透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体技术

本发明专利技术提供透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体，提供在透明导电膜中存在一定范围的全长的膜缺陷时将膜缺陷部不可见化而将透明导电膜修复和再生的方法。还提供具备通过该方法进行了修复和再生的透明导电膜的透明导电层积体。本发明专利技术涉及透明导电膜的修复和再生方法，该方法的特征在于，包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，透明导电膜通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成，其配置于基材的至少一个面上，凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤或缺损、将存在于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、以及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹陷组成的组中的至少一种，凹部的全长为10～300μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体。
技术介绍
在智能手机等的显示装置中使用了透明导电膜，但是，在形成透明导电膜的过程 中或组装至显示装置的过程中有时会产生各种膜缺陷。特别是，在透明导电膜中W-定 W上的尺寸产生凹陷、或者在形成透明导电膜的过程中异物或气泡混入透明导电膜的情况 下，即使该样直接形成显示装置，该些膜缺陷部也会清楚地被看到。一般来说，使用ITO瓣 射膜作为透明导电膜，但是一旦产生的膜缺陷难W修复，不得不作为废品而废弃。因此，在 生产率和成本的方面存在问题。
技术实现思路
[000引专利技术要解决的课题 本专利技术的目的在于提供一种在透明导电膜中存在一定范围的全长的膜缺陷时将 膜缺陷部不可见化而对透明导电膜进行修复和再生的方法。另外，目的还在于提供一种具 备透明导电膜的透明导电层积体，该透明导电膜通过该方法进行了修复和再生。 用于解决课题的方案 本专利技术人进行了深入研究，结果发现；在透明导电膜中存在全长为10ym~ 300ym的膜缺陷时，通过在膜缺陷部层积透明树脂层，可W将膜缺陷部不可见化，从而对透 明导电膜进行修复和再生，由此完成了本专利技术。 目P，本专利技术设及一种透明导电膜的修复和再生方法，该透明导电膜的修复和再生 方法的特征在于，包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，[000引透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的，其配 置于基材的至少一个面上， 凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在 于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、W及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹 陷组成的组中的至少一种， 凹部的全长为10ym~300ym。 本专利技术的修复和再生方法优选的是，可W进一步包括在凹部涂布修复组合物的工 序， 该情况下，修复组合物在制成膜厚300nm的干燥膜时的全光线透过率为97%W 上，雾度为3%W下，在波长633皿的折射率为1.40~1.70,色度为-1.5~1.5。 本专利技术的修复和再生方法优选的是，在凹部涂布修复组合物的工序之后，进一步 包括将涂布于凹部的不需要的修复组合物除去的工序、或者加热处理工序。 本专利技术的修复和再生方法中，修复组合物优选含有导电材料和/或粘结剂。 本专利技术的修复和再生方法中，透明导电膜形成用组合物优选含有与修复组合物中 的粘结剂相同的粘结剂。另外，粘结剂优选为选自由聚醋树脂、丙締酸类树脂、聚氨醋、环氧 树脂、烷氧基硅烷低聚物和聚締姪树脂组成的组中的至少一种。 本专利技术的修复和再生方法中，透明导电膜形成用组合物优选含有选自由无机导电 微粒、金属纳米线和导电性聚合物组成的组中的至少一种作为导电材料。 本专利技术的修复和再生方法中，修复组合物优选含有选自由无机导电微粒、金属纳 米线和导电性聚合物组成的组中的至少一种作为导电材料。[001引另外，本专利技术设及一种透明导电层积体，其特征在于，其为具备基材、透明导电膜 和透明树脂层的透明导电层积体， 透明导电膜利用本专利技术的修复和再生方法进行了修复和再生。 本专利技术的透明导电层积体中，优选的是，基材为玻璃基材，该透明导电层积体中依 次层积有玻璃基材、透明导电膜和透明树脂层。 本专利技术的透明导电层积体中，透明树脂层优选为粘合层或硬涂层。[002引本专利技术的透明导电层积体中，优选的是，透明导电膜的膜厚为30nm~500nm，该透 明导电层积体被用于电磁波屏蔽材料、降噪、抗静电材料或透明电极。[002引专利技术的效果 根据本专利技术的修复和再生方法，在透明导电膜中存在全长为10ym~300ym的膜 缺陷时，通过在膜缺陷部层积透明树脂层，从而膜缺陷部被不可见化，结果可W将透明导电 膜修复和再生。由于透明导电膜的折射率与透明树脂层的折射率为相同程度，因此认为能 够将膜缺陷部不可见化。 另外，由于本专利技术的透明导电层积体具备通过本专利技术的修复和再生方法进行了修 复和再生的透明导电膜，因此，存在于透明导电膜的膜缺陷被不可见化，不会作为废品被废 弃，适合用于各种用途。【具体实施方式】 山透明导电膜的修复和再生方法 本专利技术的修复和再生方法为透明导电膜的修复和再生方法，其特征在于，该透明 导电膜的修复和再生方法包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，[002引透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的，其配 置于基材的至少一个面上， 凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在 于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、W及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹 陷组成的组中的至少一种， 凹部的全长为10ym~300ym。 下面，对本专利技术的修复和再生方法进行详细说明。 (1-1)透明导电膜 本专利技术的修复和再生方法中的透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电 膜形成用组合物而形成的，被配置于基材的至少一个面上。透明导电膜可W将透明导电膜 形成用组合物直接涂布于基材上而形成，也可W预先将底涂层等其它层设置于基材上后再 在该层上涂布透明导电膜形成用组合物而形成。作为透明导电膜的基材，使用透明基材。需要说明的是，本专利技术中，"透明基材"是 指全光线透过率为60%W上的基材。作为透明基材的材质，只要是透明的就没有特别限定，可W举出例如玻璃、聚对苯 二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲酸己二醇醋、改性聚醋等聚醋系树脂、聚己締（P巧树脂、 聚丙締（P巧树脂、聚苯己締树脂、环状締姪系树脂等聚締姪类树脂、聚氯己締、聚偏二氯己 締等己締基系树脂、聚離離酬（PEEK)树脂、聚讽任S巧树脂、聚離讽（PE巧树脂、聚碳酸醋 (PC)树脂、聚酷胺树脂、聚酷亚胺树脂、丙締酸类树脂、S己酷纤维素（TAC)树脂等。对透明基材的厚度没有特别限定，优选为10ym~10000ym、更优选为25ym~ 5000ym。另外，透明基材的全光线透过率只要为60%W上就没有特别限定，优选为70%W 上、更优选为80 %W上。透明导电膜可W通过将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面 上后进行加热处理而得到。[003引作为将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面上的方法，没有特 别限定，可W使用公知的方法，例如可W使用漉涂法、椿涂法、浸涂法、旋涂法、诱铸法、模涂 法、刮板涂布法、椿涂法、凹版印刷法、幕涂法、喷涂法、刮涂法、狭缝涂布法、凸版（活版）印 巧幡、孔版（丝网）印刷法、平版（胶版）印刷法、凹版（照相凹版）印刷法、喷雾印刷法、 喷墨印刷法、移印法等。在将透明导电膜形成用组合物涂布至透明基材的至少一个面上之前，根据需要可W预先对透明基材的表面实施表面处理。作为表面处理，可W举出例如电晕处理、等离子体 处理、ITRO处理、火焰处理等。对形成透明导电膜时的加热处理没有特别限定，利用公知的方法进行即可，例如， 使用鼓风烘箱、红外线烘箱、真空烘箱等进行即可。在透明导电膜形成用组合物含有溶剂的 情况下，通过加热处理除去溶剂。对形成透明导电膜时的加热处理的温度条件没有特别限定，优选为150°CW下、更 优选为50°C~140°C、进一步优选为60°C~130°C。若加热处理的温度超过150°C，则所使 用的基材的材质受到限定，例如，无法使用PET膜、聚碳酸醋膜、丙締酸类膜等一般本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜的修复和再生方法，该方法的特征在于，该方法包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序，透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的，该透明导电膜被配置于基材的至少一个面上，凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、以及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹陷组成的组中的至少一种，凹部的全长为10μm～300μm。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大堀达也，久留岛康功，常田义真，
申请(专利权)人：长濑化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP