阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有数据线；形成有数据线的衬底基板上形成有第一电极；形成有第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层；形成有第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极；其中，数据线在衬底基板上的正投影落在屏蔽电极在衬底基板上的正投影内，屏蔽电极上形成有至少一个开口，且至少一个开口位于数据线在屏蔽电极的正投影区域内。本发明专利技术通过在屏蔽电极上形成开口，解决了屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，达到了降低数据线的负载的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，显示装置广泛应用于显示领域，现有的显示装置通常可以为薄膜晶体管液晶显示器(英文:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称:TFT-1XD)，TFT-1XD以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。显示装置通常可以包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。图1是相关技术提供的一种阵列基板00的结构示意图，参见图1，阵列基板00包括衬底基板001，衬底基板001上形成有多根数据线002 (图1中仅示出一根)和栅线(图1中未画出)，各个数据线和栅线交叉且绝缘，且相邻的两根数据线002和与该相邻的两根数据线002相交的相邻的两根栅线围成像素区(图1中未画出)，每个像素区内形成有像素电极003和公共电极004，其中，像素电极003可以为板状电极，公共电极004可以为狭缝电极，数据线002与像素电极003位于同一层，公共电极004与数据线002位于不同层，且公共电极004位于数据线002与像素电极003的上方，公共电极004所在层与数据线002所在层之间、数据线002所在层与衬底基板001之间都设置有绝缘层005。由于公共电极004和数据线002位于不同层，公共电极004和数据线002之间存在一定距离，使得数据线002和公共电极004之间形成电场，该电场导致液晶显示装置中位于数据线002上方以及数据线002上方的两侧的液晶分子无法有效偏转，造成显示装置漏光。相关技术中，为了避免数据线002和公共电极004之间形成电场，通常在数据线002上方设置屏蔽电极006来屏蔽数据线002的信号，如图1所示，屏蔽电极006覆盖数据线002在公共电极004所在层的正投影区域，其中，且屏蔽电极006可以与公共电极004连接。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题:在数据线上方设置屏蔽电极后，屏蔽电极的信号会对数据线上的信号产生影响，导致数据线在承受原有负载的基础上，还需要承受由于屏蔽电极的信号的影响产生的负载，因此，数据线的负载较大。
技术实现思路
为了解决屏蔽电极的信号对数据线上的信号产生影响，导致数据线的负载较大的问题，本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括:衬底基板，所述衬底基板上形成有数据线；形成有所述数据线的衬底基板上形成有第一电极；形成有所述第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层；形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极；其中，所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影内，所述屏蔽电极上形成有至少一个开口，且所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内。可选地，所述屏蔽电极与所述第二电极连接。可选地，所述屏蔽电极为长条状结构，一端与所述第二电极连接，另一端与所述第二电极未连接，所述屏蔽电极上与所述第二电极连接的位置处形成有至少一个开口，且所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内。可选地，所述开口的宽度大于或者等于所述数据线的宽度。可选地，所述屏蔽电极与所述第二电极呈一体结构。可选地，所述数据线与所述第一电极位于同一层，所述衬底基板上形成有第二绝缘层；形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述数据线；形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述第一电极。可选地，所述数据线与所述第一电极位于不同层，所述衬底基板上形成有第二绝缘层；形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有所述数据线；形成有所述数据线的衬底基板上形成有第三绝缘层；形成有所述第三绝缘层的衬底基板上形成有所述第一电极。可选地，形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接，源极与所述第一电极或者所述第二电极连接。可选地，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或者，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。可选地，所述狭缝电极的狭缝在所述衬底基板上的正投影的长度方向与所述数据线在所述衬底基板上的正投影的长度方向存在夹角。第二方面，提供一种阵列基板的制造方法，用于制造第一方面或第一方面任一可选方式所述的阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板，所述阵列基板的制造方法包括:在所述衬底基板上形成数据线；在形成有所述数据线的衬底基板上形成第一电极；在形成有所述第一电极的衬底基板上形成第一绝缘层；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成第二电极和屏蔽电极，使所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影内；在所述屏蔽电极上形成至少一个开口，使所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内。可选地，所述屏蔽电极与所述第二电极连接。可选地，所述屏蔽电极为长条状结构，一端与所述第二电极连接，另一端与所述第二电极未连接，所述在所述屏蔽电极上形成至少一个开口，使所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内，包括: 在所述屏蔽电极上与所述第二电极连接的位置处形成至少一个开口，使所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内。可选地，所述开口的宽度大于或者等于所述数据线的宽度。可选地，所述屏蔽电极与所述第二电极呈一体结构。可选地，所述数据线与所述第一电极位于同一层，在所述衬底基板上形成数据线之前，所述阵列基板的制造方法还包括:在所述衬底基板上形成第二绝缘层；所述在所述衬底基板上形成数据线，包括:在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成所述数据线；所述在形成有所述数据线的衬底基板上形成第一电极，包括:在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成所述第一电极。可选地，所述数据线与所述第一电极位于不同层，在所述衬底基板上形成数据线之前，所述阵列基板的制造方法还包括:在所述衬底基板上形成第二绝缘层；所述在所述衬底基板上形成数据线，包括:在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成所述数据线；在形成有所述数据线的衬底基板上形成第一电极之前，所述阵列基板的制造方法还包括:在形成有所述数据线的衬底基板上形成第三绝缘层；所述在形成有所述数据线的衬底基板上形成第一电极，包括:在形成有所述第三绝缘层的衬底基板上形成所述第一电极。可选地，所述阵列基板的制造方法还包括:在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成薄膜晶体管，使所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接，源极与所述第一电极或者所述第二电极连接。可选地，所述第一电极为板状电极，所述第二电极为狭缝电极。可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极；或者，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。可选地，所述狭缝电极的狭缝在所述衬底基板上的正投影的长度方向与所述数据线在所述衬底基板上的正投影的长度方向存在夹角。第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括:第一方面或第一方面任一可选方式所述的阵列基板。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是:本专利技术提供的阵列基板及其制造方法、显示装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有数据线；形成有所述数据线的衬底基板上形成有第一电极；形成有所述第一电极的衬底基板上形成有第一绝缘层；形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成有第二电极和屏蔽电极；其中，所述数据线在所述衬底基板上的正投影落在所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影内，所述屏蔽电极上形成有至少一个开口，且所述至少一个开口位于所述数据线在所述屏蔽电极的正投影区域内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐智坚，陈帅，顾可可，杨妮，胡伟，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85