于焊接方法电接触光电子半导体芯片。【附图说明】本专利技术的以上描当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造光电子部件（10）的方法，包括以下步骤：‑提供具有第一表面（101）的光电子半导体芯片（100）；‑将牺牲层（110）沉积在第一表面（101）上；‑形成模制体（400），光电子半导体芯片（100）被至少部分嵌入在模制体（400）中；‑去除牺牲层（110）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：T瓦尔格赫塞，HJ卢高尔，T施瓦茨，S伊莱克，J莫斯布尔格，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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