晶圆可接受测试结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆可接受测试结构及其形成方法，其中，所述晶圆可接受测试结构包括：介质层及形成于所述介质层中的一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。所述晶圆可接受测试结构的形成方法包括：提供介质层；在所述介质层中形成一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。通过形成于介质层中的一个或者多个电容锁定电荷以进行晶圆电荷测试，由于电容对于电荷的锁定能力非常强，特别的，相对于氧化层或者其他介质层表面的锁定能力要强得多，由此，避免/缓解了电荷随着时间的流逝而逃逸，从而提高了测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种。
技术介绍
通常晶圆在制造出来之后，在进入后续切割封装之前，需要对其进行拣选测试。通过拣选测试将最小的单元，即晶粒分类，将有缺陷或是不具备正常工作能力的晶粒标注上记号，并在切割晶圆时将这些晶粒过滤出来丢弃。从而避免不良的晶粒进入封装及后续制程，避免成本的无端浪费。拣选测试通常包括晶圆可接受测试(WAT, Wafer AcceptanceTest)和电路探测(CP, Circuit Probe)。WAT检测步骤在完成晶圆前期生产之后，以及在晶圆切割和封装之前，用来保证一旦出现由晶圆前期生产中的差错而使晶粒无法正常工作的情况，可以通过WAT提前将其检测出来，以节约成本。由于WAT所测试的项目中，包含了许多项被破坏测试，如果直接应用于晶粒之上，必会造成对晶粒的破坏，从而影响出厂时的良率，因此通常会在制作晶粒时，在每个晶粒与晶粒之间的空隙，也就是切割道(scribe line)上制作测试结构(test key)。WAT测试就是通过对这些测试结构的检测，从而推断其附近晶粒中元件的工作性能是否完好。通常所说的WAT测试参数是指，对这些元件进行电性能测量所得到的电性参数数据，例如阈值电压、漏极饱和电流等。在WAT检测中，还包括对晶圆电荷的测试。现有技术中，通常通过一氧化层或者其他介质层表面锁定的电荷进行晶圆电荷测试，其结构可参考图1。如图1所示，通过氧化层10表面锁定的电荷11进行晶圆电荷测试。但是，通过这种结构进行晶圆电荷测试存在如下几点问题:1、氧化层或者其他介质层表面锁定的电荷极易随着时间的流逝而逃逸，从而使得测试的准确性不高；2、测试的精度不够高，通常仅能测试10-10V级的电荷；3、这种结构仅能被使用一次，即不能被重复利用。因此，提供一种晶圆可接受测试结构，其能够实现较好的电荷锁定功能等，成了本领域技术人员所要解决的一大难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以解决现有技术中的晶圆可接受测试结构锁定的电荷极易随着时间的流逝而逃逸，从而使得测试的准确性不高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆可接受测试结构，所述晶圆可接受测试结构包括:介质层及形成于所述介质层中的一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，还包括形成于所述介质层上的Ti层和TiN 层。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，每个电容包括上金属电极、下金属电极及位于上金属电极和下金属电极之间的介质隔离结构，其中，所述上金属电极靠近所述Ti层和TiN层。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，所述上金属电极为TaN层。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，所述下金属电极为铜金属线或者铝金属线。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，所述介质隔离结构为氧化硅层。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，所述介质层中还形成有多个接触孔，所述多个接触孔中填充有金属铝。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构中，所述介质层的材料为氧化硅。本专利技术还提供一种晶圆可接受测试结构的形成方法，所述晶圆可接受测试结构的形成方法包括:提供介质层；在所述介质层中形成一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构的形成方法中，在所述介质层中形成一个或者多个电容之后，还包括:在所述介质层中形成多个接触孔，在每个接触孔中填充金属铝。可选的，在所述的晶圆可接受测试结构的形成方法中，在所述介质层中形成多个接触孔，在每个接触孔中填充金属铝之后，还包括:在所述介质层及接触孔表面形成Ti层和TiN层，其中，每个接触孔表面的Ti层和TiN层相互隔尚。在本专利技术提供的中，通过形成于介质层中的一个或者多个电容锁定电荷以进行晶圆电荷测试，由于电容对于电荷的锁定能力非常强，特别的，相对于氧化层或者其他介质层表面的锁定能力要强得多，由此，避免/缓解了电荷随着时间的流逝而逃逸，从而提高了测试的准确性。【附图说明】图1是现有技术中进行晶圆电荷测试的晶圆可接受测试结构的示意图；图2是本专利技术实施例的晶圆可接受测试结构的一示意图；图3是本专利技术实施例的晶圆可接受测试结构的另一示意图。【具体实施方式】以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，通过形成于介质层中的一个或者多个电容锁定电荷以进行晶圆电荷测试，由于电容对于电荷的锁定能力非常强，特别的，相对于氧化层或者其他介质层表面的锁定能力要强得多，由此，避免/缓解了电荷随着时间的流逝而逃逸，从而提高了测试的准确性。具体的，请参考图2，其为本专利技术实施例的晶圆可接受测试结构的一示意图。如图2所示，所述晶圆可接受测试结构包括:介质层20及形成于所述介质层20中的一个或者多个电容21，每个电容21用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。图2示出了一种晶圆可接受测试结构的通用形态，或者说是一种最基本、最理想化的形态。即包括一介质层20，所述介质层20中形成有多组金属条，每组金属条中包括两根金属条，每组金属条中的两根金属条由介质隔离结构予以隔离，从而形成一种MIM结构(金属-介质层-金属)，即形成电容结构。并通过此电容结构锁定电荷。进一步的，每个电容21的上电极及下电极均通过一金属线连接至介质层20表面，从而易于接收介质层20表面的电荷。通过形成于介质层中的一个或者多个电容锁定电荷以进行晶圆电荷测试，由于电容对于电荷的锁定能力非常强，特别的，相对于氧化层或者其他介质层表面的锁定能力要强得多，由此，避免/缓解了当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆可接受测试结构，其特征在于，包括：介质层及形成于所述介质层中的一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：傅俊，陆志卿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31