本实用新型专利技术公开了一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本实用新型专利技术是一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95％左右。改善电场分布，提高终端稳定性和可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体器件
，特别涉及一种高压MOSFET器件的终端结构。
技术介绍
高压MOSFET器件对耐压终端结构和电场分布有较高要求。目前的技术，高压MOSFET器件的终端结构一般是采用平面结，击穿电压只有平行平面结的50%左右，使得现有的MOSFET器件终端结构耐压低，稳定性较差，电场分布不均匀。图1所示是现有技术中平面结终端的剖面示意图。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种高压MOSFET器件的终端结构，以提高MOSFET器件的终端结构的击穿电压。本技术的技术方案是，一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本技术提出一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95%左右。改善电场分布，提供终端稳定性和可靠性。【附图说明】图1是现有技术中平面结终端的剖面示意图。图2是本技术实施例中的终端剖面示意图。图3是本技术实施例中的终端俯视示意图。其中，I为离子注入掩蔽层，2为离子注入区域，3 为 P+区域，4为EPI N型区域，5为P-低浓度区域，6为终端外围，7为终端内侧。【具体实施方式】现有技术中，终端结构的表面电场较强。如图2所示的本技术的高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本技术通过距离变化的掺杂，杂质经过离子注入到掩蔽窗口后再进行扩散，杂质分布是渐变的，来降低表面峰值电场，理论上可以得到最佳的表面电场。该终端的掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔，在离终端内侧是通过条状的掩蔽注入扩散得到高浓度P+区域，在终端外侧通过一些小孔注入扩散得到低浓度P-区域，从终端内侧到外侧P型浓度是逐渐降低的。如图3所示，随距离变化的掩蔽窗口高压MOSFET终端排布结构。掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔。掩蔽窗口条状或者小孔的数量不限，依据最终器件参数要求而变化。掩蔽窗口条状或者小孔的大小和间距是变化的，依据最终器件参数要求而变化。掺杂浓度经过扩散后从终端内侧到外侧是逐渐降低的。本技术可以大大降低表面电场，提高终端结构的稳定性和调高终端耐压。【主权项】1.一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，其特征在于，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。2.如权利要求1所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。3.如权利要求1所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。4.如权利要求3所述的高压MOSFET器件的终端结构，其特征在于，靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。【专利摘要】本技术公开了一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。本技术是一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95％左右。改善电场分布，提高终端稳定性和可靠性。【IPC分类】H01L29/06【公开号】CN204696121【申请号】CN201520429714【专利技术人】陆怀谷 【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司【公开日】2015年10月7日【申请日】2015年6月19日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，其特征在于，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆怀谷，
申请(专利权)人：深圳市谷峰电子有限公司，香港谷峰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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