本发明专利技术提供一种OLED发光装置及其制造方法，该OLED发光装置包括：位于基板上的平坦化层，所述平坦化层具有一接触孔，所述接触孔穿透所述平坦化层，所述接触孔中填充导电材料；位于所述平坦化层上的反射层，所述反射层至少部分覆盖所述导电材料且所述反射层与所述导电材料电连接；以及位于所述反射层上的OLED发光单元。本发明专利技术的OLED发光装置利用导电材料填充平坦化层中的接触孔，避免了因躲避接触孔而造成的发光面积变小，增大了发光面积，从而提高有机发光二极管的发光亮度和分辨率，降低功耗并延长产品使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机发光领域，特别涉及一种OLED发光装置及其制造方法。
技术介绍
有机发光显示器(OLED)由于具有自主发光、快速响应、轻薄、低功耗并可实现柔性显示等诸多优点而备受关注，被认为是下一代的平板显示技术。目前，OLED技术已逐步应用于各种电子产品中，其中有源矩阵有机发光显示屏(AMOLED)凭借高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点而成为OLED发展的主要趋势。OLED发光面是由多个有效发光单元和像素定义层构成的，并不是整个表面均能发光，因此出现了开口率的概念。开口率是指有效发光单元的表面积和整个发光面的面积的比值。一般来讲，对于照明OLED产品，开口率一般在80%以上。而对于OLED显示产品，因为在其表面除了像素定义层还有像素存储电容和TFT，因此开口率一般在50%左右。为了提闻OLED的売度，通常米用的做法是提闻有机材料的发光效率，或者提闻开口率。提高有机材料的发光效率需要进行很多试验，优化出最佳的发光器件结构，并且发光效率的提高具有一定的限度。而提高OLED的开口率需要减小辅助电极、TFT、电容等不发光面的面积。目前一般来讲开口率最高只能达到60%左右，而现在OLED作为一种常用的照明以及显示装置，具有较大的使用量，因此目前的OLED的开口率不太能满足使用的需求。现行AMOLED技术为在低温多晶硅面板上蒸镀OLED发光单元。在蒸镀OLED发光单元的过程中，常因绝缘层的膜厚不均造成OLED发光单元蒸镀不均匀，从而产生亮度差异。为避免此问题的出现，需在反射层和数据线之间增加有机平坦化层，再通过接触孔的方式进行导通。如图1所示，一种现行OLED发光装置包括形成于基板110上的驱动单元120、覆盖驱动单元120的层间绝缘层130、位于层间绝缘层130之上的平坦化层140以及位于平坦化层140之上的反射层150、0LED发光单元160和发光区定义层170，层间绝缘层130的表面具有接触孔131并通向驱动单元120的源极/漏极区，数据线层DL位于层间绝缘层130的表面并延伸入接触孔131且与驱动单元120的源极/漏极区电连接，平坦化层140的表面具有接触孔141，反射层150通过平坦化层140中的接触孔141与数据线层DL电连接，从而与驱动单元120的源极/漏极区电连接。在此类OLED发光装置的结构中，接触孔141会影响发光区定义层170的平坦度，所以蒸镀OLED发光单元160时需避开接触孔141，因而减少了发光面积，降低了面板的利用率。因此，需要一种在不降低分辨率的情况下能够提高像素亮度的装置和方法，以解决因躲避平坦化层中的接触孔而造成的发光面积变小的问题。
技术实现思路
针对上述问题，专利技术人经过长期的深入研究，提出在反射层沉积前利用导电材料将平坦化层中的接触孔填平，从而增加发光面积，提高发光亮度。—方面,本专利技术提供一种OLED发光装置,包括:位于基板上的平坦化层，所述平坦化层具有一接触孔，所述接触孔穿透所述平坦化层，所述接触孔中填充导电材料；位于所述平坦化层上的反射层，所述反射层至少部分覆盖所述导电材料且所述反射层与所述导电材料电连接；以及位于所述反射层上的OLED发光单元。在本专利技术的OLED发光装置的一个实施方式中，所述OLED发光装置还包括:形成于基板上的有源层；覆盖所述有源层的层间绝缘层，所述层间绝缘层具有另一接触孔，所述另一接触孔穿透所述层间绝缘层并通向所述有源层的源极/漏极区；以及位于所述层间绝缘层上的数据线层，其中所述数据线层通过所述另一接触孔与所述源极/漏极区电连接，所述平坦化层中的所述接触孔通向所述数据线层，且所述数据线层与所述导电材料电连接。在本专利技术的OLED发光装置的另一个实施方式中，所述导电材料为钨。在本专利技术的OLED发光装置的另一个实施方式中，所述反射层为银或铝。在本专利技术的OLED发光装置的另一个实施方式中，所述接触孔中完全填充所述导电材料。在本专利技术的OLED发光装置的另一个实施方式中，所述OLED发光单元至少部分覆盖所述平坦化层中的所述接触孔。在本专利技术的OLED发光装置的另一个实施方式中，所述OLED发光单元全部覆盖所述平坦化层中的所述接触孔。另一方面，本专利技术还提供制造上述OLED发光装置的方法，包括在基板上形成平坦化层，并在所述平坦化层中形成一接触孔，所述接触孔穿透所述平坦化层；向所述接触孔中填充导电材料；在所述平坦化层上形成反射层，并使所述反射层至少部分覆盖所述导电材料且所述反射层与所述导电材料电连接；以及在所述反射层上形成OLED发光单元。在本专利技术方法的一个实施方式中，所述方法还包括:在基板上形成有源层；在有源层之上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述有源层；在所述层间绝缘层中形成另一接触孔，所述另一接触孔穿透所述层间绝缘层并通向所述有源层的源极/漏极区；在所述层间绝缘层上形成数据线层，并使所述数据线层通过所述另一接触孔与所述源极/漏极区电连接；以及使所述平坦化层中的所述接触孔通向所述数据线层，并使所述数据线层与所述导电材料电连接。在本专利技术方法的另一个实施方式中，所述导电材料为钨。在本专利技术方法的另一个实施方式中，所述反射层为银或铝。在本专利技术方法的另一个实施方式中，所述接触孔中完全填充所述导电材料。在本专利技术方法的另一个实施方式中，所述OLED发光单元至少部分覆盖所述平坦化层中的所述接触孔。在本专利技术方法的另一个实施方式中，所述OLED发光单元全部覆盖所述平坦化层中的所述接触孔。本专利技术的OLED发光装置利用导电材料填充平坦化层中的接触孔，避免了因躲避接触孔而造成的发光面积变小，增大了发光面积，从而提高有机发光二极管的发光亮度和分辨率，降低功耗并延长产品使用寿命。【附图说明】图1为传统OLED发光装置的结构示意图；图2为根据本专利技术一个实施方式的OLED发光装置的结构示意图。其中，附图标记说明如下:110、210 基板120、220 驱动单元130、230层间绝缘层140、240 平坦化层131,231 第一接触孔141,241 第二接触孔150、250 反射层160,260 OLED 发光单元170,270发光区定义层DL数据线层221缓冲层222有源半导体层223源极/漏极区224栅极绝缘层225栅极242 导电材料【具体实施方式】下面根据具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明。本专利技术的保护范围不限于以下实施例，列举这些实例仅出于示例性目的而不以任何方式限制本专利技术。现参照图2，以说明根据本专利技术一个实施方式的OLED发光装置。如图2所示，其示出一种OLED发光装置，具有基板210，基板210可包括如玻璃、塑胶或陶瓷的透明绝缘材料。在基板210上设置有驱动单元220。驱动单元220可为低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管，包括缓冲层221、有源半导体层222、源极/漏极区223、栅极绝缘层224和栅极225，可通过物理气相沉积法、化学气相沉积法等形成。有源半导体层222和源极/漏极区223共同组成有源层。缓冲层221包括但不限于氮化硅、氧化硅或其叠层结构；有源半导体层222为多晶硅层，且作为沟道连接源极/漏极区223 ;源极/漏极区223为掺杂后的多晶硅层；栅极绝缘层包括但不限于氧化物、氮化物、碳化物或其组合物等绝缘材料；栅极22本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OLED发光装置，包括：位于基板上的平坦化层，所述平坦化层具有一接触孔，所述接触孔穿透所述平坦化层，所述接触孔中填充导电材料；位于所述平坦化层上的反射层，所述反射层至少部分覆盖所述导电材料且所述反射层与所述导电材料电连接；以及位于所述反射层上的OLED发光单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖丽娜，曾迎祥，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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