本实用新型专利技术公开了一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底、源极、栅极、二氧化硅绝缘层、漏极、驱动电路、包络发生器、衬底引线、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器，二氧化硅绝缘层安装在P型硅衬底的顶部中间，栅极固定在二氧化硅绝缘层的底部，源极和漏极安装在二氧化硅绝缘层的左右两端的P型硅衬底的顶部，源极和漏极的下端的P型硅衬底上设置有耗尽层，驱动电路、包络发生器、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器依次均匀的安装在P型硅衬底内，衬底引线设置在P型硅衬底的底部。本实用新型专利技术结构简单、体积小、使用寿命长，耗尽层能够防止源极、栅极和漏极的消耗，二氧化硅绝缘层能够有效防止短路。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路封装结构，特别涉及音乐集成电路的封装结构。
技术介绍
随着集成电路的应用日趋广泛，微电子封装、大功率封装技术的不断提高，一种新颖的大功率集成电路封装的应用已逐渐多见，但是它们的体积较大，外部电极损耗大，造成它的使用寿命较短，不能满足人们的需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种集成电路封装结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底、源极、栅极、二氧化硅绝缘层、漏极、驱动电路、包络发生器、衬底引线、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器，所述二氧化硅绝缘层安装在P型硅衬底的顶部中间，所述栅极固定在二氧化硅绝缘层的顶部，所述源极和漏极安装在二氧化硅绝缘层的左右两端的P型硅衬底的顶部，所述源极和漏极的下端的P型硅衬底上设置有耗尽层，所述驱动电路、包络发生器、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器依次安装在P型硅衬底内，所述衬底引线设置在P型硅衬底的底部。优选的，所述源极、栅极和漏极均为实心铝制结构。优选的，所述P型硅衬底为中空结构。与现有技术相比，本技术的有益效果是:该音乐集成电路封装结构，结构简单、体积小、使用寿命长，耗尽层能够防止源极、栅极和漏极的消耗，二氧化硅绝缘层能够有效防止短路。【附图说明】图1为本技术结构示意图。图中:1、P型硅衬底，2、源极，3、栅极，4、二氧化硅绝缘层，，5、漏极，6、耗尽层，7、驱动电路，8、包络发生器，9、衬底引线，10、音调发生器，11、振荡电路，12、节奏发生器，13、速度控制器。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案:一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底1、源极2、栅极3、二氧化硅绝缘层4、漏极5、驱动电路7、包络发生器8、衬底引线9、音调发生器10、振荡电路11、节奏发生器12和速度控制器13，二氧化硅绝缘层4安装在P型硅衬底I的顶部中间，栅极3固定在二氧化硅绝缘层4的顶部，源极2和漏极5安装在二氧化硅绝缘层4的左右两端的P型硅衬底I的顶部，源极2、栅极3和漏极5均为实心铝制结构，P型硅衬底I为中空结构，源极2和漏极5的下端的P型硅衬底I内设置有耗尽层6，驱动电路7、包络发生器8、音调发生器10、振荡电路11、节奏发生器12和速度控制器13依次安装在P型硅衬底I内，衬底引线9设置在P型硅衬底I的底部。工作原理:使用时，源极2、栅极3和漏极5的配合使用，使集成电路的正常接通，驱动电路7、包络发生器8、音调发生器10、振荡电路11、节奏发生器12和速度控制器13配合使用，使得集成电路能够正常工作。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。【主权项】1.一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底(1)、源极(2)、栅极(3)、二氧化硅绝缘层(4)、漏极(5)、驱动电路(7)、包络发生器(8)、衬底引线(9)、音调发生器(10)、振荡电路(11)、节奏发生器(12)和速度控制器(13)，其特征在于:所述二氧化硅绝缘层(4)安装在P型硅衬底(I)的顶部中间，所述栅极(3)固定在二氧化硅绝缘层(4)的顶部，所述源极(2)和漏极(5)安装在二氧化硅绝缘层(4)的左右两端的P型硅衬底(I)的顶部，所述源极(2)和漏极(5)的下端的P型硅衬底(I)内设置有耗尽层￠)，所述驱动电路(7)、包络发生器(8)、音调发生器(10)、振荡电路(11)、节奏发生器(12)和速度控制器(13)依次安装在P型硅衬底(I)内，所述衬底引线(9)设置在P型硅衬底(I)的底部。2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于:所述源极⑵、栅极⑶和漏极(5)均为实心铝制结构。3.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其特征在于:所述P型硅衬底(I)为中空结构。【专利摘要】本技术公开了一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底、源极、栅极、二氧化硅绝缘层、漏极、驱动电路、包络发生器、衬底引线、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器，二氧化硅绝缘层安装在P型硅衬底的顶部中间，栅极固定在二氧化硅绝缘层的底部，源极和漏极安装在二氧化硅绝缘层的左右两端的P型硅衬底的顶部，源极和漏极的下端的P型硅衬底上设置有耗尽层，驱动电路、包络发生器、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器依次均匀的安装在P型硅衬底内，衬底引线设置在P型硅衬底的底部。本技术结构简单、体积小、使用寿命长，耗尽层能够防止源极、栅极和漏极的消耗，二氧化硅绝缘层能够有效防止短路。【IPC分类】H01L23/28【公开号】CN204668290【申请号】CN201520436845【专利技术人】林乐宗 【申请人】林乐宗【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年6月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成电路封装结构，包括P型硅衬底（1）、源极（2）、栅极（3）、二氧化硅绝缘层（4）、漏极（5）、驱动电路（7）、包络发生器（8）、衬底引线（9）、音调发生器（10）、振荡电路（11）、节奏发生器（12）和速度控制器（13），其特征在于：所述二氧化硅绝缘层（4）安装在P型硅衬底（1）的顶部中间，所述栅极（3）固定在二氧化硅绝缘层(4)的顶部，所述源极(2)和漏极(5)安装在二氧化硅绝缘层(4)的左右两端的P型硅衬底(1)的顶部，所述源极(2)和漏极(5)的下端的P型硅衬底(1)内设置有耗尽层(6)，所述驱动电路(7)、包络发生器(8)、音调发生器(10)、振荡电路(11)、节奏发生器(12)和速度控制器(13)依次安装在P型硅衬底(1)内，所述衬底引线(9)设置在P型硅衬底(1)的底部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林乐宗，
申请(专利权)人：林乐宗，
类型：新型
国别省市：福建;35
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