提供了一种防溢出剂和包括该防溢出剂的用于防止溢出的组合物以及防止溢出的方法。所述防溢出剂由式1表示。在式1中，X选自于由C6-C60亚芳基和C1-C60亚杂芳基组成的组；R1选自于由C1-C60烷基、氟取代的C1-C60烷基、C6-C60芳基、氟取代的C6-C60芳基、-NH(Q1)和-N(Q1)(Q2)组成的组；Q1和Q2均独立地选自于由C1-C60烷基、氟取代的C1-C60烷基、C6-C60芳基和氟取代的C6-C60芳基组成的组；a1选自于1、2和3；R2选自于包括一个或更多个杂元素的官能团，所述一个或更多个杂元素选自于由氧(O)、硫(S)、硼(B)、氮(N)、磷(P)和硅(Si)组成的组；a2选自于1、2和3，<式1>(R1)a1——X——(R2)a2。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请要求于2014年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0031816号 韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术的一个或更多个实施例涉及防溢出剂、包括该防溢出剂的用于防止溢出的 组合物和防止溢出的方法。
技术介绍
用于封装半导体或印刷电路板的引线框架会经历将半导体芯片和外电路连接以 形成单个半导体封装件的组装工艺，裸片接合工艺、引线接合工艺和模制工艺通常包括在 组装工艺中。 裸片接合工艺是利用粘结剂将诸如引线框架或印刷电路板的裸片和半导体芯片 固定的工艺，其中，裸片接合树脂（例如，环氧基树脂）主要用作粘结剂。 由于诸如变色抑制剂和密封剂的有机物、因裸片焊盘的镀覆而引起的表面粗糙度 或使用的裸片接合树脂的物理性质，因此会发生树脂或添加剂根据表面污染的存在而浸出 的溢出现象。溢出会减小裸片接合的强度或者会导致在随后的引线接合工艺中的缺陷。另 外，溢出会导致完成的半导体封装件的可靠性劣化。 在裸片焊盘的表面涂覆有银的情况下，由于空气中的硫和氧，因此在裸片焊盘的 镀银表面上会形成Ag2s，从而导致变色。因此，这不仅会使产品的外观质量下降，而且会导 致引线接合工艺中的缺陷。在裸片焊盘的表面未镀覆有诸如金、银和钯的贵金属的情况下， 裸片焊盘中的铜会与空气中的氧接触，从而导致表面氧化。因此，这不仅会使产品的外观质 量下降，而且会导致焊接工艺中的缺陷。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例的一个或更多个方面针对防溢出剂、包括该防溢出剂的用于 防止溢出的组合物和防止溢出的方法。 另外的方面将在接下来的描述中部分阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或 者可以通过给出的实施例的实施而得知。 根据本专利技术的一个或更多个实施例，一种防溢出剂由式1表示： 〈式 1> 在式1中，X选自于由c6-c6Q亚芳基和c「C6Q亚杂芳基组成的组； 札选自于由c「c6Q烷基、氟取代的c「c6Q烷基、c6-c6Q芳基、氟取代的c6-c6Q芳 基、-MKQi)和-N(Qi) (Q2)组成的组成和Q2均独立地选自于由Ci-Q。烷基、氟取代的C「C6。 烷基、C6-C6(l芳基和氟取代的C6-C6(l芳基组成的组； al选自于 1、2 和 3; R2选自于包括一个或更多个杂元素的官能团，所述一个或更多个杂元素选自于由 氧（〇)、硫（S)、硼（B)、氮（N)、磷⑵和硅（Si)组成的组； a2 选自于 1、2 和 3。 在式1中，X可以选自于由亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚蒽基、亚苯并菲基、 亚芘基、亚窟基、亚吡咯基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚吲哚基、 亚喹啉基、亚异喹啉基、亚菲啶基、亚菲咯啉基、亚三唑基、亚四唑基和亚三嗪基组成的组。 在式1中，X可以选自于由亚苯基、亚萘基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚喹啉 基、亚异喹啉基和亚三嗪基组成的组。 在式1中，X可以选自于由亚苯基和亚三嗪基组成的组。 在式1中，Ri可以选自于由C4-C2Q烷基、氟取代的C4-C2Q烷基、C6-C2Q芳基、氟取代 的(：6-(：2(|芳基、-MKQi)和-N(Qi) (Q2)组成的组；QJPQM以均独立地选自于由C4-C2Q烷基、 氟取代的C4-C2(l烷基、C6-C2(l芳基和氟取代的C6-C2(l芳基组成的组。 在式1中，札可以选自于由-MKQi)和-N(Q) (Q2)组成的组；QJPQ2可以均独立 地选自于由c4-c2(l烷基和氟取代的c4-c2(l烷基组成的组。 在式1中，札可以选自于由-Ml%)和-N(Q) (Q2)组成的组；QJPQ2可以均独立 地选自于氟取代的c4-c2(l烷基。 在式1中，al可以选自于1和2。 在式 1 中，R2可以选自于由-oh、-sh、-so3、-nh2、-p(o) (oh)2、-op(o) (oh)2、-o2p(o) (OH)、_(0)3P(0)、-Si(Q3) (Q4) (Q5)、-C02H和含N(氮）的C「C5杂芳基组成的组；Q3至Q5可 以均独立地选自于由氢和烷基组成的组。 在式 1 中，R2 可以选自于由-0H、-SH、-SO3、-NH2、-P( = 0) (0H)2、-0P( = 0) (0H)2、-02p( = 0) (OH)、-03p( = 0)、-Si(CH3)3、-Si(c2h5)3、-co2h、吡咯基、咪唑基、吡唑基、 噻唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡咯烷酮基、三唑基、四唑基和三嗪基组成的组。 在式1中，a2可以选自于1和2。 防溢出剂可以由式1A表示： 〈式 1A> 在式1A中，Xi#X13均独立地选自于氮原子（N)和CH; Rn和R12均独立地选自于由氢、C烷基、氟取代的C烷基、C6-C6(l芳基和氟 取代的c6-c6(l芳基组成的组； R21和R22均独立地选自于包括一个或更多个杂元素的官能团，所述一个或更多个 杂元素选自于由〇、S、B、N、P和Si组成的组。 在式1A中，XnSX13可以为N。 在式1A中，Rn和R12可以均独立地选自于由氢和氟取代的C4_C2Q烷基组成的组。 在式1A中，R21和R22可以均独立地选自于由-OH、-SH、-SO3、-NH2、-P( = 0) (OH)2、-OP( = 0) (OH) 2、-02P( = 0) (OH)、-03P( = 0)、-Si(CH3)3、-Si(C2H5) 3、-C02H、吡咯基、 咪唑基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡咯烷酮基、三唑基、四唑基和三嗪基组 成的组。 根据本专利技术的一个或更多个实施例，一种用于防止溢出的组合物包括以上描述的 防溢出剂。 所述用于防止溢出的组合物可以不包括变色抑制剂。 根据本专利技术的一个或更多个实施例，一种防止溢出的方法包括利用以上描述的用 于防止溢出的组合物来进行处理。 所述处理可以包括在引线基体上沉积用于防止溢出的组合物。 所述处理可以包括溅射或涂覆用于防止溢出的组合物。【附图说明】 通过下面结合附图进行的实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并更容 易理解，在附图中： 图1是示出根据对比示例1的评价示例2的结果的图像； 图2是示出根据对比示例2的评价示例2的结果的图像； 图3是示出根据示例1的评价示例2的结果的图像； 图4是示出根据示例2的评价示例2的结果的图像； 图5是示出根据对比示例1的评价示例3的结果的图像； 图6是示出根据对比示例2的评价示例3的结果的图像； 图7是示出根据示例1的评价示例3的结果的图像； 图8是示出根据示例2的评价示例当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种防溢出剂，所述防溢出剂由式1表示：<式1>(R1)a1‑X‑(R2)a2在式1中，X选自于由C6‑C60亚芳基和C1‑C60亚杂芳基组成的组；R1选自于由C1‑C60烷基、氟取代的C1‑C60烷基、C6‑C60芳基、氟取代的C6‑C60芳基、‑NH(Q1)和‑N(Q1)(Q2)组成的组；Q1和Q2均独立地选自于由C1‑C60烷基、氟取代的C1‑C60烷基、C6‑C60芳基和氟取代的C6‑C60芳基组成的组；a1选自于1、2和3；R2选自于包括一个或更多个杂元素的官能团，所述一个或更多个杂元素选自于由氧、硫、硼、氮、磷和硅组成的组；a2选自于1、2和3。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金成益，申东守，
申请(专利权)人：海成帝爱斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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