半导体存储器和操作该半导体存储器的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体存储器，该半导体存储器可以包括：库控制信号生成单元，其适用于基于激活命令顺序地生成控制存储库的多个库控制信号；信号检测单元，其适用于在所述库控制信号中检测最先被激活信号和最后被激活信号；以及库启用控制单元，其适用于响应于所述检测的信号而控制所述存储库的激活期。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年3月28日提交的申请号为10-2014-0036528的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请以参阅方式全文并入本申请。
本专利技术的各实施方式涉及一种半导体设计技术，且更具体地，涉及执行刷新操作的半导体存储器。
技术介绍
随着半导体存储器集成度的提高，半导体存储器中字线之间的间隔已被减小。字线间的间隔减小可以导致相邻字线之间的耦合效应的提高。一般来说，每当数据输入至半导体存储器中的存储单元或从半导体存储器中的存储单元输出数据时，连接至存储单元的字线在激活状态(激活操作)和非激活状态(预充电操作)之间切换。由于耦合现象，通过被读取或被编程的字线的重复激活/去活，相邻字线的电压电平可能会不稳定。不稳定的电压电平可能导致联接至相邻字线的存储单元的数据丢失或损坏。这种现象被称为字线干扰(或字线撞击(hammering))。如果字线干扰足够严重，那么存储单元的数据可能在存储单元被刷新前丢失。为了消除这种顾虑，可以执行目标行刷新(TRR)操作。执行TRR操作以防止联接至邻近高度激活的字线的存储单元的单元特征发生劣化。激活操作和预充电操作(即，TRR操作)在对应于被频繁激活字线的目标字线和相邻字线上执行。TRR操作可以刷新劣化的单元数据以保持存储单元在正常的数据水平充电。
技术实现思路
各实施例涉及一种能够根据PVT (工艺、电压和温度)变化控制存储库的半导体存储器。在一个实施例中，半导体存储器可以包括:库控制信号生成单元，其适用于基于激活命令顺序地生成控制存储库的多个库控制信号；信号检测单元，其适用于在库控制信号中检测最先被激活信号和最后被激活信号；以及库启用控制单元，其适用于响应于被检测的信号而控制存储库的激活期。信号检测单元可以包括:设置信号检测器，其适用于将在库控制信号中的最先被激活信号检测为设置信号；和重置信号检测器，其适用于将在库控制信号中的最后被激活信号检测为重置信号。库启用控制单元可以包括SR锁存器，该锁存器适用于响应于设置信号而激活存储库的激活期，并且响应于重置信号而去活存储库的激活期。库启用控制单元可以响应于设置信号和重置信号而输出对应于存储库的激活期的启用信号。半导体存储器还可以包括适用于将库控制信号延迟预定时间的延迟单元。在一个实施例中，半导体存储器可以包括:库控制信号生成单元，其适用于基于激活命令顺序地生成多个库控制信号来控制存储库的刷新操作；信号检测单元，其适用于检测在库控制信号中的最先被激活信号和最后被激活信号；和刷新操作控制单元，其适用于响应于被检测的信号而调整刷新操作执行中的刷新操作期。信号检测单元可以包括:设置信号检测器，其适用于将在库控制信号中的最先被激活信号检测为设置信号；和重置信号检测器，其适用于将在库控制信号中的最后被激活信号检测为重置信号。刷新操作控制单元可以包括SR锁存器，其适用于响应于设置信号而激活刷新操作期，并且响应于重置信号而去活刷新操作期。刷新操作控制单元可以响应于设置信号和重置信号而输出对应于刷新操作期的启用信号。刷新操作期可以包括针对存储库的字线的目标行刷新操作期。刷新操作期可以包括针对存储库的冗余字线的刷新操作期。半导体存储器可以进一步包括适用于将库控制信号延迟预定时间的延迟单元。在一个实施例中，一种操作半导体存储器的方法可以包括:基于激活命令顺序地生成用于控制存储库的多个控制信号；响应于在控制信号中的最先被激活信号生成设置信号；响应于在控制信号中的最后被激活信号生成重置信号；以及在存储库的激活期期间，响应于控制信号而控制存储库，存储库的激活期由设置信号和重置信号限定。 存储库的激活期可以包括针对存储库的字线的刷新操作期。字线的刷新操作期可以包括针对存储库的字线的目标行刷新操作期。操作半导体存储器的方法可以进一步包括将库控制信号延迟预定时间。【附图说明】图1是说明根据本专利技术的实施例的半导体存储器的框图。图2是说明根据本专利技术的另一个实施例的半导体存储器的框图。图3是在图2中所示的冗余启用信号生成单元的细节图。图4A是描述传统半导体存储器的操作的时序图。图4B是描述图2所示的半导体存储器的操作的时序图。【具体实施方式】下文将参照附图更详细地描述各实施例。但是，本专利技术可以以不同的形式实现，并不应被理解为限制于本文所说明的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开全面和完整，并且将向本领域技术人员完整地表达本专利技术的范围。贯穿全文，相同的附图标记指代本专利技术各个附图和实施例中的相同部件。在附图中，为了便于说明，相对于实际的物理厚度和间隔，夸大了部件的厚度和长度。在下文的说明中，会省略已知的相关功能和结构的详细解释以避免不必要地混淆本专利技术的主题。另外，“连接/联接”表示一个部件直接联接至另一个部件或通过其它部件间接联接。在本说明书中，只要在句子中没有特别说明，单数形式可以包括复数形式。另外，在说明书中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示存在或加入一个或更多个部件、步骤、操作和元件。图1是说明根据本专利技术的实施例的半导体存储器的框图。参照图1，半导体存储器可以包括库(即，存储库)110、库控制信号生成单元120、信号检测单元130、库启用控制单元140和延迟单元150。库控制信号生成单元120可以响应于激活命令ACT顺序地生成多个库控制信号 BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3......BKCTRL_N 来控制库 110。库控制信号 BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3……BKCTRL_N可以在库110的激活期期间控制库110。例如，库控制信号BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3……BKCTRL_N可以包括用于在库110的激活期期间选择库的字线的控制信号或用于操作感测放大器的控制信号。此外，库控制信号BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3……BKCTRL_N可以包括用于控制刷新操作的信号或用于控制冗余字线的信号。信号检测单元130可以在由库控制信号生成单元120顺序激活的控制信号BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3……BKCTRL_N中检测出最先被激活信号和最后被激活信号。信号检测单元130可以包括设置信号检测器131和重置信号检测器132。设置信号检测器131 可以在控制信号 BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3......BKCTRL_N中检测出最先被激活信号并且将被检测的信号作为设置信号SET输出，并且重置信号检测器132可以在控制信号BKCTRL_1、BKCTRL_2、BKCTRL_3......BKCTRL_N中检测出最后被激活信号并且将被检测的信号作为重置信号RESET输出。由信号检测器130检测的设置信号SET和重置信号RESET可以被输入至库启用控制单元140。信号检测单元130可以与例如逻辑门和晶体管的各种逻辑电路的组合一起实施。例如，设置信号检测器131可以利用或门响应于最先被激活信号而生成设置信号SET。另夕卜，重置信号检测器132可以利用与门和锁存电路在全部信号被激活时(即响应于最后被激活的信号)而生成重置信号RESET。库启用控制单元140可以响应于激活命令ACT生成库启用信号BK_本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，其包括：库控制信号生成单元，其适用于基于激活命令顺序地生成用于控制存储库的多个库控制信号；信号检测单元，其适用于在所述库控制信号中检测最先被激活信号和最后被激活信号；以及库启用控制单元，其适用于响应于被检测的信号而控制所述存储库的激活期。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳权，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR