监视器结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及监视器结构及其形成方法。根据本发明专利技术的一个实施例，一种形成电子器件的方法包括在工件中形成第一开口和第二开口。第一开口比第二开口更深。该方法进一步包括在第一开口内形成填充材料以形成贯穿过孔的一个部分并且在第二开口内形成填充材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是申请号为201310248554.9且专利技术名称为“”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术一般地涉及电子器件，并且更加具体地涉及监视器结构及其其形成方法。
技术介绍
在很多电子和其它应用中使用半导体器件。半导体器件可以包括在半导体晶圆上形成的集成电路。可替代地，半导体器件可以被形成为单片器件例如分立器件。通过在半导体晶圆之上沉积很多类型的材料薄膜、图案化材料薄膜、掺杂半导体晶圆的选择性区域和其它工艺而在半导体晶圆上形成半导体器件。在传统的半导体制造工艺中，在单一晶圆内和/或之上制造大量的半导体器件。半导体器件可以包括用于通过硅芯片的信息或者电力传送并且用于连接到芯片后侧的一个或者多个贯穿硅过孔。特别地，具有前侧和后侧金属化层的硅插入物呈现由贯穿硅过孔制造的定制的贯穿触点。每一个半导体器件可以包括多个贯穿过孔。类似地，包括这些半导体器件的半导体封装也可以包括多个贯穿过孔。然而，形成贯穿过孔引入了各种工艺复杂性，这能够导致显著的成品率损失。
技术实现思路
利用本专利技术的示意性实施例，基本上解决或者规避了这些和其它问题，并且基本上实现了技术优点。根据本专利技术的一个实施例，一种形成电子器件的方法包括在工件中形成第一开口和第二开口。第一开口比第二开口更深。该方法进一步包括在第一开口内形成填充材料以形成贯穿过孔的一个部分并且在第二开口内形成填充材料。根据本专利技术的一个实施例，一种形成半导体器件的方法包括形成在第一工件中用于贯穿过孔的第一开口和用于监视器结构的第二开口。第一开口比第二开口更深。该方法进一步包括在第二开口内沉积填充材料直至填充深度并且使用在第二开口内的填充深度的测量，并且在第一开口内沉积填充材料。根据本专利技术的一个实施例，一种电子器件包括置放在工件中的功能性传导结构和置放在工件中的非功能性监视器结构。该监视器结构被配置用于在监视功能性传导结构的制造时使用。根据本专利技术的一个实施例，一种器件包括电子芯片、邻近电子芯片的封装剂和置放在封装剂中的传导结构。该传导结构不被耦接到电子芯片。封装剂具有与电子芯片大约相同的厚度。前面已经相当一般性地概述了本专利技术的一个实施例的特征，从而随后的、本专利技术的详细描述可以得到更好的理解。将在下文中描述本专利技术的实施例的另外的特征和优点，这形成本专利技术的权利要求的主题。本领域技术人员应该理解，可以容易地利用所公开的概念和具体实施例作为用于修改或者设计用于实现本专利技术的相同意图的其它结构或者工艺的基础。本领域技术人员还应该认识到，这种等价构造并不偏离如在所附权利要求中阐述的本专利技术的精神和范围。【附图说明】为了更加完全地理解本专利技术及其优点，现在对结合附图进行的以下说明进行参考，其中: 图1，包括图1A - 1B，示意根据本专利技术的一个实施例的半导体器件，其中图1A示意顶截面视图并且其中图1B示意横截面视图； 图2，包括图2A - 2C，示意根据本专利技术的一个实施例的可替代半导体器件，其中图2A示意顶截面视图并且其中图2B和2C示意横截面视图； 图3，包括图3A - 3C，示意根据本专利技术的一个实施例的可替代半导体器件，其中图3A示意顶截面视图并且其中图3B和图3C示意横截面视图； 图4示意根据本专利技术的一个实施例的半导体器件的顶截面视图； 图5，包括图5A和5B，示意根据本专利技术的一个实施例的半导体封装，其中图5A示意顶截面视图并且其中图5B示意横截面视图； 图6，包括图6A和6B，示意根据本专利技术的实施例的贯穿过孔和监视器结构的放大横截面； 图7，包括图7A-7I，示意根据本专利技术的实施例的、在各种制造阶段期间的半导体器件；并且 图8示意在根据本专利技术的实施例的部分工艺流程期间的操作。在不同的图中的相应的数字和符号一般地引用相应的部分，除非另有指示。图被绘制成清楚地示意实施例的有关方面而并不是必要地按照比例绘制的。【具体实施方式】在下面详细地讨论了各种实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供能够在很多种具体环境中体现的很多可应用的创造性概念。所讨论的具体实施例仅仅示意用于制造和使用本专利技术的具体方式，而非限制本专利技术的范围。将使用图1描述半导体器件的结构实施例。将使用图2-6描述半导体器件的进一步的结构实施例。将使用图7和8描述制造半导体器件的各种方法。图1，包括图1A - 1B，示意根据本专利技术的一个实施例的半导体器件，其中图1A示意顶截面视图并且其中图1B示意横截面视图。参考图1A，半导体器件包括电子芯片10。在各种实施例中，电子芯片10可以包括任何适当的基片材料。在一个或者多个实施例中，电子芯片10可以包括硅基片。在可替代实施例中，电子芯片10可以包括绝缘体上半导体基片。在进一步的可替代实施例中，电子芯片10可以包括其它半导体基片诸如碳化硅、硅锗、氮化镓、InSb, InP、砷化镓等。在各种实施例中，电子芯片10可以包括半导体芯片。电子芯片10还可以包括任何其它类型的芯片，例如塑料、有机器件等。在各种实施例中，电子芯片10可以包括功能性电路并且可以包括集成电路。电子芯片10可以包括逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、混合信号芯片、功率器件和其它类型的电路。在一个或者多个实施例中，电子芯片10可以包括多个器件诸如包括场效应晶体管、双极晶体管、IGBT, JFET、二极管等的多个晶体管。在各种实施例中，电子芯片10包括多个贯穿过孔20。如在图1B中所示意地，该多个贯穿过孔20通过电子芯片10延伸。在各种实施例中该多个贯穿过孔20可以包括传导材料。在一个或者多个实施例中该多个贯穿过孔20可以将电子芯片10的后表面耦接到电子芯片10的前表面。可替代地，在某些实施例中，该多个贯穿过孔20可以用于耦接相邻(堆叠)的半导体器件。如进一步在图1A中示意地，电子芯片10包括监视器结构30。在各种实施例中，监视器结构30可以包括类似于该多个贯穿过孔20的传导材料。在一个或者多个实施例中，监视器结构30包括从基片的一个表面延伸但是并不延伸到另一个表面的局部过孔。如在图1B中所示意地，监视器结构30具有小于电子芯片10的厚度的深度。在一个或者多个实施例中，监视器结构30被用作用于在制造期间监视该多个贯穿过孔20的形成的结构。如将在下面进一步详细描述地，监视器结构30用于确保该多个贯穿过孔20的填充高度匹配工艺参数。在一个或者多个实施例中，监视器结构30的数目相对于贯穿过孔20的数目可以小很多。在一个或者多个实施例中，单一监视器结构30可以用于监视至少十个贯穿过孔20。在进一步的实施例中，至少五十个贯穿过孔20可以具有单一监视器结构30。在又一个实施例中，至少一百个贯穿过孔20可以具有公共的监视器结构30。作为进一步的实例，在各种实施例中电子芯片10可以包括大约I到大约100，000个贯穿过孔20和大约I到大约5000个监视器结构30。在各种实施例中，监视器结构30的数目与贯穿过孔20的数目的比率可以从大约1:1到大约1: 100，000地改变。因此，在各种实施例中，监视大量的贯穿过孔20所需要的监视器结构30的数目是非常小的。有利地，监视器结构30在半导体器件上占据最小区域。在一个或者多个实施例中，监视器结构30可以被耦接到地电势节点。在可替代实施例中，监视器结构30可以不被耦接到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：置放在工件中的功能性传导结构；和置放在所述工件中的非功能性监视器结构，其中所述监视器结构被配置用于在监视所述功能性传导结构的制造时使用。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：A比尔纳，T赫齐希，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE