电光装置及电子设备制造方法及图纸

对起因于各像素中的泄漏电流的差异的显示质量的下降进行抑制。像素(30G)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对第1波长(530nm)的照射光进行调制。像素(30R)包括像素电容(36)和控制对于像素电容(36)的电压的供给及断开的开关元件(14)，相应于像素电容(36)的电压对比第1波长长的第2波长(620nm)的照射光进行调制。像素(30G)的像素电容(36)的电容值比像素(30R)的像素电容(36)的电容值大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电光装置及电子设备
本专利技术涉及利用多个像素对图像进行显示的技术。
技术介绍
现有技术中公开了：将包括液晶电容等的像素电容和TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)等的开关元件的多个像素排列成矩阵状的显示装置。开关元件配置于被供给相应于显示灰度等级的灰度等级电压的数据线与像素电容之间，对相对于像素电容的灰度等级电压的供给/断开进行控制。像素电容对灰度等级电压进行保持并对相应于灰度等级电压的灰度等级进行显示。例如，在投影型的显示装置中，对应于多个显示色(例如红色、绿色及蓝色)的任一色的波长的照射光照射于各像素的像素电容而通过像素电容进行调制(光量控制)。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2006—276118号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题对于各像素的照射光的一部分也能到达各像素的开关元件。起因于对于开关元件的光照射而在开关元件产生光泄漏电流，使像素电容所保持的电压发生变动。光泄漏电流的电流量相应于对于开关元件照射的照射光的波长而不同。从而，像素电容中的保持电压的变动的程度按各像素的显示色而不同，结果存在显示质量下降的问题。例如，若像素电容中的保持电压的变动的程度按各像素的显示色而不同，则闪烁的产生的程度按显示色不同而导致显示质量下降。考虑以上的情况，本专利技术的目的在于，对起因于各像素的开关元件中的泄漏电流的差异的显示质量的下降进行抑制。用于解决问题的手段用于解决以上的问题，本专利技术的电光装置具备第1像素和第2像素，其中，所述第1像素包括第1像素电容和控制对于第1像素电容的电压的供给及断开的第1开关元件，相应于第1像素电容的电压对第1波长的照射光进行调制，所述第2像素包括第2像素电容和控制对于第2像素电容的电压的供给及断开的第2开关元件，相应于第2像素电容的电压对比第1波长长的第2波长的照射光进行调制；第1像素电容的电容值比第2像素电容的电容值要大。根据以上的构成，因为第1像素电容的电容值比第2像素电容的电容值要大，所以尽管第1像素的光泄漏电流比第2像素的要大，但是能够使第1像素电容与第2像素电容的保持电压的变化量之差变小。从而，能够对起因于第1像素与第2像素的光泄漏量的差异的显示质量的下降进行抑制。在本专利技术优选的方式所涉及的电光装置中，具备包括第3像素电容和控制对于第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件并相应于第3像素电容的电压对比第1波长短的第3波长的照射光进行调制的第3像素，第3像素电容的电容值比第1像素电容的电容值要大。根据以上的构成，因为在第1像素、第2像素和第3像素之间，能够减小各像素的像素电容中的电压的变化量之差，所以使得能够对起因于光泄漏量的差异的显示质量的下降进行抑制的效果特别地显著。在本专利技术的优选的方式中，具备包括第3像素电容和控制对于第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件并相应于第3像素电容的电压对比第1波长短的第3波长的照射光进行调制的第3像素，第3像素电容的电容值与第1像素电容的电容值相等。根据以上的构成，可以减小各像素的像素电容中的电压的变化量之差，并使像素电容的构成在第1像素与第3像素中共用化。在本专利技术的优选的方式中，第1像素电容及第2像素电容的各自包括在相对置的电极间夹着有液晶的液晶电容和并联地连接于液晶电容的辅助电容，液晶电容的电容值在第1像素电容与第2像素电容相同，第1像素电容的辅助电容的电容值超过第2像素电容的电容值。根据以上的构成，因为辅助电容的电容值在第1像素与第2像素中不相同，所以可以使液晶电容的电容值在第1像素与第2像素中共用化。在本专利技术的优选的方式中，第1像素电容及第2像素电容的各自的辅助电容包括第1电极及第2电极和夹于第1电极及第2电极之间的电介质层，具备关于第1像素及第2像素的各自形成有俯视时内周缘位于第1电极及第2电极的周缘的内侧的开口部的绝缘层，绝缘层之中的开口部的周围的部分夹于第1电极与第2电极之间，对应于第1像素的所述开口部的面积比对应于所述第2像素的开口部的面积要大。根据以上的构成，通过使绝缘层的开口部的面积在第1像素与第2像素中不相同，可以容易且可靠地使辅助电容的电容值在第1像素与第2像素之间不相同。以上的各方式涉及的电光装置可采用于各种电子设备。例如，通过对来自光源装置的照射光按像素进行调制而将图像投影于投影面的投影型显示装置假想为本专利技术涉及的电子设备的优选例。附图说明图1是电光装置的剖视图。图2是电光装置的电构成的说明图。图3是1个像素的电路图。图4是表示照射于TFT的光的波长与光泄漏量的关系的曲线图。图5是表示各像素中的像素电容的电容值的关系的图。图6是表示布线层的具体的构成的剖视图。图7是表示利用了电光装置的投影型显示装置的各要件的图。具体实施方式(第1实施方式)图1是本专利技术的第1实施方式中的电光装置100的剖视图。电光装置100包括空出预定的间隔相互地相对置的第1基板10及第2基板20和密封于第1基板10及第2基板20之间的空间的液晶90而构成。从光源装置(图示略)发出的照射光(白色光)从第2基板20的表面21入射于电光装置100。图1的第2基板20为包含玻璃和/或石英等而形成的光透射性的板状构件。在第2基板20之中的液晶90侧的面上形成过滤层22，在过滤层22的面上形成对置电极24。过滤层22包括多个滤色器26(26R、26G、26B)和遮光层28而构成。多个滤色器26对应于不相同的多个显示色(红色、绿色、蓝色)的任一。对应于红色的滤色器26R使照射光之中的对应于红色(R)的波长的光(红色光)选择性地透射，滤色器26G使照射光之中的对应于绿色(G)的波长的光(绿色光)选择性地透射，滤色器26B使照射光之中的对应于蓝色(B)的波长的光(蓝色光)选择性地透射。遮光层28为对各滤色器26的外缘进行限定的遮光性(吸收光或使其反射的性质)的膜体。对置电极24例如以ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)等的光透射性的导电材料在第2基板20的基本整面连续地形成。第1基板10为包含玻璃和/或石英等而形成的光透射性的板状构件。在第1基板10之中的液晶90侧的面上，形成布线层12和多个像素电极16。布线层12为包括多条布线(例如后述的扫描线40及数据线50)和/或多个TFT14的层状的部分。多个像素电极16例如以ITO等的光透射性的导电材料形成于布线层12的面上，与各滤色器26对置地俯视排列为矩阵状。虽然实际上也形成对各像素电极16进行覆盖的取向膜等的要件，但是在图1中为了方便而将图示进行了省略。图2是电光装置100的电构成的说明图。如示于图2地，布线层12包括延伸于X方向的多条扫描线40和延伸于与X方向交叉的Y方向的多条数据线50。在扫描线40与数据线50的各交叉处配置像素30(30R、30G、30B)。如示于图1及图2地，各像素30对应于不相同的多个显示色的任一色。对于对应于红色的像素30R，透射了滤色器26R的红色光进行入射。同样地，绿色光入射于绿色的像素30G，蓝色光入射于蓝色的像素30B。图3是各像素30的电路图。如示于图3地，本实施方式的像素30包括像素电容36和TFT14而构成。像素电容36包括液晶电容32和辅助电容34而构成。液晶电容32为在像素电极16与对置电极24之间夹有液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，具备：第1像素，其包括第1像素电容和控制对于所述第1像素电容的电压的供给及断开的第1开关元件，相应于所述第1像素电容的电压来对第1波长的照射光进行调制，和第2像素，其包括第2像素电容和控制对于所述第2像素电容的电压的供给及断开的第2开关元件，相应于所述第2像素电容的电压来对比所述第1波长长的第2波长的照射光进行调制；所述第1像素电容的电容值比所述第2像素电容的电容值大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.25 JP 2013-0119781.一种电光装置，其特征在于，具备：第1像素，其包括第1像素电容和控制对于所述第1像素电容的电压的供给及断开的第1开关元件，相应于所述第1像素电容的电压来对绿色光进行调制，和第2像素，其包括第2像素电容和控制对于所述第2像素电容的电压的供给及断开的第2开关元件，相应于所述第2像素电容的电压来对红色光进行调制；所述第1像素电容的电容值比所述第2像素电容的电容值大，所述电光装置还具备第3像素，该第3像素包括第3像素电容和控制对于所述第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件，相应于所述第3像素电容的电压来对蓝色光进行调制；所述第3像素电容的电容值与所述第1像素电容的电容值相等。2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：具备第3像素，该第3像素包括第3像素电容和控制对于所述第3像素电容的电压的供给及断开的第3开关元件，相应于所述第3像素电容的电压来对蓝色光进行调制；所述第3像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：川田浩孝，平准一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP