本实用新型专利技术实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：基板；半导体元件，其设置于所述基板上；树脂成型框架，其以围绕所述半导体元件的方式设置于所述基板上；焊接电极，其设置于所述树脂成型框架上；以及引线，其连接所述半导体元件以及所述焊接电极；其特征在于，所述焊接电极向所述半导体装置的内侧倾斜。根据本实用新型专利技术实施例的半导体装置的结构，能够确保树脂成型框架的壁部的厚度且避免焊接工具与该壁部之间的干扰。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。
技术介绍
目前，半导体装置被广泛应用于电子设备中。在现有技术中，如图1所示，半导体装置100具有基板101、设置于基板101上的半导体元件102以及壳体103、设置于壳体103上的焊接电极104、以及连接半导体元件102和焊接电极104的引线105。由于半导体装置100的壳体(周壁)103比较窄，在利用焊接工具500切割引线105时，如果焊接工具500垂直位于焊接电极104面，则周壁103与焊接工具500会产生干扰，如果在切割方向没有空间，则焊接工具500无法移动。为了解决该问题，一个解决方案是，在半导体装置的中空的封装件的周壁的内周，在对应于焊接电极的位置设置缺口，由此能够防止与焊接工具的干扰。然而，这种方式虽然能够防止与焊接工具的干扰，但是周壁的剩余厚度变薄，导致机械强度不足。除此之外，也可以通过增厚半导体装置的周壁或者使焊接工具的末端变窄的方式来防止周壁与焊接工具的干扰。但这两种方式都在一定程度上提高了制作成本。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
为了防止焊接工具与半导体装置的周壁之间的干扰，本技术实施例提供了一种半导体装置和电子设备。根据本技术实施例的第一方面，提供一种半导体装置，该半导体装置包括:基板；半导体元件，其设置于所述基板上；树脂成型框架，其以围绕所述半导体元件的方式设置于所述基板上；焊接电极，其设置于所述树脂成型框架上；以及引线，其连接所述半导体元件以及所述焊接电极；其特征在于，所述焊接电极向所述半导体装置的内侧倾斜。根据本技术实施例的第二方面，提供一种如第一方面所述的半导体装置，其特征在于，所述树脂成型框架具有基部和壁部，所述基部设置于所述基板上，所述壁部从所述基部的一端沿与所述基板垂直的方向延伸；所述基部的一个表面向所述半导体装置的内侧倾斜；所述焊接电极设置于所述基部的所述一个表面上。根据本技术实施例的第三方面，提供一种如第二方面所述的半导体装置，其特征在于，所述焊接电极的上表面与所述树脂成型框架的所述壁部构成的角度为钝角。根据本技术实施例的第四方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括如上述第一方面至所述第三方面任一方面所述的半导体装置。本技术的有益效果在于:通过使半导体装置的焊接电极向半导体装置的内侧倾斜，在焊接时，配合焊接工具倾斜一定的角度，能够防止焊接工具与半导体装置的周壁之间的干扰。参照后文的说明和附图，详细公开了本技术的特定实施方式，指明了本技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。【附图说明】所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:图1是现有技术中半导体装置的一个内部结构示意图；图2是本技术实施例的半导体装置的一个结构示意图；图3是本技术实施例的半导体装置的另一个结构示意图。【具体实施方式】参照附图，通过下面的说明书，本技术的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本技术的原则的部分实施方式，应了解的是，本技术不限于所描述的实施方式，相反，本技术包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本技术实施例1提供一种半导体装置。图2是本申请实施例1的半导体装置的一个结构示意图，如图2所示，该半导体装置200包括:基板201、半导体元件202、树脂成型框架203、焊接电极204、以及引线205。在本实施例中，如图2所示，半导体元件202设置于基板201上，树脂成型框架203以围绕该半导体元件的方式也设置于该基板201上，焊接电极204设置于该树脂成型框架203上，并且，引线205连接该半导体元件202和该焊接电极204。在本实施例中，如图2所示，焊接电极204向该半导体装置200的内侧倾斜，由此结构，在使用焊接工具500切割引线205时，配合该焊接电极204的倾斜构造，焊接工具500也倾斜一定的角度，能够防止该焊接工具500与该树脂成型框架203发生干扰。通过本实施例的半导体装置的结构，不需要降低半导体装置的周壁(树脂成型框架203的壁部)的厚度，即可防止焊接工具与周壁干扰，同时保证了周壁的机械强度。在本实施例的一个实施方式中，如图2所示，树脂成型框架203的结构与现有的半导体装置100的壳体103的结构类似，为台阶状，焊接电极204直接架设在树脂成型框架203上，其表面向半导体装置200的内侧倾斜。在本实施例的另一个实施方式中，如图3所示，树脂成型框架203具有基部301和壁部302，基部301设置在基板201上，壁部302从该基部301的一端沿与基板201垂直的方向延伸，并且，基部301的上表面向半导体装置的内侧倾斜，焊接电极204设置在基部301的该上表面上。由此，焊接电极204借助基部301的坡状结构，形成了向半导体装置的内侧倾斜的结构。在本实施例中，焊接电极204倾斜的角度为锐角，也即，该焊接电极204的上表面与该树脂成型框架203的上述壁部302构成的角度为钝角，由此保证了焊接工具500工作时候的角度。在本实施例中，基板201用于承载半导体元件202，并根据需要形成电气布线。该基板201可以是玻璃环氧基板，也可以是比较便宜的酚醛纸基板。在本实施例中，半导体元件202可以是硅(Si)半导体，但是也可以化合物半导体，例如碳化娃(SiC)半导体、氮化镓(GaN)半导体等。在本实施例中，树脂成型框架203设置于基板201的一个主面，在平面视图中，以包围半导体元件202的方式设置。沿着基板201的外周缘设置树脂成型框架203，使树脂成型框架203的外壁301位于基板201侧面的延长线上。由此，树脂成型框架203作为保护半导体元件202的封装体(外围体)的一部分发挥作用，并且，与基板201协作作为注入构成封装体的树脂的容器发挥作用。树脂成型框架203优选例如具有良好的加工性且熔点280度高的聚苯硫醚(PPS)。 在本实施例中，引线205可以是铝或者铝合金的细线，连接半导体元件202的电极和设置于树脂成型框架203的焊接电极。例如，细线的直径为300微米以上。在本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：基板；半导体元件，其设置于所述基板上；树脂成型框架，其以围绕所述半导体元件的方式设置于所述基板上；焊接电极，其设置于所述树脂成型框架上；以及引线，其连接所述半导体元件以及所述焊接电极；其特征在于，所述焊接电极向所述半导体装置的内侧倾斜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：大美贺孝，藤本健治，荻野博之，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。