一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统，由传感器U，与传感器U相连接的线性驱动电路，均与线性驱动电路相连接的电源电路和两级低通滤波放大电路，与两级低通滤波放大电路相连接的比较电路，以及同时与比较电路和电源电路相连接的转换电路组成，其特征在于：在两级低通滤波放大电路与比较电路之间还设置有损耗抑制电路。本发明专利技术设置有损耗抑制电路，该电路可为高灵敏度红外线降低其做功时的损耗，从而使该系统的探测速度更快、更准确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体是指一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统。
技术介绍
由于红外探测技术有其独特的优点从而使其在军事国防和民用领域得到了广泛的研宄和应用，尤其是在军事需求的牵引和相关技术发展的推动下，作为高新技术的红外探测技术在未来的应用将更加广泛，地位更加重要。红外探测器是将不可见的红外辐射能转变成其它易于测量的能量形式的能量转化器，目前红外线探测以经广泛应用于人们生活当中，如人们常用的红外线温度计就是使用红外线探测技术，其给人们带来很大的使利。但是目前所使用的红外线探测系统灵敏度不高并且探测结果不精准，容易使人们造成误判。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的红外线探测系统灵敏度水高且探测结果不精准的缺陷，提供一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统。本专利技术的目的用以下技术方案实现:一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统，由传感器U，与传感器U相连接的线性驱动电路，均与线性驱动电路相连接的电源电路和两级低通滤波放大电路，与两级低通滤波放大电路相连接的比较电路，同时与比较电路和电源电路相连接的转换电路，以及设置在两级低通滤波放大电路与比较电路之间的损耗抑制电路组成；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U2，三极管Q7，三极管Q8，三极管Q9，正极顺次经电阻R30、电阻R20后与三极管Q8的发射极相连接、负极经电阻R29后与两级低通滤波放大电路相连接的极性电容C12，N极经电阻R22后与抑制芯片U2的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D6、电阻R23、极性电容C14后与抑制芯片U2的SENSEl管脚相连接的二极管D5，正极经可熔电阻R18后与三极管Q7的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管Q8的基极相连接的极性电容C13，正极与二极管D5的N极相连接、负极与抑制芯片U2的IN管脚相连接的极性电容C15，P极与抑制芯片U2的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管Q9的基极相连接的二极管D7，负极经电阻R24后与抑制芯片U2的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管Q9的发射极相连接的极性电容C16，P极经极性电容C17后与三极管Q9的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D8后与抑制芯片U2的VDD管脚相连接的二极管D10，以及P极经电阻R27后与三极管Q9的集电极相连接、N极与比较电路相连接的二极管D9组成；所述三极管Q7的发射极与极性电容C14的正极相连接、其集电极则与二极管D5的P极相连接，三极管Q8的集电极接地；所述抑制芯片U2的SENSE2管脚与二极管D6与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管DlO的N极和二极管D9的P极相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U1，三极管Q3，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，正极与传感器U相连接、负极经电阻Rll后与驱动芯片Ul的INl管脚相连接的极性电容C9，一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R13后与三极管Q5的基极相连接的电阻R12，正极与三极管Q3的基极相连接、负极与驱动芯片Ul的INl管脚相连接的极性电容C11，正极与驱动芯片Ul的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端与三极管Q4的基极相连接的电阻R15，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R14，N极与三极管Q3的集电极相连接、P极与三极管Q4的集电极相连接的二极管D3，正相端与三极管Q3的集电极相连接、反相端与三极管Q6集电极相连接的非门K，一端与三极管Q6发射极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q5的发射极相连接的电阻R17，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R17和电阻R16的连接点相连接的二极管D4组成；所述驱动芯片Ul的VCC管脚与三极管Q3的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q4的集电极相连接，三极管Q4的集电极还与三极管Q6的基极相连接、其发射极与三极管Q5的基极相连接，三极管Q5的集电极接地，二极管D4的N极与两级低通滤波放大电路相连接。所述的电源电路由三极管Q1，极性电容C6，极性电容C7，电阻R5，电阻R6组成?’三极管Ql的发射极与二极管D4的N极相连接、其基极经极性电容C6后接地、其集电极经电阻R6后与电源相连接，极性电容C7的正极经电阻R5后与三极管Ql的集电极相连接、负极接地。所述的两级低通滤波放大电路由放大器P1，放大器P2，正极与二极管D4的N极相连接负极接地的极性电容Cl，一端与极性电容Cl的正极相连接、另一端则与放大器Pl的正相输入端相连接的电阻R1，负极与极性电容Cl的负极相连接、正极经电阻R2后与放大器Pl的反相输入端相连接的极性电容C2，串接在放大器Pl反相输入端和输出端之间的极性电容C3，负极与放大器Pl的输出端相连接、正极经电阻R3后与放大器P2的反相输入端相连接的极性电容C4，与电阻R3相并联的电阻R4，以及正极与放大器P2的反相输入端相连接、负极与放大器P2的输出端相连接的极性电容C5组成；所述放大器P2的正相输入端经电阻R29后与电容C12的负极相连接、其输出端则与比较电路相连接。所述的比较电路由放大器P3，放大器P4，三极管Q2，一端与二极管D9的N极相连接、另一端则与放大器P3的正相输入端相连接的电阻R7，P极与三极管Q2的发射极相连接、N极与放大器P4的正相输入端相连接的二极管Dl，串接在放大器P4的反相输入端和输出端之间的极性电容C8，一端与放大器P4的输出端相连接、另一端经电阻R8后与放大器P3的输出端相连接的电阻R9组成；所述的三极管Q2的基极与放大器P2的输出端相连接、集电极与放大器P3的反相输入端相连接，电阻R8和电阻R9的连接点与转换电路相连接。所述的转换电路包括放大器P5，放大器P6，二极管D2，电阻RlO ;二极管D2的P极与放大器P5的输出端相连接、N极与放大器P6的正相输入端相连接，放大器P5的正相输入端与电阻R6相连接、反相输入端与电阻R8和电阻R9的连接点相连接，放大器P6的反相输入端经电阻RlO后接地。为确保本专利技术的使用效果，所述的传感器U为双元件型热释红外线传感器，所述的驱动芯片Ul优选为LM387集成芯片；所述抑制芯片U2为SD42560集成芯片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术设置有损耗抑制电路，该电路可为高灵敏度红外线探测系统提供稳定的电压电流，降低其做功时的损耗，从而使该系统的探测速度更快、更准确。(2)本专利技术采用双元件型热释红外线传感器，使探测系统的接收灵敏度更高、反应更快。(3)本专利技术设置有两级低通滤波放大电路，其能够把传感器接收到的微弱频率信号不失真的放大，从而使探测系统的检测结果更准确。(4)本专利技术设置有线性驱动电路，其可以稳定的驱动探测系统。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的整体结构示意图。图3为本专利技术损耗抑制电路的结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由传感器U，与传感器U相连接的线性驱动电路，均与线性驱动电路相连接的电源电路和两级低通滤波放大电路，与两级低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于损耗抑制的高灵敏度红外线探测系统，由传感器U，与传感器U相连接的线性驱动电路，均与线性驱动电路相连接的电源电路和两级低通滤波放大电路，与两级低通滤波放大电路相连接的比较电路，以及同时与比较电路和电源电路相连接的转换电路组成，其特征在于：在两级低通滤波放大电路与比较电路之间还设置有损耗抑制电路；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U2，三极管Q7，三极管Q8，三极管Q9，正极顺次经电阻R30、电阻R20后与三极管Q8的发射极相连接、负极经电阻R29后与两级低通滤波放大电路相连接的极性电容C12，N极经电阻R22后与抑制芯片U2的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R19、二极管D6、电阻R23、极性电容C14后与抑制芯片U2的SENSE1管脚相连接的二极管D5，正极经可熔电阻R18后与三极管Q7的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管Q8的基极相连接的极性电容C13，正极与二极管D5的N极相连接、负极与抑制芯片U2的IN管脚相连接的极性电容C15，P极与抑制芯片U2的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管Q9的基极相连接的二极管D7，负极经电阻R24后与抑制芯片U2的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管Q9的发射极相连接的极性电容C16，P极经极性电容C17后与三极管Q9的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D8后与抑制芯片U2的VDD管脚相连接的二极管D10，以及P极经电阻R27后与三极管Q9的集电极相连接、N极与比较电路相连接的二极管D9组成；所述三极管Q7的发射极与极性电容C14的正极相连接、其集电极则与二极管D5的P极相连接，三极管Q8的集电极接地；所述抑制芯片U2的SENSE2管脚与二极管D6与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D10的N极和二极管D9的P极相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U1，三极管Q3，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，正极与传感器U相连接、负极经电阻R11后与驱动芯片U1的IN1管脚相连接的极性电容C9，一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R13后与三极管Q5的基极相连接的电阻R12，正极与三极管Q3的基极相连接、负极与驱动芯片U1的IN1管脚相连接的极性电容C11，正极与驱动芯片U1的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端与三极管Q4的基极相连接的电阻R15，一端与三极管Q4的基极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R14，N极与三极管Q3的集电极相连接、P极与三极管Q4的集电极相连接的二极管D3，正相端与三极管Q3的集电极相连接、反相端与三极管Q6集电极相连接的非门K，一端与三极管Q6发射极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q5的发射极相连接的电阻R17，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R17和电阻R16的连接点相连接的二极管D4组成；所述驱动芯片U1的VCC管脚与三极管Q3的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q4的集电极相连接，三极管Q4的集电极还与三极管Q6的基极相连接、其发射极与三极管Q5的基极相连接，三极管Q5的集电极接地，二极管D4的N极与两级低通滤波放大电路相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51