本发明专利技术公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有遮光金属层和数据线，所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层，所述遮光层的上方对应位置设置有第二栅线，所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。本实施例提供的第一栅线与第二栅线对应设置，以使不同层的第一栅线与第二栅线位于同一位置，从而可以节省一条栅线的面积，提高了开口率，降低了功耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
现有的显示技术中，液晶显示器可以说是最为成熟的技术，例如，日常生活中常见的手机、数码相机、摄影机、电视机、笔记本等产品都是液晶显示器。随着人们对显示画面的品质要求的提高，高PPI (Pixels Per Inch，每英寸像素数目)的显示技术越来越受到重视。因此，现有的低开口率、高功耗的显示技术已经无法满足人们的要求。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术中显示面板的开口率低、功耗高的问题。为此，本专利技术提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有遮光金属层和数据线，所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层，所述遮光层的上方对应位置设置有第二栅线，所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。可选的，还包括绝缘层，所述绝缘层包括缓冲层和第一栅绝缘层，所述缓冲层设置在所述遮光层上，所述第一栅绝缘层设置在所述第一栅线上。可选的，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极、第一栅极或者第二栅极，所述有源层的构成材料包括多晶硅、非晶硅或者金属氧化物。可选的，所述遮光层设置在所述衬底基板上，所述有源层设置在所述缓冲层上，所述有源层上设置有第二栅绝缘层，所述第二栅线和第二栅极设置在所述第二栅绝缘层上，所述第二栅线和第二栅极上设置有层间介电层，所述层间介电层上设置有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。可选的，所述第一栅线和第一栅极设置在所述衬底基板上，所述有源层设置在所述第一栅绝缘层上，所述有源层上设置有第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层上设置有层间介电层，所述层间介电层上设置有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。本专利技术还提供一种显示基板的制备方法，包括:在衬底基板上形成遮光金属层，所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层；在所述遮光层的上方对应位置形成第二栅线；形成数据线、像素电极和薄膜晶体管，所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。可选的，所述在衬底基板上形成遮光金属层的步骤之后包括:在所述遮光金属层上形成绝缘层，所述绝缘层包括缓冲层和第一栅绝缘层；所述在所述遮光金属层上形成绝缘层的步骤包括:在所述遮光层上形成缓冲层，在所述第一栅线上形成第一栅绝缘层。可选的，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极、第一栅极或者第二栅极，所述有源层的构成材料包括多晶硅、非晶硅或者金属氧化物。可选的，所述在所述遮光层上形成缓冲层的步骤之后包括:在所述缓冲层上形成所述有源层； 在所述有源层上形成第二栅绝缘层；所述在所述遮光层的上方对应位置形成第二栅线的步骤包括:在所述第二栅绝缘层上形成第二栅线的同时，在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极；所述在所述第二栅绝缘层上形成第二栅线的同时，在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极的步骤之后包括:在所述第二栅线和第二栅极上形成层间介电层，所述层间介电层上形成有第一过孔和第二过孔；在所述层间介电层上形成所述源极和所述漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。可选的，所述在衬底基板上形成遮光金属层的步骤包括:在所述衬底基板上形成第一栅线的同时，在所述衬底基板上形成第一栅极；所述在所述第一栅线上形成第一栅绝缘层的步骤之后包括:在所述第一栅绝缘层上形成所述有源层； 在所述有源层上形成第二栅绝缘层；在所述第二栅绝缘层上形成层间介电层，所述层间介电层上形成有第一过孔和第二过孔；在所述层间介电层上形成所述源极和所述漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。本专利技术具有下述有益效果:本专利技术提供的显示基板及其制备方法、显示装置中，所述显示基板包括衬底基板，所述衬底基板上设置有遮光金属层和数据线，所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层，所述遮光层的上方对应位置设置有第二栅线，所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。本专利技术提供的第一栅线与第二栅线对应设置，以使不同层的第一栅线与第二栅线位于同一位置，从而可以节省一条栅线的面积，提高了开口率，降低了功耗。【附图说明】图1为本专利技术实施例一提供的显示面板的一种结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的显示面板的另一种结构示意图；图3为本专利技术实施例二提供的显示面板的一种结构示意图；图4为本专利技术实施例二提供的显示面板的另一种结构示意图；图5为本专利技术实施例四提供的显示基板的制备方法的流程图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的显示面板的一种结构示意图，图2为本专利技术实施例一提供的显不面板的另一种结构不意图。如图1和图2所不，所述显不基板包括衬底基板100，所述衬底基板100上设置有遮光金属层和数据线，所述遮光金属层包括第一栅线101和遮光层103，所述遮光层103的上方对应位置设置有第二栅线102。所述第一栅线101、第二栅线102和数据线限定的像素单元包括像素电极104和薄膜晶体管。所述显示面板的第一栅线与第二栅线对应设置，以使不同层的第一栅线与第二栅线位于同一位置，从而可以节省一条栅线的面积，提高了开口率，降低了功耗。本实施例中，所述显示面板还包括绝缘层，所述绝缘层的构成材料包括氮化硅SiNx或者氧化硅Si02。可选的，对所述绝缘层进行脱氢处理，以不影响设置在所述绝缘层上有源层的半导体特性。所述绝缘层包括缓冲层105和第一栅绝缘层106，所述缓冲层105设置在所述遮光层103上，当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有遮光金属层和数据线，所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层，所述遮光层的上方对应位置设置有第二栅线，所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵利军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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