本实用新型专利技术公开了一种高压开关控制电路，包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、整流桥D1、稳压管D2、稳压管D3、发光二极管D4、半导体功率管U1、双向稳压管U2、双向稳压管U3、双向稳压管U4、电感L1、电感L2、电感L3、电源模块VR1、与非门U5A、与非门U5B、与非门U5C、与非门U5D及光电耦合器U6。本实用新型专利技术解决了由于高压开关通常由线圈脱扣等方式控制动作的，相对于我们测控设备的驱动输出，其负载时感性的，在功率器件进行分操作时，会有过电压产生，如不加防护，功率器件会被击穿的问题。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高压开关控制，具体涉及一种高压开关控制电路。
技术介绍
在对高压开关的各类测试中，控制其分、合闸操作是最基本的要求。通常都是用继电器和接触器进行控制。继电器和接触器，都是通过电磁线圈产生的电动力驱动触点的动作来控制通断，存在两个问题:1.触点的机械动作是有寿命的，一般也就是十几万次，因此，要经常更换接触器或继电器；2.无法达到精确控制，机械动作的时间几毫秒到几十毫秒不等，这种延时和不确定性导致无法对开关动作的精确控制。正是基于此，很多做仪器的厂商使用固态继电器或IGBT作为功率器件(下面简称为功率器件)来控制开关动作，但是这类功率器件经常被烧毁，原因如下:1.在外部负载短路时，直接烧毁；2.分合信号陡度不够，导致功率器件长时间处于导通和截止之间的状态，器件承受很大的功率，导致损坏；3.控制信号不稳定或干扰使功率器件的输入端发生发生抖动，导致其反复分合，分-合、合-分的过程中相当于晶体管开关电路工作于放大区，在频率较高时功率器件会承受大量功耗，导致功率器件烧毁；4.由于高压开关通常由线圈脱扣等方式控制动作的，相对于我们测控设备的驱动输出，其负载是感性的，在功率器件进行分操作时，会有过电压产生，如不加防护，功率器件会被击穿。
技术实现思路
本技术针对上述问题，提供一种高压开关控制电路。本技术解决上述问题所采用的技术方案是:一种高压开关控制电路，包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻Rl2、电阻Rl3、电阻R14、三极管Ql、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、整流桥Dl、稳压管D2、稳压管D3、发光二极管D4、半导体功率管U1、双向稳压管U2、双向稳压管U3、双向稳压管U4、电感L1、电感L2、电感L3、电源模块VRl、与非门U5A、与非门U5B、与非门U5C、与非门U?及光电耦合器U6 ;所述电源模块VRl输入端分别连接电容C2、C4、C7、R11、R13、与非门U5D ;所述电源模块VRl输出端分别连接+15V、电阻R1、三极管Ql集电极；所述三极管Ql基极分别连接电阻R1、三极管Q2基极、三极管Q3集电极；所述三极管Ql发射极、三极管Q2发射极分别连接电阻R2 ;所述三极管Q2集电极分别连接三极管Q3发射极、电容Cl、电源模块VRl接地端、电容C2、电容C4，并接地；所述电阻R4 —端连接三极管Q3基极，另一端分别连接电容C5和电阻R8 ;所述与非门U5C第八脚分别连接电容C5和电阻R8 ;所述与非门U5C第十脚分别连接与非门U?第^^一脚和与非门U5B第四脚；所述与非门U?第十二脚分别连接电阻R13、电容C9和光电耦合器U6 ;所述电容C8、电阻R14分别跨接在光电親合器U6两输入端之间；所述与非门U5A的第二脚分别连接与非门U5B第六脚和与非门U5C第九脚；所述与非门U5A的第三脚分别连接电阻R12和与非门U5B第五脚；所述与非门U5A的第一脚分别连接电阻Rl I和三极管Q4集电极；所述三极管Q4基极分别连接电阻R9、电阻R10、电容C6 ;所述三极管Q4发射极分别连接电阻R10、电容C6、电容C7、电阻R6、电阻R7、发光二极管D4负极、整流桥D1，并接地；所述电阻R12连接二极管D4正极；所述半导体功率管Ul栅极分别连接电阻R2、电阻R3、稳压管D2正极；所述稳压管D3正极分别连接电阻R3、电阻R9、半导体功率管Ul漏极、电容C3、电阻R6、电阻R7、双向稳压管U4 ;负极连接稳压管D2负极；所述半导体功率管Ul源极分别连接电容C3、双向稳压管U2、整流桥Dl ;所述双向稳压管U2连接双向稳压管U4 ;所述电感LI连接整流桥Dl ;所述电感L3—端分别连接Dl和U3，另一端分别连接ClO和L2 ;所述电阻R5和ClO分别连接机壳。进一步地，所述与非门U5A、与非门U5B为用以构成触发器的与非门U5A、与非门U5B。更进一步地，所述三极管Q3和电阻Rl为用以对经过处理的逻辑电平进行放大的三极管Q3和电阻Rl。更进一步地，所述电阻R3为用以确保三极管Ql截止，三极管Q2导通时能保证半导体功率管Ul的栅极的电压为零，Ul完全截止的电阻R3。更进一步地，所述电容C3为用以在半导体功率管Ul截止时减缓电压的上升陡度，使双向稳压管U2、双向稳压管U2U4保护动作赢得时间的电容C3。本技术的优点:本技术解决了以下四点问题:1.在外部负载短路时，直接烧毁；2.分合信号陡度不够，导致功率器件长时间处于导通和截止之间的状态，器件承受很大的功率，导致损坏；3.控制信号不稳定或干扰使功率器件的输入端发生发生抖动，导致其反复分合，分-合、合-分的过程中相当于晶体管开关电路工作于放大区，在频率较高时功率器件会承受大量功耗，导致功率器件烧毁；4.由于高压开关通常由线圈脱扣等方式控制动作的，相对于我们测控设备的驱动输出，其负载时感性的，在功率器件进行分操作时，会有过电压产生，如不加防护，功率器件会被击穿。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本技术作进一步详细的说明。【附图说明】构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。图1是本技术实施例的原理图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参考图1，如图1所示的一种高压开关控制电路，包括电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rl 1、电阻R12、电阻R13、电阻R14、三极管Ql、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、整流桥D1、稳压管D2、稳压管D3、发光二极管D4、半导体功率管U1、双向稳压管U2、双向稳压管U3、双向稳压管U4、电感L1、电感L2、电感L3、电源模块VRl、与非门U5A、与非门U5B、与非门U5C、与非门U5D及光电耦合器U6 ;所述电源模块VRl输入端分别连接电容C2、C4、C7、RlU R13、与非门U? ;所述电源模块VRl输出端分别连接+15V、电阻R1、三极管Ql集电极；所述三极管Ql基极分别连接电阻R1、三极管Q2基极、三极管Q3集电极；所述三极管Ql发射极、三极管Q2发射极分别连接电阻R2 ;所述三极管Q2集电极分别连接三极管Q3发射极、电容Cl、电源模块VRl接地端、电容C2、电容C4，并接地；所述电阻R4 —端连接三极管Q3基极，另一端分别连接电容C5和电阻R8 ；所述与非门U5C第八脚分别连接电容C5和电阻R8 ;所述与非门U5C第十脚分别连接与非门U?第^^一脚和与非门U5B第四脚；所述与非门U?第十二脚分别连接电阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高压开关控制电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、整流桥D1、稳压管D2、稳压管D3、发光二极管D4、半导体功率管U1、双向稳压管U2、双向稳压管U3、双向稳压管U4、电感L1、电感L2、电感L3、电源模块VR1、与非门U5A、与非门U5B、与非门U5C、与非门U5D及光电耦合器U6；所述电源模块VR1输入端分别连接电容C2、C4、C7、R11、R13、与非门U5D；所述电源模块VR1输出端分别连接+15V、电阻R1、三极管Q1集电极；所述三极管Q1基极分别连接电阻R1、三极管Q2基极、三极管Q3集电极；所述三极管Q1发射极、三极管Q2发射极分别连接电阻R2；所述三极管Q2集电极分别连接三极管Q3发射极、电容C1、电源模块VR1接地端、电容C2、电容C4，并接地；所述电阻R4一端连接三极管Q3基极，另一端分别连接电容C5和电阻R8；所述与非门U5C第八脚分别连接电容C5和电阻R8；所述与非门U5C第十脚分别连接与非门U5D第十一脚和与非门U5B第四脚；所述与非门U5D第十二脚分别连接电阻R13、电容C9和光电耦合器U6；所述电容C8、电阻R14分别跨接在光电耦合器U6两输入端之间；所述与非门U5A的第二脚分别连接与非门U5B第六脚和与非门U5C第九脚；所述与非门U5A的第三脚分别连接电阻R12和与非门U5B第五脚；所述与非门U5A的第一脚分别连接电阻R11和三极管Q4集电极；所述三极管Q4基极分别连接电阻R9、电阻R10、电容C6；所述三极管Q4发射极分别连接电阻R10、电容C6、电容C7、电阻R6、电阻R7、发光二极管D4负极、整流桥D1，并接地；所述电阻R12连接二极管D4正极；所述半导体功率管U1栅极分别连接电阻R2、电阻R3、稳压管D2正极；所述稳压管D3正极分别连接电阻R3、电阻R9、半导体功率管U1漏极、电容C3、电阻R6、电阻R7、双向稳压管U4；负极连接稳压管D2负极；所述半导体功率管U1源极分别连接电容C3、双向稳压管U2、整流桥D1；所述双向稳压管U2连接双向稳压管U4；所述电感L1连接整流桥D1；所述电感L3一端分别连接D1和U3，另一端分别连接C10和L2；所述电阻R5和C10分别连接机壳。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建龙，金基平，
申请(专利权)人：陕西博泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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