一种超高频波段选择性微波滤波器组制造技术

技术编号:12104434 阅读:65 留言:0更新日期:2015-09-23 23:03
本发明专利技术涉及一种超高频波段选择性微波滤波器组,由两个超高频频段的微波滤波器及单刀双掷开关芯片WKD0016H组成。其功能主要由分布式的带状线结构实现。微波滤波器组结构采用LTCC工艺技术实现。本发明专利技术具有体积小、耐高温、低成本、高品质、稳定性好、可靠性高、材料一致性好、成品率高、环保性好等优点,广泛应用于超高频波段的移动通信、北斗导航系统等卫星通信,对电性能、材料一致性、热机械性、温度稳定性、工艺性及抗干扰性等高要求的系统与设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超高频波段选择性微波滤波器组
技术介绍
随着电子产业的迅猛发展,电子元件集成化、模组化、高性能、低成本已经成为国内外射频领域的发展方向,同时随着电子设备工作频率的迅速提高,电磁干扰的频率也越来越高,迫切需要一种能对辐射干扰的高频信号有较大衰减的滤波器,这也对微波滤波器的综合性能提出了更高的要求。这种带通滤波器组的主要指标有:通带插入损耗、通带回波损耗、矩形系数、时延频率特性、阻带衰减、通带电压驻波比、品质因数等。带通滤波器允许一定频段的信号通过,抑制低于或高于该频段的信号、干扰和噪声。而其加工工艺有很多种类,近年来国内外大多采用的是低温共烧陶瓷技术。低温共烧陶瓷(LTCC)是近年发展起来的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向。其采用多层陶瓷技术,能够将无源元件内置于介质基板内部,同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。利用LTCC制备片式无源集成器件和模块有许多优点,陶瓷材料具有优良的高频高品质特性,使用电导率高的金属材料作为导体,有利于系统的品质因子,也可适应大电流及耐高温的要求,其可将无源组件埋入多层电路基板,有利于提高系统组装密度,易于实现多层布线与封装一体化结构,可提高可靠性、耐高温、高湿等恶劣环境,采用非连续式的生产工艺,便于基板烧成前对每一层布线和互联通孔进行质量检测,降低成本。由于LTCC技术具有三维立体集成优势,在微波频段被广泛用来制造各种微波无源元件,实现无源元件的高度集成。基于LTCC工艺的叠层技术,可以实现三维集成,从而使各种微型微波滤波器具有尺寸小、重量轻、性能优、可靠性高、批量生产性能一致性好及低成本等诸多优点,利用其三维集成结构特点,可以实现微型微波滤波器组。
技术实现思路
本专利技术的目的在于实现一种由带状线结构实现体积小、耐高温、低成本、高品质、稳定性好、可靠性高、材料一致性好、成品率高、环保性好的超高频微波滤波器组。本专利技术的上述目的通过独立权利要求的技术特征实现,从属权利要求以另选或有利的方式发展独立权利要求的技术特征。为达成上述目的,本专利技术提出一种超高频波段选择性微波滤波器组,其具体结构如下:其结构由两个带通微波滤波器与一个单刀双掷开关芯片WKD0016H组成。第一微波滤波器包括50欧姆阻抗第一输入端口、第一输入电感、第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第一输出电感、第一 Z形级间耦合带状线、50欧姆阻抗第一输出端口和接地端。各级并联谐振单元均由两层平行带状线组成,第一层由第一带状线、第三带状线、第五带状线、第七带状线、第九带状线组成,第二层由第二带状线、第四带状线、第六带状线、第八带状线、第十带状线组成,其中,50欧姆阻抗第一输入端口与第一输入电感一端连接,第一输入电感另一端与第一级并联谐振单元的第二层的第二带状线连接,第一输出电感一端与第五级并联谐振单元的第二层的第十带状线连接,50欧姆阻抗第一输出端口与第一输出电感另一端连接,第一Z形级间耦合带状线位于并联谐振单元的下方。每层带状线接地端相同,一端接地,另一端开路,第二层与第一层接地端相反,第一 Z形级间耦合带状线两端均接地。第二微波滤波器包括50欧姆阻抗第二输入端口、第二输入电感、第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第二输出电感、第二 Z形级间耦合带状线、第一接地电容、第二接地电容、第一耦合带状线、表面贴装的50欧姆阻抗第二输出端口和接地端。各级并联谐振单元均由两层平行带状线组成,第一层由第十一带状线、第十三带状线、第十五带状线、第十七带状线、第十九带状线组成,第二层由第十二带状线、第十四带状线、第十六带状线、第十八带状线、第二十带状线组成,其中,50欧姆阻抗第二输入端口与第二输入电感一端连接,第一级并联谐振单元的第二层的第十二带状线与第二输入电感另一端连接,第五级并联谐振单元的第二层的第二十带状线与第二输出电感一端连接,50欧姆阻抗第二输出端口与第二输出电感另一端连接,第二 Z形级间耦合带状线位于并联谐振单元的下方,第一耦合带状线位于第二级并联谐振单元的第二层的第十四带状线的下方,第一耦合带状线位于第二 Z形级间耦合带状线的上方,第一接地电容位于第二输入电感的上方,第二接地电容位于第二输出电感的上方。每层带状线接地端相同,一端接地,另一端开路,第二层与第一层接地端相反,第二 Z形级间耦合带状线两端均接地,第一耦合带状线,一端接地,一端开路,第一接地电容,一端接地,一端开路,第二接地电容,一端接地,一端开路,单刀双掷开关芯片WKD0016H的RFOutl与50欧姆阻抗第一输入端口连接,RF0ut2与50欧姆阻抗第二输入端口连接。LTCC是本专利技术所采用的加工工艺,它所具备的一致性好、精度高、体积小、成本低、可靠性高、温度稳定性好、电性能高等优点是其他加工工艺所不具备的。应当理解,前述构思以及在下面更加详细地描述的额外构思的所有组合只要在这样的构思不相互矛盾的情况下都可以被视为本公开的专利技术主题的一部分。另外,所要求保护的主题的所有组合都被视为本公开的专利技术主题的一部分。结合附图从下面的描述中可以更加全面地理解本专利技术教导的前述和其他方面、实施例和特征。本专利技术的其他附加方面例如示例性实施方式的特征和/或有益效果将在下面的描述中显见,或通过根据本专利技术教导的【具体实施方式】的实践中得知。【附图说明】附图不意在按比例绘制。在附图中,在各个图中示出的每个相同或近似相同的组成部分可以用相同的标号表示。为了清晰起见,在每个图中,并非每个组成部分均被标记。现在,将通过例子并参考附图来描述本专利技术的各个方面的实施例,其中:图1(a)是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组的外形结构示意图。图1 (b)是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组中第一微波滤波器的内部结构示意图。图1 (C)是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组中第二微波滤波器的内部结构示意图。图2是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组接第一微波滤波器时输出端口的幅频特性曲线。图3是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组接第一微波滤波器时输入端口的驻波特性曲线。图4是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组接第二微波滤波器时输出端口的幅频特性曲线。图5是本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组接第二微波滤波器时输入端口的驻波特性曲线。【具体实施方式】结合图1 (a)、(b)、(c),本专利技术一种超高频波段选择性微波滤波器组,该滤波器组的第一微波滤波器(Fl)包括50欧姆阻抗第一输入端口(Pl)、第一输入电感(Linl)、第一级并联谐振单元(由L11、L21构成)、第二级并联谐振单元(由L12、L22构成)、第三级并联谐振单元(由L13、L23构成)、第四级并联谐振单元(由L14、L24构成)、第五级并联谐振单元(由L15、L25构成)、第一输出电感(Loutl)、第一 Z形级间耦合带状线(Zl)、50欧姆阻抗第一输出端口(P2)和接地端。 各级并联谐振单元均由两层平行带状线组成,第一层由第一带状线(LII)、第三带状线(L12)、第五带状线(L13)、第七带状线本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种超高频波段选择性微波滤波器组,其特征在于,由两个微波带通滤波器(F1、F2)及一个单刀双掷开关芯片组成,其中:单刀双掷开关芯片选用WKD0016H芯片,该芯片通过背面金属经通孔接地;第一微波滤波器(F1)包括50欧姆阻抗第一输入端口(P1)、第一输入电感(Lin1)、第一级并联谐振单元(由L11、L21构成)、第二级并联谐振单元(由L12、L22构成)、第三级并联谐振单元(由L13、L23构成)、第四级并联谐振单元(由L14、L24构成)、第五级并联谐振单元(由L15、L25构成)、第一输出电感(Lout1)、第一Z形级间耦合带状线(Z1)、50欧姆阻抗第一输出端口(P2)和接地端;各级并联谐振单元均由两层平行带状线组成,第一层由第一带状线(L11)、第三带状线(L12)、第五带状线(L13)、第七带状线(L14)、第九带状线(L15)组成;第二层由第二带状线(L21)、第四带状线(L22)、第六带状线(L23)、第八带状线(L24)、第十带状线(L25)组成;其中,50欧姆阻抗的第一输入端口(P1)与第一输入电感(Lin1)的一端连接,第一输入电感(Lin1)的另一端与第二带状线(L21)连接,第一输出电感(Lout1)的一端与第十带状线(L25)连接,第一输出电感(Lout1)的另一端与50欧姆阻抗的第一输出端口(P2)连接,第一Z形级间耦合带状线(Z1)位于并联谐振单元的下方;每层带状线接地端相同,一端接地,另一端开路,第二层与第一层接地端相反,第一Z形级间耦合带状线(Z1)两端均接地;第一输入端口(P1)为信号的输入端口,输入信号经由第一输入电感(Lin1)传输到第二带状线(L21),经过第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第一Z形级间耦合带状线(Z1)的电磁耦合,传输到第十带状线(L25),经由第一输出电感(Lout1),在第一输出端口(P2)输出;第二微波滤波器(F2)包括50欧姆阻抗第二输入端口(P3)、第二输入电感(Lin2)、第一级并联谐振单元(由L31、L41构成)、第二级并联谐振单元(由L32、L42构成)、第三级并联谐振单元(由L33、L43构成)、第四级并联谐振单元(由L34、L44构成)、第五级并联谐振单元(由L35、L45构成)、第二输出电感(Lout2)、第二Z形级间耦合带状线(Z2)、第一耦合带状线(ZF1)、第一接地电容(C1)、第二接地电容(C2)、50欧姆阻抗第二输出端口(P4)和接地端;各级并联谐振单元均由两层平行带状线组成,第一层由第十一带状线(L31)、第十三带状线(L32)、第十五带状线(L33)、第十七带状线(L34)、第十九带状线(L35)组成;第二层由第十二带状线(L41)、第十四带状线(L42)、第十六带状线(L43)、第十八带状线(L44)、第二十带状线(L45)组成;其中,50欧姆阻抗的第二输入端口(P3)与第二输入电感(Lin2)的一端连接,第二输入电感(Lin2)的另一端与第十二带状线(L41)连接,第二十带状线(L45)与第二输出电感(Lout2)的一端连接,50欧姆阻抗的第二输出端口(P4)与第二输出电感(Lout2)的另一端连接,第二Z形级间耦合带状线(Z2)位于并联谐振单元的下方,第一耦合带状线(ZF1)位于第十四带状线(L42)的下方,第一耦合带状线(ZF1)位于第二Z形级间耦合带状线(Z2)的上方,第一接地电容(C1)位于第二输入电感(Lin2)的上方,第二接地电容(C2)位于第二输出电感(Lout2)的上方;每层带状线接地端相同,一端接地,另一端开路,第二层与第一层接地端相反,第二Z形级间耦合带状线(Z2)两端均接地,第一耦合带状线(ZF1),一端接地,一端开路,第一接地电容(C1),一端接地,一端开路,第二接地电容(C2),一端接地,一端开路,50欧姆阻抗第一输入端口(P1)与单刀双掷开关芯片WKD0016H的RFOut1连接,50欧姆阻抗第二输入端口(P3)与RFOut2连接;第二输入端口(P3)为信号的输入端口,输入信号经由第二输入电感(Lin2)传输到第十二带状线(L41),经过第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第二Z形级间耦合带状线(Z2)、第一耦合带状线(ZF1)、第一接地电容(C1)、第二接地电容(C2)的电磁耦合,传输到第二十带状线(L45),经由第二输出电感(Lout2),在第二输出端口(P4)输出。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李博文潘航戴永胜乔冬春陈烨刘毅张超
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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