本实用新型专利技术公开一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架和设置在支架上的过滤腔，过滤腔的一侧设有进气口，另一侧设有排气口，过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒；所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯，滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道，脉冲反吹管道的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道上，沿进气方向依次设有球阀、脉冲阀和稳压阀；所述过滤腔的排气口处连接有排气管道，排气管道上设有气环真空泵。本实用新型专利技术提供的直拉单晶炉挥发物清扫装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题，同时提高了清扫效率。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于直拉法单晶炉生长单晶硅
，具体涉及一种直拉单晶炉挥发物清扫装置。
技术介绍
目前，半导体及太阳能行业所用硅单晶的主要生长方法是直拉法，此方法用到的设备是单晶炉。把固态块状的多晶硅装入到单晶炉中的石英坩祸中，用单晶炉中的石墨加热器对多晶硅进行加热熔化，炉内温度高达1500 0C，熔化后经过引晶、放肩、等径、收尾、停炉等过程拉制出单晶硅棒，整个过程需要40-60小时，整个过程熔硅中的硅的氧化物、各种掺杂剂的氧化物等持续的挥发出来，沉积到单晶炉的炉壁及石墨热场的各个部件之上，拉晶结束后需要对单晶炉的各部件进行清扫，以便进行下一炉次的生长。另一方面，重掺N型单晶硅的需求日益增多，重掺N型单晶使用的掺杂剂主要有锑，砷，磷三种元素。拉晶过程中该三种物质产生的氧化物是毒有害物质，当单晶硅棒拉制完成后，人员对单晶炉各部件和热场各部件进行清扫时，不当的操作容易造成人员的伤害和环境污染。对单晶炉清扫一般使用简易吸尘器或者袋式除尘器进行，使用一定时间后吸尘器及袋式除尘器的滤芯也需要进行人工清扫，产生二次污染。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，该装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题，同时提高了清扫效率。本技术所采用的技术方案是:一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架和设置在支架上的过滤腔，过滤腔的一侧设有进气口，另一侧设有排气口，过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒；所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯，滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道，脉冲反吹管道的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道上，沿进气方向依次设有球阀、脉冲阀和稳压阀；所述过滤腔的排气口处连接有排气管道，排气管道上设有气环真空泵。进一步优化，所述的水平设置的滤芯共有四个。进一步优化，所述的锥形导流筒的底端通过快脱卡箍连接收尘筒。与现有技术相比，本技术至少具有下述优点及有益效果:本技术提供的单晶炉清扫装置，有效地解决了清扫单晶炉、尤其是重掺杂单晶炉，造成人员伤害和环境污染的问题，同时实现了多台单晶炉同时进行清扫，减小了清扫炉子所需的人力，提高了炉子清扫效率，更最大程度上避免了更换滤芯和更换收尘筒时对人员和环境的危害。【附图说明】图1为本技术的结构示意图；图2为本技术中滤芯的布置结构示意图；附图标记:1、支架，2、过滤腔，3、进气口，4、锥形导流筒，5、收尘筒，6、滤芯，7、脉冲反吹管道，8、球阀，9、脉冲阀，10、稳压阀，11、排气管道，12、气环真空泵，13、快脱卡箍。【具体实施方式】为使本技术的内容更明显易懂，以下结合具体实施例，对本技术进行详细描述。如图所示，一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架I和设置在支架I上的过滤腔2，过滤腔2的一侧设有进气口 3，另一侧设有排气口，过滤腔2的底部依次连接锥形导流筒4和收尘筒5 ;所述过滤腔2的内部水平设置有多个滤芯6，滤芯6的出气口处设有脉冲反吹管道7，脉冲反吹管道7的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道7上，沿进气方向依次设有球阀8、脉冲阀9和稳压阀10 ;所述过滤腔2的排气口处连接有排气管道11，排气管道11上设有气环真空泵12。为了使本技术具有更好的使用效果，所述的水平设置的滤芯6共有四个，所述的锥形导流筒4的底端通过快脱卡箍13连接收尘筒5。本技术方案中，附图中箭头表示挥发物等的流动方向。当单晶炉停炉进行清扫时，启动图中气环真空泵12，把单晶炉挥发物等抽入装置进气口 3，在过滤腔2中，大粒径颗粒石英渣等经过锥形导流筒4进入到收尘筒5中，小粒径颗粒经过滤芯6过滤，洁净的气体经过排气管道11排入大气。当处理一定时间后，压缩空气经过压缩空气管道，经过球阀8、稳压阀10、脉冲阀9，把干燥洁净的压缩空气吹入滤芯6出气口中，对滤芯6进行吹扫，保持滤芯6的洁净，延迟更换滤芯6的时间及延长滤芯6的寿命。当收集一段时间后，通过快脱卡箍13，更换收尘筒5，实现清扫装置的继续运行。本技术所列举的技术方案和实施方式并非是限制，与本技术所列举的技术方案和实施方式等同或者效果相同方案都在本技术所保护的范围内。【主权项】1.一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架(I)和设置在支架(I)上的过滤腔(2)，过滤腔(2)的一侧设有进气口(3)，另一侧设有排气口，过滤腔(2)的底部依次连接锥形导流筒(4)和收尘筒(5)，其特征在于:所述过滤腔(2)的内部水平设置有多个滤芯(6)，滤芯(6)的出气口处设有脉冲反吹管道(7)，脉冲反吹管道(7)的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道(7 )上，沿进气方向依次设有球阀(8 )、脉冲阀(9 )和稳压阀(10 );所述过滤腔(2 )的排气口处连接有排气管道(11)，排气管道(11)上设有气环真空泵(12 )。2.如权利要求1所述的一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，其特征在于:所述的水平设置的滤芯(6)共有四个。3.如权利要求1所述的一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，其特征在于:所述的锥形导流筒(4 )的底端通过快脱卡箍(13 )连接收尘筒(5 )。【专利摘要】本技术公开一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架和设置在支架上的过滤腔，过滤腔的一侧设有进气口，另一侧设有排气口，过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒；所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯，滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道，脉冲反吹管道的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道上，沿进气方向依次设有球阀、脉冲阀和稳压阀；所述过滤腔的排气口处连接有排气管道，排气管道上设有气环真空泵。本技术提供的直拉单晶炉挥发物清扫装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题，同时提高了清扫效率。【IPC分类】C30B15/00【公开号】CN204690160【申请号】CN201520360611【专利技术人】刘要普, 邓德翼, 张明亮, 令狐铁兵, 李中军 【申请人】麦斯克电子材料有限公司【公开日】2015年10月7日【申请日】2015年5月30日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架（1）和设置在支架（1）上的过滤腔（2），过滤腔（2）的一侧设有进气口（3），另一侧设有排气口，过滤腔（2）的底部依次连接锥形导流筒（4）和收尘筒（5），其特征在于：所述过滤腔（2）的内部水平设置有多个滤芯（6），滤芯（6）的出气口处设有脉冲反吹管道（7），脉冲反吹管道（7）的进气端与压缩空气管道连接，且在脉冲反吹管道（7）上，沿进气方向依次设有球阀（8）、脉冲阀（9）和稳压阀（10）；所述过滤腔（2）的排气口处连接有排气管道（11），排气管道（11）上设有气环真空泵（12）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘要普，邓德翼，张明亮，令狐铁兵，李中军，
申请(专利权)人：麦斯克电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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