用于制造数字电路的方法和数字电路技术

本发明专利技术涉及用于制造数字电路的方法和数字电路。一种用于制造数字电路的方法被描述，其包括：形成两个场效应晶体管；将场效应晶体管连接，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号在场效应晶体管的阈值电压相等时具有未定义的逻辑状态；以及设定场效应晶体管中的至少一个的阈值电压，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号具有预确定定义的逻辑状态。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 对相关申请的交叉参考 本申请是在2014年4月9日提交的美国专利申请号14/248,375的部分继续申请，其 内容通过引用被整体并入于此。本申请要求在2014年4月28日提交的美国专利申请序号 14/262,830的优先权，并且通过引用被整体并入于此。
本公开设及用于制造数字电路的方法和数字电路。
技术介绍
集成电路（1C)的逆向工程（RE)能够被认为是对半导体工业的最严重威胁之一， 因为它可W被攻击者滥用W窃取和/或盗印电路设计。对集成电路成功地进行逆向工程的 攻击者能够制作和出售类似的即克隆的电路，并且非法出售和泄露设计。 因此，阻碍集成电路的逆向工程的概念和技术是期望的。
技术实现思路
-种用于制造数字电路的方法被提供，其包含；形成两个场效应晶体管；将该场 效应晶体管连接，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号在场效应晶体管的阔值电 压相等时具有未定义的逻辑状态；W及设定场效应晶体管中的至少一个的阔值电压，使得 响应于预确定输入的数字电路的输出信号具有预确定定义的逻辑状态。【附图说明】 在附图中，贯穿不同的视图，同样的参考符号通常指代相同的部分。附图不必成比 例，而是重点通常放在图解本专利技术的原理。在下面描述中，各种方面参考下面附图来描述， 其中： 图1不出流程图。 图2示出数字电路。 图3示出依据实施例的ICBC-X。 图4示出场效应晶体管（阳T)。 图5示出ICBC-X标准单元的示例。 图6不出依据实施例的ICBC-X复用器。 图7示出依据另一个实施例的ICBC-X复用器。 图8示出触发器的初始化电路。 图9示出ICBC-X切换触发器电路。 图10示出依据另一个实施例的ICBC-X。 图11示出依据实施例的RSX锁存器。 图12示出依据另一实施例的RSX锁存器。[001引图13示出依据另一实施例的RSX锁存器。 图14示出依据另一实施例的RSX锁存器。 图 15 示出DFTG1500。 图16示出依据另一实施例的RSX锁存器1600。 图17示出反相器1701和TIE单元1702。 图18示出借助于反相器实施的依据实施例的位单元1800。 图19示出借助于TIE单元实施的依据实施例的位单元1900。图20示出借助于反相器和TIE单元两者实施的依据实施例的位单元2000。 图21示出图解图5的ICBC-X标准单元500的非局域的实施方式的ICBC-X 单元2100。 图22示出基于或非（NOR)的RS触发器2200。[002引 图23示出基于或非的ICBC-X2300的示例，该基于或非的ICBC-X2300能够 被视为是基于图22的基于或非的RS触发器。 图24示出图解图23的ICBC-X2300的非局域的版本的ICBC-X2400电路。【具体实施方式】 下面的详细描述参考附图，附图通过图解的方式示出其中可W实施本专利技术的本公 开的特定细节和方面。在不脱离本专利技术的范围情况下，可W利用其它方面并且可W做出结 构、逻辑、和电气的改变。本公开的各种方面不必相互排斥，因为本公开的一些方面能够与 本公开的一个或多个其它方面组合W形成新的方面。 通过部署伪装的电路能够阻止逆向工程。然而，该些典型地要求像渗杂轮廓修改、 伪接触或通孔的工艺技术扩展和/或需要显著增加的面积和能量消耗。因此，该些措施对 于大量产品而言经常太昂贵。 在下面，描述用于制造电路的方法，其高效地允许增加对于例如在巧片上的电路 的成功逆向工程所必要的努力。 图1示出流程图100。 流程图100图解用于制造数字电路的方法。在101中，形成两个场效应晶体管。 在102中，将场效应晶体管连接，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号 在场效应晶体管的阔值电压相等时具有未定义的逻辑状态巧日例如物理上亚稳的状态)。 在103中，场效应晶体管的至少一个的阔值电压被设定，使得响应于预确定输入 的数字电路的输出信号具有预确定定义的逻辑状态。 换句话说，依据一个实施例，电路的亚稳状态通过相应地设定电路的两个晶体管 的阔值电压被移动到预定义稳定的状态。阔值电压可W例如通过场效应晶体管的区域(例 如沟道区域）的特定渗杂来设定。例如，两个场效应晶体管可W被不同地渗杂。 该方法可W进一步包含形成用于表示数字电路的逻辑状态的信号的输出。 依据一个实施例，该方法包含形成进一步电路部件和用于向进一步电路部件提供 信号的连接。 例如，进一步电路部件是逻辑口。 进一步电路部件可W是触发器。 依据一个实施例，两个场效应晶体管都是n沟道场效应晶体管或两个场效应晶体 管都是P沟道场效应晶体管。 场效应晶体管例如是M0S阳T。 依据一个实施例，该方法包含形成两个竞争路径，其中竞争路径中的一个包含场 效应晶体管中的一个并且另一个竞争路径包含场效应晶体管中的另一个。 例如，该方法包含形成竞争路径使得逻辑状态取决于两个竞争路径的竞争的结 果。 该方法可W进一步包含；形成竞争路径的每个W包含多个场效应晶体管，并且设 定场效应晶体管的阔值电压使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号具有预确定定 义的逻辑状态。 依据一个实施例，该方法包含WCMOS技术形成多个场效应晶体管。 预确定定义的逻辑状态例如是逻辑0或逻辑1。 依据一个实施例，数字电路是触发器，例如RS触发器。 依据一个实施例，场效应晶体管基本上具有相同的尺寸。 依据一个实施例，预确定输入是输入控制信号。 依据另一个实施例，预确定输入是用于数字电路的供给电压。 依据一个实施例，该方法包括：形成集成电路中的两个子电路，使得另一个数字电 路处于两个子电路之间；并且连接该子电路W形成数字电路(在集成电路内）。 例如，数字电路实施逻辑口并且另一个数字电路实施另一个逻辑口。 两个场效应晶体管例如属于两个子电路的相同子电路或两个子电路的不同子电 路。 每个子电路可W包括一个或多个场效应晶体管。 例如，每个子电路包括一个或多个反相器或TIE单元。 依据在图1中图解的方法制造的电路的示例被图解在图2中。 图2示出数字电路200。 数字电路200包含两个场效应晶体管201、202,其被连接成使得响应于预确定输 入的数字电路的输出信号在场效应晶体管的阔值电压相等时具有未定义的逻辑状态。[006引场效应晶体管的阔值电压相差至少lOmV，使得响应于预确定输入的数字电路的输 出信号具有预确定定义的逻辑状态。 依据各种实施例，场效应晶体管的阔值电压相差至少20mV、至少30mV或至少 50mV。 应当注意的是，利用参考图1描述的方法在上下文中描述的实施例针对数字电路 200是类似有效的并且反之亦然。 在下面，实施例被更详细地描述。 依据一个实施例，数字电路被提供，其被称为无法区分但互补的位单元（ICBC)。它 能够被提供为两种类型ICBC- 1和ICBC- 0中的一个，其通常被缩写为ICBC-X。ICBC-X是n，该口通过分别输出稳健的逻辑1(ICBC- 1)或稳健的逻辑0(ICBC- 0)来响应 于适当的挑战（即预确定输入)，但不能够典型地借助于巧片卡控制器和安全1C的逆向工程 (RE)和其它典型分析方法(即对巧片卡控制器和安全IC的攻击）来区分。响应于预确定输 入的数字电路的输出值因此能够被视为电路的布尔秘密。 ICBC-X本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造数字电路的方法，包括：形成两个场效应晶体管；将场效应晶体管连接，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号在场效应晶体管的阈值电压相等时具有未定义的逻辑状态；以及设定场效应晶体管中的至少一个的阈值电压，使得响应于预确定输入的数字电路的输出信号具有预确定定义的逻辑状态。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：B加梅尔，T屈内蒙德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE