晶片的加工方法技术

提供一种晶片的加工方法，其能够防止芯片的角的缺损。所述晶片的加工方法具有：保护部件设置步骤，将保护部件(21)设置在晶片(11)的正面(11a)；改性层形成步骤，照射对晶片具有透射性的波长的激光束(L)来在晶片的内部形成改性层(23)；保持步骤，利用保持构件(14)借助保护部件保持晶片；以及磨削步骤，利用包含磨削磨具(40)的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度，并且形成沿着改性层被分割的多个芯片(27)，通过在改性层形成步骤中，形成沿着间隔道(17)的改性层(23b)，并且在间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈矩形状的改性层(23b)，而成为在多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部(27a)的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及分割晶片来形成多个芯片的。
技术介绍
近年来，为了实现小型轻量的器件，需要通过磨削将由硅等材料构成的晶片加工得薄。在该磨削中例如使用如下的磨削装置，该磨削装置具有:卡盘工作台，其抽吸保持晶片；以及磨削轮，其配置在卡盘工作台的上方，并在该磨削轮的下表面固定有磨具(磨削磨具)。通过在使卡盘工作台与磨削轮相互旋转的同时，使磨削轮下降来将磨削磨具按压到晶片的被加工面，而能够磨削晶片来进行薄化。但是，为了将伴随着该薄化而刚性降低的晶片分割成多个芯片而利用切削刀具等进行切削时，容易产生崩边(缺口)和裂化(裂纹)等问题。因此，近年来，如下加工方法得以实用化:使难以被晶片吸收(具有透射性)的波长的激光束会聚在晶片的内部，形成作为分割的起点的改性区域(改性层)，之后对晶片进行磨削(例如，参照专利文献I)。在该加工方法中，利用在磨削时施加的外力在将晶片薄化的同时将其分割成多个芯片，因此，不需要对刚性有所降低的晶片进行切削。专利文献1:国际公开第03/077295号然而，在上述的加工方法中，通过分割形成的多个芯片彼此接近，因此，所形成的芯片在磨削中彼此接触，特别是，芯片的角缺损的可能性高。若芯片的角缺损，则会以该缺口为起点产生裂纹，从而器件破损。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供能够防止芯片的角的缺损的。根据本专利技术，提供一种，该晶片在由多条间隔道划分出的正面的各区域分别形成有器件，所述的特征在于，其具有:保护部件设置步骤，在该保护部件设置步骤中，将保护部件设置到晶片的正面；改性层形成步骤，在实施该保护部件设置步骤前或后，照射对晶片具有透射性的波长的激光束来在晶片的内部形成改性层；保持步骤，在实施了该保护部件设置步骤和该改性层形成步骤后，利用保持构件借助该保护部件保持晶片；以及磨削步骤，在实施了该保持步骤后，利用包含磨削磨具的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度，并且形成被沿着该改性层分割开的多个芯片，通过在该改性层形成步骤中，形成沿着该间隔道的改性层，并且在该间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于该间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层，从而在该磨削步骤中所形成的多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部。在本专利技术的中，沿着晶片的间隔道形成改性层，并且在间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层，因此，之后通过沿着改性层分割晶片，能够形成具有将角去掉而成的去掉部的多个芯片。S卩，如果设置用于形成去掉部的矩形状或者圆形的改性层，则在晶片的磨削中芯片的角会被去掉，因此，即使相邻的芯片彼此接触，芯片的角也不会缺损。这样，根据本专利技术，能够提供能够防止芯片的角的缺损的。【附图说明】图1的㈧是示意性示出晶片的结构例的立体图，图1的⑶是示意性示出保护部件设置步骤的立体图。图2的㈧是示意性示出改性层形成步骤的局部剖视侧视图，图2的⑶是示意性示出在晶片中形成的改性层的俯视图。图3是示意性示出保持步骤和磨削步骤的立体图。图4是示意性示出所形成的芯片的形状的俯视图。图5的㈧是示意性示出在第I变形例中在晶片中形成的改性层的俯视图，图5的(B)是示意性示出在第2变形例中在晶片中形成的改性层的俯视图。图6是示意性示出在第I变形例中形成的芯片的形状的俯视图。标号说明11:晶片；lla:正面；llb:背面；llc:外周；13:器件区域；15:外周剩余区域；17:间隔道(分割预定线);19:器件；21:保护部件;21a:正面；21b:背面;23、23a、23b、23c、23d、23e、23f:改性层；25:裂纹层；27:芯片;27a、27b:去掉部；2:激光加工装置；4:激光加工头；12:磨削装置；14:卡盘工作台(保持构件);16:主轴；18:轮座；20:磨削轮；22:轮基座；24:磨削磨具；L:激光束。【具体实施方式】参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式的包含保护部件设置步骤(图1的(B))、改性层形成步骤(图2的(A)、图2的(B))、保持步骤(图3)以及磨削步骤(图3、图4)。在保护部件设置步骤中，将保护部件设置到晶片的正面侧。在改性层形成步骤中，照射难以被晶片吸收的波长(具有透射性的波长)的激光束，来在晶片的内部形成改性层。在该改性层形成步骤中，沿着间隔道形成俯视观察时呈直线状的改性层，并且，在间隔道的交叉区域(交叉点附近)形成俯视观察时呈矩形状的改性层。在保持步骤中，使晶片的正面侧抽吸保持于卡盘工作台(保持构件)。在磨削步骤中，磨削背面侧来将晶片加工得薄，并且沿着改性层分割晶片来形成多个芯片。下面，对本实施方式的进行详细描述。图1的⑷是示意性示出利用本实施方式的加工的晶片的结构例的立体图。如图1的(A)所示，晶片11例如是由硅等材料构成的圆盘状的半导体晶片，正面Ila被分成中央的器件区域13和包围器件区域13的外周剩余区域15。器件区域13由排列成格子状的间隔道(切削预定线)17进一步划分为多个区域，在各区域形成有IC等器件19。晶片11的外周Ilc被倒角加工，并且截面形状为圆弧状。在本实施方式的中，首先，实施在上述的晶片11的正面Ila侧设置保护部件的保护部件设置步骤。图1的(B)是示意性示出保护部件设置步骤的立体图。如图1的(B)所示，保护部件21形成为与晶片11大致相同形状的圆盘状。作为该保护部件21例如可以使用树脂基板、粘接带、半导体晶片等。在保护部件设置步骤中，使晶片11的正面IIa侧与保护部件21的正面21a侧相面对，使晶片11与保护部件21重叠。此时，在晶片11的正面Ila与保护部件21的正面21a之间预先夹着粘接剂等。由此，保护部件21借助粘接剂等固定于晶片11的正面Ila侧。在保护部件设置步骤后，实施在晶片11的内部形成改性层的改性层形成步骤。图2的(A)是示意性示出改性层形成步骤的局部剖视侧视图，图2的(B)是示意性示出在晶片11中形成的改性层的俯视图。改性层形成步骤例如利用图2的(A)所示的激光加工装置2实施。激光加工装置2具有抽吸保持晶片11的卡盘工作台(未图示)。该卡盘工作台与马达等旋转机构(未图示)连结，绕沿铅直方向延伸的旋转轴旋转。并且，在卡盘工作台的下方设置有移动机构(未图示)，卡盘工作台利用该移动机构沿水平方向移动。卡盘工作台的上表面为抽吸保持晶片11的正面Ila侧(保护部件21的背面21b侦D的保持面。通过在卡盘工作台的内部形成的流路而向保持面作用抽吸源的负压，产生抽吸晶片11的抽吸力。在卡盘工作台的上方配置有激光加工头4。激光加工头4使由激光振荡器(未图示)振荡产生的激光束L会聚在抽吸保持于卡盘工作台的晶片11的内部。激光振荡器构成为能够振荡产生难以被晶片11吸收的波长(具有透射性的波长)的激光束L。例如，在由硅构成的晶片11中形成改性层的情况下，作为激光振荡器使用能够振荡产生波长为1064nm的激光束L的YAG或YV04脉冲激光振荡器等即可。在改性层形成步骤中，首先，使晶片11的正面IIa侧(保护部件21的背面21b侧)与卡盘工作台的保持面接触，并作用抽吸源的负压。由此，晶片11以背面Ilb侧在上方露出的状态被抽吸保持于卡盘工作台。接着，使卡盘工作台移动、旋转，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，所述晶片在由多条间隔道划分出的正面的各区域分别形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，其具有：保护部件设置步骤，在该保护部件设置步骤中，将保护部件设置到晶片的正面；改性层形成步骤，在实施该保护部件设置步骤前或后，照射对晶片具有透射性的波长的激光束来在晶片的内部形成改性层；保持步骤，在实施了该保护部件设置步骤和该改性层形成步骤后，利用保持构件借助该保护部件保持晶片；以及磨削步骤，在实施了该保持步骤后，利用包含磨削磨具的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度，并且形成被沿着该改性层分割开的多个芯片，通过在该改性层形成步骤中，形成沿着该间隔道的改性层，并且在该间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于该间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层，从而在该磨削步骤中所形成的多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久保田一弘，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP