一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法技术

本发明专利技术提供了一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，包括：第一步骤：在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤：在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；第三步骤：利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研宄的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。图1示意性地示出了根据现有技术的闪存分栅单元结构。如图1所示，根据现有技术的闪存分栅单元结构包括位于衬底10中的漏极及源极(未具体示出)；源极上方的双栅结构500中依次形成有第一浮栅520、第一控制栅510，漏极的双栅结构600中上方依次形成有第二浮栅620、第二控制栅610 ;所述衬底10上还形成有位于所述第一浮栅和第二浮栅之间的选择栅400 (即字线)；每个闪存分栅单元结构的第一浮栅520、第一控制栅510、第二浮栅620和第二控制栅610与所述选择栅之间还形成有一层氧化层700，以便进行隔离。在根据现有技术的闪存制造过程中，在制造的某个过程中，会首先布置控制栅隔离光罩并进行刻蚀以便对控制栅极进行刻蚀从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅510和610，后续将米用另一光罩打开闪存分栅单元结构的控制栅510和610的各自外侧的区域。鉴于闪存制造过程中使用的光罩数量直接影响制造成本和制造时间，所以希望能够提供一种能够减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了，包括:第一步骤:在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤:在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；第三步骤:利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。优选地，所述减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法用于制造闪存分栅单元结构。优选地，所述减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法不执行布置控制栅隔离光罩并进行刻蚀以便对控制栅极进行刻蚀从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅的步骤。优选地，闪存分栅单元结构包括位于衬底中的漏极及源极；源极上方的双栅结构中依次形成有第一浮栅、第一控制栅，漏极的双栅结构中上方依次形成有第二浮栅、第二控制棚O优选地，所述衬底上还形成有位于所述第一浮栅和第二浮栅之间的选择栅。优选地，闪存分栅单元结构的第一浮栅、第一控制栅、第二浮栅和第二控制栅与所述选择栅之间还形成有一层氧化层。优选地，所述光罩的成分是氮硅氧化合物。优选地，所述光罩的成分是氮娃化合物。对于根据本专利技术的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，并不执行现有技术中存在的布置控制栅隔离光罩并进行刻蚀以便对控制栅极进行刻蚀从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅的步骤。由此，本专利技术有效地提供了一种能够减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法。【附图说明】结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:图1示意性地示出了根据现有技术的闪存分栅单元结构。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法的流程图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。【具体实施方式】为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法的流程图。其中，所述减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法用于制造图1所示的闪存分栅单元结构。即，本专利技术所要制造的闪存分栅单元结构包括位于衬底10中的漏极及源极(未具体示出)；源极上方的双栅结构500中依次形成有第一浮栅520、第一控制栅510，漏极的双栅结构600中上方依次形成有第二浮栅620、第二控制栅610 ;所述衬底10上还形成有位于所述第一浮栅和第二浮栅之间的选择栅400 (即字线)；每个闪存分栅单元结构的第一浮栅520、第一控制栅510、第二浮栅620和第二控制栅610与所述选择栅之间还形成有一层氧化层700，以便进行隔离。如图2所示，根据本专利技术优选实施例的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法包括:第一步骤S1:在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤S2:在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；例如，所述光罩的成分是氮硅氧化合物或者氮硅化合物。第三步骤S3:利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域(即，第一控制栅510的左侧区域以及第二控制栅610的右侧区域)中的浮栅多晶硅层部分。实际上，可以看出，对于根据本专利技术优选实施例的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，并不执行现有技术中存在的布置控制栅隔离光罩并进行刻蚀以便对控制栅极进行刻蚀从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅的步骤。由此，本专利技术有效地提供了一种能够减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。【主权项】1.，其特征在于包括: 第一步骤:在硅片上布置浮栅多晶硅层； 第二步骤:在浮栅多晶硅层上布置一层光罩； 第三步骤:利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。2.根据权利要求1所述的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于，所述减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法用于制造闪存分栅单元结构。3.根据权利要求1或2所述的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于，所述减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法不执行布置控制栅隔离光罩并进行刻蚀以便对控制栅极进行刻蚀从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅的步骤。4.根据权利要求2所述的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于，闪存分栅单元结构包括位于衬底中的漏极及源极；源极上方的双栅结构中依次形成有第一浮栅、第一控制栅，漏极的双栅结构中上方依次形成有第二浮栅、第二控制栅。5.根据权利要求4所述的减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少闪存制造过程中使用的光罩数量的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片上布置浮栅多晶硅层；第二步骤：在浮栅多晶硅层上布置一层光罩；第三步骤：利用该层光罩刻蚀浮栅多晶硅层，从而通过刻蚀分离出闪存分栅单元结构的两个控制栅，同时刻蚀掉两个控制栅外侧区域中的浮栅多晶硅层部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈思杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31