一种金属-绝缘体-金属电容结构制造技术

本发明专利技术涉及一种金属-绝缘体-金属电容结构，包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质，其中所述上极板和所述下极板为具有多个间隔设置部分的非平面板状结构。其中所述电容结构选用金属层-绝缘层-金属层的结构，在所述结构中所述上极板和所述下极板不再选用大面积的板状结构，而是由多个部分相互连接而成，从而避免了在所述电容上方形成介电层时形成山脊状突起（hill-shape）的问题，而且所述多个部分之间相互间隔设置，在所述电容结构的上方形成层间介电层时不会形成凸起，在形成通孔或者其他图案时不会引起缺陷，可以提高器件的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种金属-绝缘体-金属电容结构。
技术介绍
随着对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。随着半导体技术的不断发展集成电路以及大型的集成电路得到广泛的应用，组成集成电路的元器件中可以是无源的或者是有源的，当所述元器件为无源器件时成为集成无源器件(integrated passive device, IPD), IF1D提供高精度电容及高性能电感等无源器件的集成，目前在射频上的应用成为新热点。所述无源器件中包括金属-绝缘层-金属电容，金属-绝缘层-金属电容由于其性能优越，越来越多的应用与IC中，现有技术中所述的金属-绝缘层-金属电容结构如图1a所示，所述结构包括金属层101-绝缘层102-金属层103，其中由于所述金属层-绝缘层-金属层电容具有较大金属图案，在电容的上方形成介电层104平坦化之后会在所述电容的上方形成山脊状凸起(hill-shape)，如图1b所示，由于所述山脊状凸起很难在上方形成平整的光刻胶图案，进而产生大量具有缺陷的通孔，如图2所示。因此，现有技术中所述金属层-绝缘层-金属层电容为较大面积而且平坦分布，造成在后续的步骤中容易形成凸起，影响通孔以及其他工艺步骤，造成器件的良率降低，所以需要对现有技术中所述金属层-绝缘层-金属层电容的结构作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种金属-绝缘体-金属电容结构，包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质，其中所述上极板和所述下极板为具有多个间隔设置部分的非平面板状结构。作为优选，所述上极板和所述下极板均包括若干相互嵌套的环状结构，其中所述若干环状结构间隔设置，并且通过水平连接端连接为一体。作为优选，所述上极板和所述下极板均选用平面螺旋结构。作为优选，所述上极板和所述下极板均呈鱼骨状结构。作为优选，所述鱼骨状结构包括中轴、以及位于所述中轴两侧的若干分支。作为优选，所述中轴两侧的若干分支对应设置，其中每侧的所述若干分支间隔设置。作为优选，所述电容结构还进一步包括上通孔和下通孔，其中所述上通孔和所述上极板相连，所述下通孔和所述下极板相连。作为优选，所述上极板和所述下极板选用金属Cu;所述电介质选用SiN。本专利技术还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括上述的电容结构。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种电容结构，包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质，其中所述上极板和所述下极板沿竖直方向的全剖图为若干相互间隔的方形结构。其中所述电容结构选用金属层-绝缘层-金属层的结构，在所述结构中所述上极板和所述下极板不再选用大面积的板状结构，而是由多个部分相互连接而成，从而避免了在所述电容上方形成介电层时形成山脊状突起(hill-shape)的问题，而且所述多个部分之间相互间隔设置，在所述电容结构的上方形成层间介电层时不会形成凸起，在形成通孔或者其他图案时不会引起缺陷，可以提闻器件的良率。【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1b为现有技术中所述电容结构的结构示意图；图2为现有技术中所述电容结构上方形成通孔时产生缺陷的SEM图；图3a_3f为本专利技术的【具体实施方式】中所述电容结构的立体结构示意图以及剖视图。【具体实施方式】在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属‑绝缘体‑金属电容结构，包括上极板、下极板以及位于所述上极板和所述下极板之间的电介质，其中所述上极板和所述下极板为具有多个间隔设置部分的非平面板状结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张贺丰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31