一种薄膜电极制作方法技术

本发明专利技术涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜电极制作方法。其至少包括以下步骤：提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料，由于其具有很高的载流子浓度和迁移率以及亚微米尺度的弹性输运特性，已被广泛应用于微处理器、电池、显示器及柔性电子器件中。目前，石墨烯材料被认为是触控显示领域中具有广阔前景的电极材料，其有望取代现有的价格昂贵的氧化锡铟(ITO)等导电材料。常见的石墨烯电极的制作方法有碳化硅(SiC)外延生长法和化学气相沉积(CVD)法。然而，石墨烯不可能直接生长在玻璃基板上，因此石墨烯电极也不可能像ITO电极一样直接在玻璃基板上刻蚀得到。一方面由于石墨烯是一种单层平面二维结构，而玻璃是一种非晶体，其表面平整度较低；另一方面，石墨烯的沉积面必须有催化介质。因此石墨电极制作厂商通常是先在石墨材料制作厂商购买石墨烯，然后再将石墨烯刻蚀得到石墨烯电极图形。故，石墨电极制作厂商需要额外购买石墨烯电极图形加工设备，其成本较高，且工艺较复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种成本低且工艺简单的薄膜电极制作方法。本专利技术提供的薄膜电极制作方法包括以下步骤:提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述薄膜电极制作方法还包括提供一具有一第二表面的第二衬底，以及将所述第一薄膜电极形成于所述第二表面的步骤。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述阻挡层上形成有多个第一图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第一收容空间；在所述第一表面上形成多个第一薄膜电极，所述多个第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第一薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，形成于所述第二衬底上的多个第一薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第一薄膜电极通过一第一结合层与所述第二衬底相结合，所述第一结合层位于所述多个第一薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第一薄膜电极位于所述第一结合层和所述第二表面之间。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述薄膜电极制作方法至少包括在所述阻挡层上形成一第二图形的步骤，以露出所述第一表面，形成所述第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第二收容空间；在所述第一表面上形成一第二薄膜电极，所述第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第二薄膜电极。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述阻挡层上形成有多个第二图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第二收容空间；在所述第一表面上形成多个第二薄膜电极，所述多个第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第二薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，形成于所述第二衬底上的多个第二薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第二薄膜电极通过一第二结合层与所述第二衬底相结合，所述第二结合层位于所述多个第二薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第二薄膜电极位于所述第二结合层和所述第二表面之间。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述第一表面为一平面，在垂直于所述第一表面的方向上，所述阻挡层的厚度较所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的厚度大，所述多个第一图形与所述多个第二图形在同一制程中一并制成，所述多个第一薄膜电极与所述多个第二薄膜电极米用同种材料在同一工艺中一并制程成，且每一所述第一薄膜电极与一第二薄膜电极电性相连，所述第二薄膜电极用于将所述第一薄膜电极电性连接至一外部电路。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，所述第一结合层与第二结合层采用同种材料在同一制程中一并制成，所述第二表面为一平面，且在垂直于所述第二表面方向上，所述第一薄膜电极与第二薄膜电极具有相同的厚度，所述第一结合层与第二结合层具有相同的厚度，所述第一薄膜电极与第一结合层具有相同或不同的厚度。本专利技术提供的薄膜电极制作方法中，制作所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的材料为石墨烯，制作所述阻挡层的材料氧化锡铟，制作所述第一衬底的材料为金属、金属混合物或金属合金。本专利技术提供的所述薄膜电极制作方法中，先在第一衬底的多个第一收容空间内形成薄膜电极，然后再将所述薄膜电极转移至第二衬底或基板上，一方面可以避免传统方式中先将薄膜电极转移至第二衬底或基板后再刻蚀图形所造成的薄膜材料的浪费；另一方面，薄膜电极在第一衬底上已经形成，无需先从石墨烯厂商处购买石墨烯材料，并通过新刻蚀设备、新刻蚀工艺来刻蚀石墨烯图形，而是利用面板厂商生产线现有的阻挡层刻蚀条件，直接形成薄膜电极，然后再转印，有利于工艺的简单化。【附图说明】下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中:图1a-1d为本专利技术提供的一较佳实施方式的薄膜电极制作方法示意图；图2为图1a-1d中所述薄膜电极制作方法流程图；图3a_3d为本专利技术提供的另一较佳实施方式的薄膜电极制作方法示意图。【具体实施方式】为说明本专利技术提供的薄膜电极制作方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。请参考图1a-1d以及图2，为本专利技术提供的一较佳实施方式的薄膜电极的制作方法示意图以及制作方法流程图，所述制作至少包括以下步骤:步骤SOl:提供一具有第一表面201a的第一衬底201,在所述第一表面201a上形成一阻挡层230,如图1a所不。本实施方式中，所述第一表面201a为一光滑的平面，在其他实施方式中，所述第一表面还可以为曲面或者不规则的表面。步骤S02:在所述阻挡层230上形成至少一第一图形23，以露出所述第一表面201a,形成所述第一图形23的阻挡层230部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间24。本实施方式中，所述第一图形23的个数为多个，所述第一图形23经光刻的方式形成，所述第一收容空间24由两侧壁和一底面构成上端开口的一空间。两所述侧壁为所述第一图形23的一部分，所述底面为所述第二表面201a的一部分。所述阻挡层230和第一图形23的材料为氧化锡铟(ITO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)或氧化锌镓(GZO)，或者为类似的材料。所述第一衬底201的材料为金属，例如铜或者镍等。步骤S03:在所述第一表面201a上形成一第一薄膜电极22，所述第一薄膜电极22完全收容于所述第一收容空间内。如图1c所示。在垂直于所述第一表面201a的方向上，所述第一图形23的厚度大于所述第一薄膜电极22的厚度。本实施方式中，所述第一薄膜电极22的材料为石墨烯，在其他实施方式中，第一薄膜电极还可以为纳米银或者其他类似的导电材料。所述第一薄膜电极22为触控面板中的触控电极，在其他实施方式中，薄膜电极还可以为显示面板中的栅电极、源漏电极、像素电极、公共电极，或者引线电极等等。步骤S04:提供一具有一第二表面202a的第二衬底202，去除所述第一衬底201及阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电极制作方法，其至少包括以下步骤：提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王士敏，张超，赵约瑟，李绍宗，何云富，郭志勇，
申请(专利权)人：深圳莱宝高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44