一种小面积低功耗高速电流比较器制造技术

提供一种小面积低功耗高速电流比较器，晶体管M1、M2、M3和M4组成提高输出阻抗和镜像电流精度的共源共栅电流镜结构，其中晶体管M2和M4的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式，晶体管M5和M6组成电流镜结构，其中晶体管M5的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式，再连接到M6的栅极，将输入电流Iin镜像到由晶体管M1、M3和晶体管M6组成的电流支路，晶体管M1的漏极和M3的源极相连，晶体管M3的漏极和晶体管M6的漏极相连，同时，阈值电流Ith也被镜像到由晶体管M1、M3和晶体管M6组成的电流支路。本实用新型专利技术静态电流为输入电流和阈值电流之和，无需消耗额外电流，功耗较低。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种小面积低功耗高速电流比较器，其特征在于：NMOS晶体管M1、M2、M3和M4组成提高输出阻抗和镜像电流精度的共源共栅电流镜结构，其中NMOS晶体管M2和M4的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式，PMOS晶体管M5和M6组成电流镜结构，其中PMOS晶体管M5的栅极和漏极连接在一起形成二极管连接方式，再连接到M6的栅极，将输入电流Iin镜像到由NMOS晶体管M1、M3和PMOS晶体管M6组成的电流支路，NMOS晶体管M1的漏极和M3的源极相连，NMOS晶体管M3的漏极和PMOS晶体管M6的漏极相连，同时，阈值电流Ith也被镜像到由NMOS晶体管M1、M3和PMOS晶体管M6组成的电流支路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程艳，刘小舟，马让奎，张蔚，李波，樊成双，
申请(专利权)人：陕西宝成航空仪表有限责任公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61