本发明专利技术关于一种具有预充电的位线多工器，包括：一位线晶体管、一第一选择晶体管、一第二选择晶体管及一预充电晶体管。该位线晶体管的一栅极连接至一位线。该第一选择晶体管连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第二选择晶体管连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线。该预充电晶体管连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。利用本发明专利技术位线多工器，预充电控制线及该预充电晶体管是在该位线多工器内分别地进行本地(Local)控制，故本发明专利技术的位线多工器可降低功率消耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种位线多工器，尤其是一种具有预充电的位线多工器。
技术介绍
参考图1，其显示只读存储器的系统方块示意图。只读存储器(Read OnlyMemory) 11是用以存储数据或程序等，其通常利用一行解码器12及一列解码器及多工器13读取数据或程序等。该现有只读存储器11是利用全面性(Global)的预充电，导致耗费不必要的功率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种具有预充电的位线多工器，可降低功率消耗。本专利技术的技术方案是提供一种具有预充电的位线多工器，包括:一位线晶体管、一第一选择晶体管、一第二选择晶体管及一预充电晶体管。该位线晶体管的一栅极连接至一位线。该第一选择晶体管连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第二选择晶体管连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线。该预充电晶体管连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。利用本专利技术位线多工器，预充电控制线可在位选择线到达该设定电位的同时或之后，再至该设定电位，亦即预充电控制线及该预充电晶体管是在该位线多工器内分别地进行本地(Local)控制，故本专利技术的位线多工器可降低功率消耗。【附图说明】图1显示只读存储器的系统方块示意图；图2显示本专利技术具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图；图3显示本专利技术具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图；图4显示本专利技术图2的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图；图5显示本专利技术图4的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图；图6显示本专利技术图3的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图；图7显示本专利技术图6的位选择线(BL_sel)、预充电控制线(Pre_BL)、字线(WL)及输出闩锁预充电控制线(Pre_ol)的时序示意图。符号说明:11只读存储器12行解码器13列解码器及多工器20具有预充电的位线多工器21位线晶体管22第一选择晶体管23第二选择晶体管24预充电晶体管25第三选择晶体管30具有预充电的位线多工器31位线晶体管32第一选择晶体管33第二选择晶体管34预充电晶体管35第三选择晶体管41存储单元42 节点43输出闩锁器61存储单元62 节点63输出円锁器211位线晶体管的栅极212位线晶体管的源极213位线晶体管的漏极221 第一选择晶体管的栅极222 第一选择晶体管的源极223 第一选择晶体管的漏极231 第二选择晶体管的栅极232 第二选择晶体管的源极233 第二选择晶体管的漏极241 预充电晶体管的栅极242 预充电晶体管的源极243 预充电晶体管的漏极251 第三选择晶体管的栅极252 第三选择晶体管的源极253 第三选择晶体管的漏极311 位线晶体管的栅极312 位线晶体管的源极313 位线晶体管的漏极321 第一选择晶体管的栅极322 第一选择晶体管的源极323 第一选择晶体管的漏极331第二选择晶体管的栅极332第二选择晶体管的源极333第二选择晶体管的漏极341预充电晶体管的栅极342预充电晶体管的源极343预充电晶体管的漏极351第三选择晶体管的栅极352第三选择晶体管的源极353第三选择晶体管的漏极【具体实施方式】图2显示本专利技术具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图。本专利技术的位线多工器20包括:一位线晶体管21、一第一选择晶体管22、一第二选择晶体管23及一预充电晶体管24。该位线晶体管21的一栅极211连接至一位线(Bit line，BL)。该位线(BL)可为一只读存储器的其中的一位线。该第一选择晶体管22连接该位线晶体管21及一输出端Tout，该第一选择晶体管22的一栅极221连接至一位选择线(BL_sel)。该第二选择晶体管23连接该位线晶体管21及一设定电位端，该第二选择晶体管23的一栅极231连接至该位选择线(BL_sel)。该预充电晶体管24连接至该位线晶体管21及该第二选择晶体管23，该预充电晶体管24的一栅极241连接至一预充电控制线(Pre_BL)。在一实施例中，该位线晶体管21、该第一选择晶体管22、该第二选择晶体管23及该预充电晶体管24为N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)。该位线晶体管21的一源极212连接至该第一选择晶体管22的一漏极223。该第一选择晶体管22的一源极222连接至该输出端Tout。该位线晶体管21的一漏极213连接至该第二选择晶体管23的一源极232。该第二选择晶体管23的一漏极233连接至该设定电位端，在一实施例中，该设定电位端为接地端。该预充电晶体管24的一源极242连接至该位线晶体管21的该栅极211，该预充电晶体管24的一漏极243连接至该位线晶体管21的该漏极213。当位选择线(BL_sel)到达一设定电位时，该第一选择晶体管22及该第二选择晶体管23导通。之后，预充电控制线(Pre_BL)再至该设定电位，使该预充电晶体管24导通。因此，利用本专利技术位线多工器，预充电控制线(Pre_BL)可在位选择线(BL_sel)到达该设定电位的同时或之后，再至该设定电位，亦即预充电控制线(Pre_BL)及该预充电晶体管24是在该位线多工器20内分别地进行本地(Local)控制，并非如现有技术全面性地进行预充电。故本专利技术的位线多工器可降低功率消耗。本专利技术的位线多工器20另包括一第三选择晶体管25，其为P型金属氧化物半导体晶体管，连接该第一选择晶体管22，该第三选择晶体管25的一栅极251连接至该位选择线的一反相线(BL_selb)，该第三选择晶体管25的一源极252连接至该第一选择晶体管22的该源极222，该第三选择晶体管25的一漏极253连接至该第一选择晶体管22的该漏极223。亦即，该第三选择晶体管25与该第一选择晶体管22并联。图3显示本专利技术具有预充电的位线多工器的一实施例的电路示意图。本专利技术的位线多工器30包括:一位线晶体管31、一第一选择晶体管32、一第二选择晶体管33及一预充电晶体管34。该位线晶体管31的一栅极311连接至一位线(BL)。该位线(BL)可为一只读存储器的其中的一位线。该第一选择晶体管32连接该位线晶体管31及一输出端Tout，该第一选择晶体管32的一栅极321连接至一位选择线(BL_sel当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有预充电的位线多工器，其特征在于，所述位线多工器包括：一位线晶体管，其一栅极连接至一位线；一第一选择晶体管，连接该位线晶体管及一输出端，该第一选择晶体管的一栅极连接至一位选择线；一第二选择晶体管，连接该位线晶体管及一设定电位端，该第二选择晶体管的一栅极连接至该位选择线；及一预充电晶体管，连接至该位线晶体管及该第二选择晶体管，该预充电晶体管的一栅极连接至一预充电控制线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张正欣，陈建廷，叶佳楠，
申请(专利权)人：晶宏半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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