四非门型单稳态发射电路制造技术

技术编号:12068101 阅读:140 留言:0更新日期:2015-09-18 02:05
四非门型单稳态发射电路,属于遥控技术领域,由电源、四非门式单稳态电路、转码管、编码集成电路、射频电路、指示电路共同组成。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,在接通电源时,四非门式单稳态电路启动,控制转码管形成编码集成电路变动码的两种状态变换,同时编码集成电路的变位端也随着四非门式单稳态电路的变换而转换,更进一步提高了密级,由增加了n形铜箔天线,能杜绝外界恶劣环境影响的射频电路发出,提升了发射的性能,具有很高的防破解能力。

【技术实现步骤摘要】

属于遥控

技术介绍
遥控技术是广泛的远距离控制技术,编码是遥控的重点,编码密级高,遥控产品的质量就高,编码集成中有低档类的普通三态编码,同时也出现了密级较高的滚动码类,前者密级低,很容易破解,但是其优点是廉价。后者缺点是存在理论上的破解的概率,因此还不能满足很多要求高的地方。不管是三态编码还是滚动码,在现代的技术中,作案者都可以借助于一种扫码器(既是按一定规律发出不同的编码的发射器)严密地试探地破解出密码。在滚动码中,仅管其发出的编码是变化的,且数量很多,但是因为发射时是一次编码,所以在理论上仍然存在破解的概率。同时,遥控在传递过程中能够传递的远近,是遥控发射中的一项重要指标,显然能够传递的距离越远,其性能也先进,反之性能越低。理论与实验说明,发射的远近与外界因素有很大的关系,如与四周的环境,与天气均有很大的关系。特别是天气,在同样的外界情况下,在天气好的时候普通的发射接收均常能达到几十米,但是在天气恶劣时,其距离可以骤然降低到仅几米。从纯技术角度讲,其发射距离远是好产品;从生产的角度讲,一个产品的性能再好,如果生产不易,就失去了价值与意义。要解决这样的问题,必需要创新,既是换一种思维方法,彻底改变固定码种类的的破解版能力,这种可能性是存在的,这种创新的思路就是就是在宏观上从其它方面,增加发射与接收的制约要求,这种制约要求的存在,当然可以大大提高破解能力,而且制约要求越多,显然破解难度越大。但是如果达到这样的目的,将要产生很多的困难,如用什么样的技术手段来实现,而且所采用的技术手段是否有很好的可操作性等等都会成为研宄中的种种冋题。为此,本技术的主要的指导思想是,研制一种新的编码集成电路,其集成电路的特点一是在单独使用时,也具很高的防破解能力,二是当它与滚动码组合使用时,能起到强强联合的最佳效果。三是具有较低的造价,从而丰富发射编码技术。从而将具有三种状态的普通编码升级为一种高密的编码状态,由于这种编码具有很多种形式的变化,而每一种变化形式都具有重要的意义,所以本企业作了系统创新,提出系统的专利技术方案,成为系列的保护体系。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种新措施,运用一种四非门组成的单稳态电路,配合转码管,形成转换,控制编码集成电路,将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,形成的发射原理是:每次发射时,编码集成电路是发射了两次编码,而且两次编码是有时序的,从而将普通的固定编码提升为了一种高密级编码。本技术提出的措施是:1、四非门型单稳态发射电路由电源、四非门式单稳态电路、转码管、编码集成电路、射频电路、指示电路共同组成。其中:编码集成电路的数据输入端中的一位是变位端,连接四非门式单稳态电路的输出,编码集成电路的数据码中有一位为变动码,接转码管的发射极,其余接为固定码。指示电路由指示灯与保护电阻组成:指示灯的正极接电源,负极接保护电阻到地。电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为四非门型单稳态发射电路的电源。四非门式单稳态电路:第一非门的输入接电源,输出接一个交连电容后接第二非门的输入,第二非门的输入接一个积分电阻到第一非门的输入,积分电容接在第一非门的输入与地线间,第二非门的输出连接第三非门的输入,第三非门的输出连接第四非门的输入,第四非门的输出即是四非门式单稳态电路的输出,连接编码集成电路的变位码。转码管由三极管与一个电阻组成:三极管的基极连接一个电阻的一端,电阻的另一端接在四非门式单稳态电路的输出,集电极接地,发射极接编码集成电路的变动码。射频电路由射频电路由调制电路、发射电路、铜箔天线共同组成。,调制电路由调制三极管与调制电阻组成:编码集成电路的输出连接调制电阻的一端,调制电阻另一端接调制三极管的基极,调制三极管的发射极接地,集电极接高频发射管的发射极。铜箔天线是英文小写字母η形状,两条垂直的铜箔上方用弧形铜箔相吻接,其尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米。发射电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极。高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端。铜箔天线的输入端与输出端之间接一个可调电容,可调电容并联一个固定电容。旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间。去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。2、编码集成电路的其余地址码接地。3、转码管中的三极管是PNP三极管。4、四非门式单稳态电路中的非门是CD4069内部的四个反相器。措施总述无线电编码技术,是本企业研宄的重点项目,也是一种系列研宄项目。之所以成为系列研宄,原因一是,应用很广,其二是,从保密的角度,现有的编码技术是一种方向的研宄,而本技术是另一方向的研宄,因而能有更好的保密效果,其三是,本技术是将具有三态状态的固定码升级为一种高密的编码状态,由于这种编码具有很多种形式的变化,而每一种变化形式都具有重要的意义,所以提出创新的方案,形成系列保护。而本措施的重点是运用运用一种四非门组成的单稳态电路,配合转码管,形成转换,控制编码集成电路,将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,形成的发射原理是:每次发射时,编码集成电路是发射了两次编码,而且两次编码是有时序的,从而将普通的固定编码提升为了一种高密级编码。对本措施进一步解释如下:一、对本措施中转换器的说明:1、本措施形成的原理是,是由一种变换器的输出端连接编码集成电路的变动码,因而形成了这样的发射原理:每次发射编码时,编码集成是发射了两次编码,而且两次编码是有时序的,从而将普通的固定编码提升为了一种高密级编码。在现代的技术中,作案者可以借助于一种扫码器(既是按一定规律发出不同的编码的发射器)严密地试探地破解出密码。在滚动码中,仅管其发出的编码是变化的,且数量很多,但是因为发射时是一次编码,所以在理论上仍然存在破解的概率。而由于本专利技术对应的接收必须要要收到两次编码才能破解,所以按一次编码的规律破解,其破解概率显然为零,所以形成了另一种的高密级的方向研宄。2、本措施中的四非门式单稳态电路,由四个非门组成,主要有着两大好处,一是能实现初始态固定统一,所以能强化发射的时序性。产生这种规律的两次发射原理是,根据单稳态电路的原理,当控制开关闭合后,第一非门的输出为低位,因为第一非门与第二非门之间的交连电容不能跃变,所以第二非门输出为高位。同时第四非门输出为高位。成为发射输出的起始状态,此时交连电容的的上偏流向电容充电,此时成为第一阶段周期。待电容电充满后,此时第二非门的输入为高位,成为发射的第二阶段。第三非门与第四非门有着重要的意义,有很强的整形作用,原因是在两个状态的变化中,能加速两个阶段变化的时间,使波形更陡峭,因而有更好的发射效果。当电路在翻转时,与之直接相接的编码集成电路的变位端与随之变换,更是增加了密级度。二、在措施I中,四非门式单稳态电路、转码管、编码集成电路形成了这样的连接关系,编码集成电路的地址码被分成了两部分,一部分是预先已连接的固定码,另一部分是与转码管连接的变动码。本文档来自技高网
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【技术保护点】
四非门型单稳态发射电路,其特征是:由电源、四非门式单稳态电路、转码管、编码集成电路、射频电路、指示电路共同组成;其中:编码集成电路的数据输入端中的一位是变位端,连接四非门式单稳态电路的输出,编码集成电路的数据码中有一位为变动码,接转码管的发射极,其余接为固定码;指示电路由指示灯与保护电阻组成:指示灯的正极接电源,负极接保护电阻到地;电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为四非门型单稳态发射电路的电源;四非门式单稳态电路:第一非门的输入接电源,输出接一个交连电容后接第二非门的输入,第二非门的输入接一个积分电阻到第一非门的输入,积分电容接在第一非门的输入与地线间,第二非门的输出连接第三非门的输入,第三非门的输出连接第四非门的输入,第四非门的输出即是四非门式单稳态电路的输出,连接编码集成电路的变位码;转码管由三极管与一个电阻组成:三极管的基极连接一个电阻的一端,电阻的另一端接在四非门式单稳态电路的输出,集电极接地,发射极接编码集成电路的变动码;射频电路由射频电路由调制电路、发射电路、铜箔天线共同组成;调制电路由调制三极管与调制电阻组成:编码集成电路的输出连接调制电阻的一端,调制电阻另一端接调制三极管的基极,调制三极管的发射极接地,集电极接高频发射管的发射极;铜箔天线是英文小写字母n形状,两条垂直的铜箔上方用弧形铜箔相吻接,其尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米;发射电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极;高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端;铜箔天线的输入端与输出端之间接一个可调电容,可调电容并联一个固定电容;旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间;去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨飞杨远静
申请(专利权)人:重庆尊来科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:重庆;85

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