本发明专利技术提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明专利技术的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种能够实现基板之间的光互联的光互联装置。
技术介绍
在利用光纤的长距离信号传输领域中，光互联发挥高速、大容量的传输、优异的耐噪音性、电缆细径化等特征，目前正广为普及。另一方面，为了进一步推进信息处理装置内的信息处理速度的高速化，所谓板之间、芯片之间或芯片内的极短距离的光互联必不可少，为此目前正在进行技术开发。近年来，为了实现半导体基板的高密度安装，提出有一种层叠配置半导体基板的3维安装技术。基板之间的光互联作为不进行基于导电线的连接或利用光纤的连接便实现该被层叠配置的半导体基板之间的信号传输的技术而备受关注。下述专利文献I中所记载的以往技术中示出，层叠配置多个光传输基板，在设置于一个基板的发光元件与设置于另一基板的受光元件之间进行光信号的接收和发送。以往技术文献专利文献专利文献1:日本专利公开2000-277794号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题当层叠配置多个基板，在设置于一个基板的发光元件与设置于另一基板的受光元件之间进行光信号的接收和发送时，需要使进行接收和发送的发光元件和受光元件的位置在不同的基板上进行高精确度的对位，发光元件或受光元件在基板上的对准精确度便成为问题。尤其，在基板上安装发光元件或受光元件时，需要在进行高精确度的对位之后在基板上安装发光元件或受光元件，存在制造工序变得复杂的问题。在层叠配置多个基板的光互联中，尤其，当转接一个基板来接收从一个基板传送过来的光信号并向另一基板发送时，需要在一个基板的一面侧配置受光元件，而在另一面侧配置发光元件，由于需要在基板的两侧形成发光元件或受光元件，因此存在制造工序变得更复杂的问题。并且，在基板上高密度地配置发光元件或受光元件时，即使在不同的基板之间以高精确度被对位的一对发光元件与受光元件之间进行光信号的接收和发送时，有时发光元件和受光元件的定向性较弱，存在产生信号的误传输(串扰)的问题，即受光元件接收原本不应接收的从一个发光元件发出的光信号的问题。本专利技术将应对这种问题作为课题的一例。即，本专利技术的目的在于，以比较简单的制造工序能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送时也能够以比较简单的制造工序形成，即使在高密度地配置发光元件或受光元件的情况下也能够抑制基板之间信号传输的串扰等。用于解决技术课题的手段为了实现这种目的，基于本专利技术的光互联装置至少具备以下结构。一种光互联装置，其在层叠配置的多个半导体基板之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个所述半导体基板的发光元件或受光元件具备将所述半导体基板作为共同的半导体层的pn接合部，且形成于所述半导体基板的一面侧，在不同的所述半导体基板之间进行光信号的接收和发送的一对所述发光元件和所述受光元件中，由该发光元件发出的光透过所述半导体基板而被该受光元件接收。专利技术效果根据具有这种特征的光互联装置，多个发光元件或受光元件具备将半导体基板作为共同的半导体层的pn接合部，并且利用半导体光刻技术在一个半导体基板上制造，因此能够以比较简单的制造工序来提高发光元件或受光元件在半导体基板中的对准精确度。在不同的半导体基板之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件和受光元件中，由该发光元件发出的光透过半导体基板而被该受光元件接收，因此仅在半导体基板的一面侧配置发光元件或受光元件而能够形成中继基板。由此，也能够以比较简单的制造工序形成具备发光元件或受光元件的中继基板。在不同的半导体基板之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件和受光元件分别进行共同波长的发光和受光，从而，即使在高密度地配置发光元件或受光元件的情况下，也能够抑制基板之间(芯片之间)信号传输的串扰。在不同的半导体基板之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件和受光元件中，由该发光元件发出的光经由聚光机构而被该受光元件接收，从而，即使在高密度地配置发光元件或受光元件的情况下，也能够抑制基板之间(芯片之间)信号传输的串扰。【附图说明】图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的说明图。图2是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的说明图。图3是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置中的发光元件或受光元件的结构例的说明图。图4是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的发光元件或受光元件的形成方法的说明图。图5是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置中的发光元件或受光元件的具体例的说明图((a)表示剖面结构，(b)表示平面结构)。图6是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的发光元件或受光元件的具体的形成方法的说明图((a)、(b)、(c)、(d)表示各工序)。图7是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的方式例的说明图。图8是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的方式例的说明图。图9是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的方式例的说明图。图10是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的方式例的说明图。【具体实施方式】以下，参考附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1及图2是表示本专利技术的实施方式所涉及的光互联装置的说明图。光互联装置I具备层叠配置的多个半导体基板10(10-1、10-2)，并在多个半导体基板10(10-1、10-2)之间进行光信号的接收和发送。图示例中，层叠配置有2片半导体基板10，但并不限于此，层叠配置2片以上的半导体基板10即可。一个半导体基板10上配置有发光元件2或受光元件3。发光元件2或受光元件3可为多个也可为一个。配置多个发光元件2或受光元件3时的配置方式并无特别的限定，包括点阵形状排列、条纹状排列、直线状排列等任意排列。并且，也可在一个半导体基板10上仅配置发光元件2，而在另一半导体基板10上仅配置受光元件3。各半导体基板10上，除了发光元件2和受光元件3以外，还能够形成或安装用于驱动发光元件2或受光元件3的驱动电路、向发光元件2的驱动电路输出信号的运算处理电路(集成电路)、输入来自受光元件3的驱动电路的信号的运算处理电路(集成电路)等。在光互联装置I中，配置于一个半导体基板10的发光元件2或受光元件3具备将半导体基板10作为共同的半导体层的pn接合部ΙΟρη。除此之外，配置于一个半导体基板10的发光元件2或受光元件3形成于半导体基板10的一面侧。在不同的半导体基板10 (半导体基板10-1和半导体基板10-2)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件2和受光元件3中，由发光元件2发出的光透过半导体基板10而被受光元件3接收。通过发光元件2和受光元件3能够形成2个形态的收发部11 (11a、lib)。在收发部Ila中，由发光元件2发出的光透过形成有该发光元件2的半导体基板10而被形成于另一半导体基板10的受光元件3接收。并且，在收发部Ilb中，由发光元件2发出的光透过另一半导体基板10而被形成于该半导体基板10的受光元件3接收。图2所示的光互联装置I中，在不同的半导体基板10(10-1、10_2)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件2(2-1、2-2)和受光元件3(3-1、3-2)分别进行共同波长的发光和受光。具体而言，当为半导体基板10-1中的一个发光元件2-1和半导体基板10-2中的一个受光元件3-1进行光信号的发送和接收时，发光元件2-1具有发射波本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光互联装置，其在被层叠配置的多个半导体基板之间进行光信号的接收和发送，该光互联装置的特征在于，配置于一个所述半导体基板的发光元件或受光元件具备将所述半导体基板作为共同的半导体层的pn接合部，且形成于所述半导体基板的一面侧，在不同的所述半导体基板之间进行光信号的接收和发送的一对所述发光元件和所述受光元件中，由该发光元件发出的光透过所述半导体基板而被该受光元件接收。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：梶山康一，水村通伸，石川晋，金尾正康，小川吉司，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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