一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置，由于在阵列基板中各像素区域内的增加了与数据线电连接的、且与公共电极相互绝缘的数据线修复线，并且数据线修复线在衬底基板上的正投影与子电极或连接线在衬底基板上的正投影有重叠区域。因此当阵列基板上的数据线在与栅线的交叠区域发生断裂时，可以将断裂位置两端距离最近的公共电极线与数据线在交叠区域熔接，将数据线修复线与公共电极在交叠区域熔接，再将公共电极进行切割，使两个熔接点电连接，从而使数据线通过数据线修复线以及从公共电极上切割下来的部分连接起来，不需要采用Laser CVD法沉积金属线。因此修复时间较短，并且极大地提高了阵列基板修复的成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤指一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。随着显示面板朝着大尺寸设计发展，在显示面板的制程中，数据线很容易在与栅线交叠的区域容易发生断裂，从而影响信号传输。众所周知，显示面板中只要有一条数据线发生断裂，就会影响显示，从而导致该显示面板报废，从而影响产品良率。因此，对于大尺寸显示面板厂家，通过修复断裂的数据线来提高产品良率是非常重要的。目前，对于在与栅线的交叠区域发生断裂的数据线，主要是采用激光化学气相沉积法(Laser Chemical Vapor Deposit1n，Laser CVD)进行修复，如图1a 所不，阵列基板包括衬底基板1、位于衬底基板I上的栅线2、与栅线2交叉设置的数据线3、位于数据线3上方且与数据线3相互绝缘的公共电极4 ;如图1b所示，当数据线3在与栅线2交叠的区域发生断裂时，首先需要在断裂位置两端位置处且位于数据线3上方的各膜层中打过孔5，然后沿过孔5两侧采用Laser CVD法沉积金属线6使断裂的数据线3连接起来。但是，在采用Laser CVD法进行修复时，存在维修速度慢的修复时间长的缺点，并且在沉积金属线时会存在金属原子扩散的风险，金属原子一旦扩散，会使显示面板中的公共电极与数据线发生短接，从而产生其它像素缺陷问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置，用于提供一种可以避免使用Laser CVD法就可以将断裂的数据线进行修复的阵列基板。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括:衬底基板，位于所述衬底基板上的交叉设置的栅线和数据线，以及公共电极；其中，所述公共电极包括:位于所述栅线和所述数据线所限定的各像素区域内的子电极，与所述栅线的延伸方向相同且用于向所述子电极传输公共电压信号的公共电极线，以及电连接沿所述数据线的延伸方向相邻的两个子电极的连接线；还包括:位于各所述像素区域内的、与所述数据线电连接的、且与所述公共电极相互绝缘的数据线修复线，并且所述数据线修复线在所述衬底基板上的正投影与所述子电极或所述连接线在所述衬底基板上的正投影有重叠区域。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述数据线修复线在所述衬底基板的正投影与所述公共电极线在所述衬底基板的正投影不重叠。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述公共电极线位于所述子电极的一侧，所述数据线修复线位于与所述公共电极线相邻且距离远的栅线与所述公共电极线之间。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，位于所述栅线与所述公共电极线之间的所述数据线修复线设置于靠近所述栅线一侧。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述数据线修复线与位于所述数据线修复线所属的像素区域内的公共电极线平行。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述连接线与所述数据线平行；所述数据线修复线位于所述数据线的一侧，且所述数据线修复线所在一侧为与所述数据线修复线电连接的数据线与相邻的连接线之间的距离近的一侧。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述数据线修复线与所述数据线设置为同层同材料，且所述数据线修复线与所述数据线直接电连接。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:位于所述衬底基板上与所述公共电极相互绝缘的像素电极；所述连接线与所述像素电极设置为同层同材料，且所述连接线通过过孔与对应的子电极电连接。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种显不面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板的修复方法，包括:确定所述阵列基板上数据线发生断路的断裂位置；确定位于所述断裂位置的两侧与所述断裂位置距离最近的公共电极线和与所述断裂位置距离最近的且与所述发生断路的数据线电连接的数据线修复线；针对确定的公共电极线，在所述公共电极线与所述数据线的交叠区选取熔接点，并采用激光熔接技术使熔接点处的公共电极线与数据线电连接；针对确定的数据线修复线，在所述数据线修复线与所述子电极的交叠区域或在所述数据线修复线与所述连接线的交叠区域选取熔接点，并采用激光熔接技术使熔接点处的子电极或连接线与所述数据线修复线电连接；根据确定的所述公共电极线和所述数据线修复线对所述公共电极进行切割，使从所述公共电极中切割出来的部分与剩余的部分绝缘，且从所述公共电极中切割出来的部分电连接所述断裂位置两端的数据线。本专利技术实施例提供的上述阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置，由于在阵列基板中各像素区域内的增加了与数据线电连接的、且与公共电极相互绝缘的数据线修复线，并且数据线修复线在衬底基板上的正投影与子电极或连接线在衬底基板上的正投影有重叠区域，数据线修复线用于当数据线断裂时，与公共电极一起使断裂的数据线的两端导通。因此，当上述阵列基板上的数据线在与栅线的交叠区域发生断裂时，可以将断裂位置两端距离最近的公共电极线与数据线在交叠区域熔接，以及将数据线修复线与公共电极在交叠区域熔接，再将公共电极进行切割，使两个熔接点电连接，从而使数据线断裂的两端通过数据线修复线以及从公共电极上切割下来的部分连接起来。即采用数据线修复线和部分公共电极作为连接断裂的数据线的介质，从而不需要再采用Laser CVD法沉积金属线，因此，修复时间较短，并且极大地提高了阵列基板修复的成功率。【附图说明】图1a为现有的阵列基板在修复之前的结构示意图；图1b为现有的阵列基板在修复之后的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；图3a为图2所示的阵列基板在数据线发生断裂后进行修复的演示图；图3b为图2所示的阵列基板在数据线发生断裂后修复以后的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之二 ；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的修复方法的流程示意图；图6为本专利技术实施例二提供的阵列基板在数据线发生断裂后进行修复的演示图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。附图中各部件的大小和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，如图2所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上的交叉设置的栅线02和数据线03，以及公共电极04 ;其中，公共电极04包括:位于栅线02和数据线03所限定的各像素区域内的子电极041，与栅线02的延伸方向相同且用于向子电极传输公共电压信号的公共电极线042，以及电连接沿数据线03的延伸方向相邻的两个子电极04当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的交叉设置的栅线和数据线，以及公共电极；其中，所述公共电极包括：位于所述栅线和所述数据线所限定的各像素区域内的子电极，与所述栅线的延伸方向相同且用于向所述子电极传输公共电压信号的公共电极线，以及电连接沿所述数据线的延伸方向相邻的两个子电极的连接线；其特征在于，还包括：位于各所述像素区域内的、与所述数据线电连接的、且与所述公共电极相互绝缘的数据线修复线，并且所述数据线修复线在所述衬底基板上的正投影与所述子电极或所述连接线在所述衬底基板上的正投影有重叠区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：华明，刘国全，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34