BOA型液晶显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供BOA型液晶显示面板及其制作方法。该BOA型液晶显示面板设置TFT(T)整体位于第一黑色矩阵(12)上，进一步地，在TFT(T)与钝化保护层(18)之间设置第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)，能够遮挡来自于阵列基板(1)下方的背光模组射向有源层(14)的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层(14)的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。该BOA型液晶显示面板的制作方法，一方面能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，一方面节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种BOA型液晶显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括背光模组(backlight module)及结合与背光模组上的液晶显示面板。薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-1XD)中的液晶显示面板一般是由彩膜基板(Color Filter, CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。阵列基板中的重要组成部分薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是一种由半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管，其中的有源层(Active Layer)对光线非常敏感，微小的光强变化也会影响TFT器件的特性，即在TFT导通时，即使受到微弱光线的照射，对应于源极与漏极之间的有源层中会产生光漏电流(Photo 1ff)，随着Photo 1ff的增加，TFT器件的特性会显著下降，导致IXD显示时出现图像串扰(Cross talk)、闪烁(Flicker)以及残像等问题，影响显示画面质量。如图1所示，传统的液晶显示面板包括相对设置的阵列基板100与彩膜基板200、及夹设于二者之间的液晶层300。在阵列基板100 —侧自下而上依次设置有下基板110、栅极120、栅极绝缘层130、有源层140、源/漏极150、钝化保护层160、及像素电极170等，所述栅极120、栅极绝缘层130、有源层140、及源/漏极150构成TFT ;在彩膜基板200 —侧则设置上基板210、黑色矩阵220 (Black Matrix, BM)、色阻层230、及公共电极240等。不透光的BM220设置于彩膜基板200 —侧，即“BM On CF”，且BM220对应位于TFT、栅线(Gateline)以及数据线(Data line)上方，用来遮挡TFT、Gate Line、以及Data Line位置处的的漏光，保持显示品质。然而这种“BM On CF”型的液晶显示面板无法遮挡来自于阵列基板100下方的背光模组射向有源层140的光线，从而不可避免的会产生光漏电流，影响TFT器件的性能及画面显示品质。另外，在将阵列基板100与彩膜基板200对组的工艺中，BM220很难与TFT、Gate Line、以及Data Line精准对位，同时，制作液晶显示面板所需的掩模板数量较多，制程时间较长，生产成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种BOA型液晶显示面板，能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。本专利技术的目的还在于提供一种BOA型液晶显示面板的制作方法，一方面能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质，一方面节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种BOA型液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板与彩膜基板、及夹设于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层；所述阵列基板包括下基板、设于下基板上的第一黑色矩阵、整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT、覆盖所述TFT、第一黑色矩阵与下基板的钝化保护层、以及设于所述钝化保护层上且与TFT的源/漏极接触的像素电极；所述彩膜基板包括上基板、设于所述上基板面向阵列基板一侧的色阻层、及覆盖所述色阻层与上基板的公共电极。还包括设于TFT与钝化保护层之间的第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT。所述TFT为顶栅型结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵上的源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极。可选的，所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触源/漏极。可选的，所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层与第二黑色矩阵的过孔接触源/漏极。本专利技术还提供一种BOA型液晶显示面板的制作方法，在阵列基板一侧的下基板上制作出第一黑色矩阵后，制作整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT ;在彩膜基板一侧制作色阻层与公共电极。在TFT上再制作第二黑色矩阵，使得第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT ;且制作所述第一黑色矩阵与第二黑色矩阵使用同一掩模板。可选的，所述BOA型液晶显示面板的制作方法包括如下步骤:步骤1、提供一下基板，在所述下基板上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵；步骤2、在所述第一黑色矩阵与下基板上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵上的源/漏极；步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极与第一黑色矩阵上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极与第一黑色矩阵上的有源层、栅极绝缘层、及栅极；所述源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极构成TFT ;步骤4、通过化学气相沉积工艺在所述TFT与下基板上沉积钝化保护层，使用第四道掩模板对所述钝化保护层进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层的过孔，以暴露出部分源/漏极；步骤5、在所述钝化保护层上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极，且像素电极经由所述过孔接触源/漏极，完成阵列基板的制作；步骤6、提供一上基板，在所述上基板上依次制作色阻层、公共电极层，完成彩膜基板的制作；然后将阵列基板与彩膜基板进行对组，在阵列基板与彩膜基板之间灌注液晶分子，形成液晶层，并对阵列基板与彩膜基板进行封装。可选的，所述的BOA型液晶显示面板的制作方法包括如下步骤:步骤1、提供一下基板，在所述下基板上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵；步骤2、在所述第一黑色矩阵与下基板上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵上的源/漏极；步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极与第一黑色矩阵上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极与第一黑色矩阵上的有源层、栅极绝缘层、及栅极；所述源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极构成TFT ;步骤4、在所述TFT与下基板上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵，使得所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT ；当前第1页本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BOA型液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(1)与彩膜基板(2)、及夹设于阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间的液晶层(3)；所述阵列基板(1)包括下基板(11)、设于下基板(11)上的第一黑色矩阵(12)、整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)、第一黑色矩阵(12)与下基板(11)的钝化保护层(18)、以及设于所述钝化保护层(18)上且与TFT(T)的源/漏极(13)接触的像素电极(19)；所述彩膜基板(2)包括上基板(21)、设于所述上基板(21)面向阵列基板(1)一侧的色阻层(22)、及覆盖所述色阻层(22)与上基板(21)的公共电极(23)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44