本实用新型专利技术实施例提供一种MOSFET器件的隔离驱动电路。该电路包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和第二MOSFET的驱动电路，第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻。本实用新型专利技术实施例通过在MOSFET器件的隔离驱动电路的隔离部分的输入端连接低电压控制部分，使单片机向隔离部分的输入端输入低电压导致隔离部分输入端引脚之间导通产生电流时，电流流入低电压控制部分，防止电流流入单片机造成单片机的电流消耗较大。
【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及电力电子驱动应用
，尤其涉及一种MOSFET器件的隔离驱动电路。
技术介绍
金属氧化层半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET)是电压控制类型的器件，按照工作载流电子的极性不同，有N沟道MOSFET和P沟道MOSFET之分。对于MOSFET的驱动电路，由于应用场合需求不同，导致MOSFET的驱动电路结构不同。如图1所示是应用于开关速度不高，P沟道MOSFET端输出电压较高，需要电气隔离的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的结构图，该P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路包括低电压控制部分、隔离部分和P沟道MOSFET驱动部分，其中，低电压控制部分包括限流电阻R3，隔离部分采用光耦G1进行电气隔离，P沟道MOSFET驱动部分包括两个限流电阻R1和R2。如图2所示是应用于开关速度不高，N沟道MOSFET端输出电压较高，需要电气隔离的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的结构图，该N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路包括低电压控制部分、隔离部分和N沟道MOSFET驱动部分，其中，低电压控制部分包括限流电阻R3，隔离部分采用光耦G1进行电气隔离，N沟道MOSFET驱动部分包括两个限流电阻R1和R2。由于N沟道MOSFET或P沟道MOSFET的驱动电路的光耦G1的引脚2即引脚PPSA-CTR直接与单片机相连接，当单片机通过引脚PPSA-CTR向光耦G1的引脚2输入低电压时，光耦G1的引脚1和引脚2之间导通并产生电流，该电流通过引脚PPSA-CTR流入单片机，导致单片机的电流消耗较大。
技术实现思路
本技术实施例提供一种MOSFET器件的隔离驱动电路，以防止单片机的电流消耗较大。本技术实施例的一个方面是提供一种MOSFET器件的隔离驱动电路，包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，其中，所述低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和所述第二MOSFET的驱动电路，所述第一限流电阻的一端与所述隔离部分的输入端的第一输入线连接，所述第一限流电阻的另一端与高电压连接，所述第二MOSFET的漏极与所述隔离部分的输入端的第二输入线连接，所述第二MOSFET的源极接地，所述第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻，所述第二限流电阻的一端与所述第二MOSFET的栅极电连接，所述第一滤波电容连接在所述第二MOSFET的漏极和栅极之间，所述第二滤波电容连接在所述第二MOSFET的源极和栅极之间；所述第一MOSFET的栅极与所述隔离部分的输出端的第一输出线连接；所述第一MOSFET的驱动部分包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接在所述第一MOSFET的源极和栅极之间，所述第二电阻的一端与所述隔离部分的输出端的第二输出线连接。本技术实施例提供的MOSFET器件的隔离驱动电路，通过在MOSFET器件的隔离驱动电路的隔离部分的输入端连接低电压控制部分，使单片机向隔离部分的输入端输入低电压导致隔离部分输入端引脚之间导通产生电流时，电流流入低电压控制部分，防止电流流入单片机造成单片机的电流消耗较大。附图说明图1为现有技术中的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图2为现有技术中的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图3为本技术实施例提供的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图4为本技术实施例提供的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图5为本技术另一实施例提供的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图6为本技术另一实施例提供的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图7为本技术另一实施例提供的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图8为本技术另一实施例提供的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图9为本技术另一实施例提供的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图；图10为本技术另一实施例提供的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图。具体实施方式图3为本技术实施例提供的P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图。如图3所示，P沟道MOSFET器件的隔离驱动电路包括低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，所述低电压控制部分包括第一限流电阻R3、第二MOSFET NMOS1和所述第二MOSFET的驱动电路，第一限流电阻R3的一端与隔离部分G1的输入端的第一输入线1连接，第一限流电阻R3的另一端与高电压连接，第二MOSFET NMOS1的漏极与隔离部分G1的输入端的第二输入线2连接，第二MOSFET NMOS1的源极接地，第二MOSFET NMOS1的驱动电路包括第一滤波电容C1、第二滤波电容C2和第二限流电阻R4，第二限流电阻R4的一端与第二MOSFET NMOS1的栅极电连接，第一滤波电容C1连接在第二MOSFET NMOS1的漏极和栅极之间，第二滤波电容C2连接在第二MOSFET NMOS1的源极和栅极之间；第一MOSFET PMOS1的栅极与隔离部分G1的输出端的第一输出线4连接；第一MOSFET PMOS1的驱动部分包括第一电阻R1和第二电阻R2，第一电阻R1连接在第一MOSFET PMOS1的源极和栅极之间，第二电阻R2的一端与隔离部分G1的输出端的第二输出线3连接。在本技术实施例中，所述第一MOSFET为P沟道MOSFET，所述第二MOSFET为N沟道MOSFET；第二电阻R2的另一端接地；P沟道MOSFET PMOS1的引脚1为栅极、引脚2为漏极、引脚3为源极，N沟道MOSFET NMOS1的引脚1为栅极、引脚2为漏极、引脚3为源极。第一限流电阻R3用于限定隔离部分G1输入端电流，防止隔离部分G1输入端电流过大减少隔离部分G1寿命,NMOS1用于控制隔离部分G1的开关，并且具有减少控制端PPSA-CTR电流输出的作用。第一滤波电容C1和第二滤波电容C2用来对NMOS1的输入端进行滤波。第二电阻R2起到限流的作用，第一电阻R1除了限流作用之外还具有给PMOS1的栅极充电作用。图4为本技术实施例提供的N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路的电路图。如图4所示，N沟道MOSFET器件的隔离驱动电路包括低电压本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，其中，所述低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和所述第二MOSFET的驱动电路，所述第一限流电阻的一端与所述隔离部分的输入端的第一输入线连接，所述第一限流电阻的另一端与高电压连接，所述第二MOSFET的漏极与所述隔离部分的输入端的第二输入线连接，所述第二MOSFET的源极接地，所述第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻，所述第二限流电阻的一端与所述第二MOSFET的栅极电连接，所述第一滤波电容连接在所述第二MOSFET的漏极和栅极之间，所述第二滤波电容连接在所述第二MOSFET的源极和栅极之间；所述第一MOSFET的栅极与所述隔离部分的输出端的第一输出线连接；所述第一MOSFET的驱动部分包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接在所述第一MOSFET的源极和栅极之间，所述第二电阻的一端与所述隔离部分的输出端的第二输出线连接。
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，包括：低电压控制
部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，其中，
所述低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和所述第二MOSFET
的驱动电路，所述第一限流电阻的一端与所述隔离部分的输入端的第一输入
线连接，所述第一限流电阻的另一端与高电压连接，所述第二MOSFET的漏极
与所述隔离部分的输入端的第二输入线连接，所述第二MOSFET的源极接地，
所述第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电
阻，所述第二限流电阻的一端与所述第二MOSFET的栅极电连接，所述第一滤
波电容连接在所述第二MOSFET的漏极和栅极之间，所述第二滤波电容连接在
所述第二MOSFET的源极和栅极之间；
所述第一MOSFET的栅极与所述隔离部分的输出端的第一输出线连接；
所述第一MOSFET的驱动部分包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连
接在所述第一MOSFET的源极和栅极之间，所述第二电阻的一端与所述隔离部
分的输出端的第二输出线连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，
所述第一MOSFET为P沟道MOSFET，所述第二MOSFET...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴景国，
申请(专利权)人：北车大连电力牵引研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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