本发明专利技术属于毫米波圆极化天线设计和制造的技术领域，用以解决现有的毫米波圆极化天线难以兼顾宽频带、高效率与组阵的问题，提供一种宽带圆极化平板阵列天线。本发明专利技术采用一种新颖的90°相位延迟线对十字槽进行馈电结构，在十字槽的上方增加的四个寄生贴片用于提高天线单元的增益并改善3dB轴比带宽，设计的90°相位延迟线具有三个独立的枝节，分别用于相位延迟，幅度补偿和匹配调节；并在带状线旁设计一组短路金属孔有效地抑制了TEM模在馈电网络区域外的传播，大大降低了单元互耦，保证了阵列组阵性能；且本发明专利技术天线采用多层PCB板加工，具有低成本的优势，适合毫米波大规模圆极化阵列组阵，解决了毫米波频段上圆极化天线效率与轴比带宽难以兼顾的难题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于毫米波圆极化天线设计和制造的
，特别涉及一种宽带圆极化毫米波平板阵列天线。
技术介绍
在无线通信系统中，圆极化工作模式具有抗多径效应，并且相比于线极化，不需要极化调整装置。随着无线通信频率的提高，毫米波圆极化天线的应用需求日趋强烈。圆极化天线的实现方式主要有单馈，多馈和外加圆极化器三种方式。单馈天线馈电网络简单，容易实现紧凑、高效率的阵列，缺点是单馈圆极化天线的3dB轴比带宽通常较窄；多馈天线利用宽带电桥或巴伦通过矢量合成的方式实现圆极化，相比于传统的单馈天线，极大地改善了 3dB轴比带宽，缺点是馈电网络复杂，阵列布局困难，尤其在毫米波频段应用时；外加圆极化器比较容易实现从线极化到圆极化的转换，并且可以通过多层结构来展宽工作带宽，缺点是外加的部件增加了天线的插入损耗和纵向尺寸，不利于平面集成。由于单馈圆极化天线结构紧凑，容易实现大规模阵列排布，因此非常适合用于对尺寸要求严格的毫米波阵列。为了解决单馈圆极化天线窄带的问题，近年来一些研宄人员利用结构和工艺上的改进实现了一些宽带单馈圆极化阵列天线例如，文献“Printed Planar 8 X 8Array Antenna with Circular Polarizat1nfor Millimete r-ffave Applicat1n，，(A.D.Nesic, and D.A.Nesic, IEEE Antennas andWireless Propaga t1n Letters, vol.11, pp.744-747, 2012)提出了一种工作在 60GHz 的圆极化天线，由印制电路板(PCB)制作而成，其包含一个介质层和两个金属覆铜层。辐射单元为一对开口金属圆环，分别位于上，下金属覆铜层，背靠背排列。一对差分平衡馈电微带线分别刻蚀在上、下金属覆铜层上，与开口圆环相连。介质层为上、下金属覆铜层的辐射单元和馈电网络提供支撑。该结构馈电网络紧凑，实测的8X8元阵列的3dB轴比带宽可达25%，缺点是天线效率低，实测结果仅为20%。又如，文献“Axial rat1 bandwidth enhancement of 6O-GHz substrateintegrated wavegu ide-fed circularly polarized LTCC antenna array，，(YueLi,Zhi Ning Chen, Xianming Qing, Zhijun Zhang, Junfeng Xu, and Zhenghe Feng, IEEETransact1ns on Antennas and Propa gat1n, vol.60, n0.10, pp.4619-4626, Oct.2012.)也提出了一种适用于毫米波频段的圆极化阵列天线。该结构使用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制作，包含八层金属覆铜层和二十层介质层。辐射单元为加载SIW谐振腔的金属贴片，由第一层金属覆铜层、第二金属覆铜层和位于1-5介质层内的金属化孔制作而成；第二金属覆铜层、第三金属覆铜层和位于6-10介质层内的金属化孔构成SIW反相功分网络，其中馈电槽刻蚀在第二金属覆铜层上，耦合槽刻蚀在第三金属覆铜层上，一个耦合槽对两个背靠背的馈电槽馈电；第三覆铜层、第七覆铜层和位于11-18介质层内的金属化孔构成SIW功分网络；第四、第五、第六、第八覆铜层和位于11-20介质层内的金属化孔用于制作SIW到标准矩形波导的过渡。天线采用并馈网络并且加载SIW谐振腔用于提高工作带宽。制作的4X4元阵列的3dB轴比带宽为10.7%，然而实测增益平均值为15dBi，天线带内增益波动大，效率低。从现有报道可以发现，虽然在毫米波频段可以通过改进结构设计或工艺手段来实现宽带圆极化，但并没有很好地解决高效率和宽频带之间的矛盾，要同时实现毫米波圆极化阵列天线的平面化、高效率和宽频带特性，困难较大。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的毫米波圆极化天线难以兼顾宽频带、高效率与组阵的问题，提供一种宽带圆极化平板阵列天线。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是:一种宽带圆极化平板阵列天线，其特征在于，从上往下依次层叠第一金属覆铜层1、第一介质层5、第二金属覆铜层2、第二介质层6、第三金属覆铜层3、第三介质层7、第四介质层8、第四金属覆铜层4 ;第一金属覆铜层I上刻蚀微带辐射单元11和SIW短路块12 ;第一介质层5内分布贯穿其中且两端分别与第一金属覆铜层I和第二金属覆铜层2相连的第一类金属化孔51，该金属化孔位于SIW短路块12的正下方、呈矩形排布；第二金属覆铜层2上刻蚀十字槽21和矩形窗口 22 ;第三金属覆铜层3上刻蚀带状线馈电网络31 ;第四金属覆铜层4为地板，其上刻蚀矩形波导口 41 ;贯穿第二金属覆铜层2、第二介质层6、第三金属覆铜层3、第三介质层7、第四介质层8和第四金属覆铜层4设有第二类金属化孔91和第三类金属化孔92，所述第三类金属化孔92垂直对应于第一类金属化孔51排布、并相互导通，共同与SIW短路块12、矩形窗口 22、矩形波导口 41构成SIW矩形腔；所述第二类金属化孔91与微带辐射单元垂直对应排布。所述带状线馈电网络31由90°相位延迟线311，一组并馈级联T型功分器312和耦合探针313组成，阵列的规模决定T型功分器312的数量。所述90°相位延迟线311由切角弯传输线3111、匹配枝节3112、幅度补偿枝节3113和第一、第二相位延迟枝节3114、3115组成；其中，匹配枝节3112的长度用于优化调节天线的回波损耗，幅度补偿枝节3113的长度用于优化调节EX和EY的相对幅度值，相位延迟枝节3114和3115用于优化调节EY和EY的相对相位差；相位延迟枝节3114和3115可以等长、也可以不等长，相比于普通的相位延迟线，不等长度平行延迟线具有更大的相位调节自由度。所述微带辐射单元11由四个寄生贴片111构成，寄生贴片的作用是提高单元增益和3dB轴比带宽；寄生贴片的形状为矩形贴片，三角贴片，方环、方形开口环或四分之一圆，且寄生贴片朝向十字槽的两边平行于十字槽，其尺寸使得谐振频率落在工作频带内，配合延迟线口径耦合馈电结构实现圆极化；所述第二类金属化孔91与每个寄生贴片111中心垂直——对应排布。所述十字槽的长度为λ J1、λ g为波导波长，宽度为1/6?1/10槽长度。所述微带辐射单元11的边长初值选为\抓Aci为自由空间波长，寄生贴片111的间隙约为两倍于十字槽21的宽度。所述第二介质层6、第四介质层8用于支持相邻的金属覆铜层；所述第三介质层7为半固化片，用于层间高精度粘接。另外，本专利技术宽带圆极化平板阵列天线接口为波导接口，带状线转波导的过渡由SIW矩形谐振腔10和耦合探针313组成；SIW的矩形谐振腔上开有一个小的矩形窗，耦合探针313通过矩形窗将能量从带状线馈入波导，矩形窗尺寸的选择原则是抑制波导模式。天线可以使用多层PCB工艺或LTCC工艺制作。本专利技术的有益效果:本专利技术的方案采用一种新颖的90°相位延迟线对十字槽进行馈电结构，在十字槽的上方增加的四个寄生贴片用于提高天线单元的增益并改善3dB轴比带宽。设计的90°相位延迟线具有三个独立的枝节，分别用于相本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种宽带圆极化平板阵列天线，其特征在于，从上往下依次层叠第一金属覆铜层(1)、第一介质层(5)、第二金属覆铜层(2)、第二介质层(6)、第三金属覆铜层(3)、第三介质层(7)、第四介质层(8)、第四金属覆铜层(4)；第一金属覆铜层(1)上刻蚀微带辐射单元(11)和SIW短路块(12)；第一介质层(5)内分布贯穿其中且两端分别与第一金属覆铜层(1)和第二金属覆铜层(2)相连的第一类金属化孔(51)，该金属化孔位于SIW短路块(12)的正下方、呈矩形排布；第二金属覆铜层(2)上刻蚀十字槽(21)和矩形窗口(22)；第三金属覆铜层(3)上刻蚀有带状线馈电网络(31)；第四金属覆铜层(4)为地板，其上刻蚀矩形波导口(41)；贯穿第二金属覆铜层(2)、第二介质层(6)、第三金属覆铜层(3)、第三介质层(7)、第四介质层(8)和第四金属覆铜层(4)设有第二类金属化孔(91)和第三类金属化孔(92)，所述第三类金属化孔(92)垂直对应于第一类金属化孔(51)排布、并共同与SIW短路块(12)、矩形窗口(22)、矩形波导口(41)构成SIW矩形腔；所述第二类金属化孔(91)与微带辐射单元垂直对应排布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程钰间，吴杰，刘小亮，薛飞，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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