本发明专利技术实施例公开了一种LED显示面板及其制作方法，以及一种包括该LED显示面板的显示装置，该LED显示面板包括：衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括：位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。本发明专利技术实施例所提供的LED显示面板功耗较小。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LED显示面板及其制作方法，以及一种包括该LED显示面板的显示装置。
技术介绍
TFT-1XD显示屏是薄膜晶体管液晶显示屏，TFT-1XD显示屏中每个像素都设有一个薄膜晶体管，即TFT，使得其每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因而每个节点都相对独立，并可以连续控制，从而不仅提高了显示屏的反应速度，还可以精确控制显示色阶，使得TFT-1XD显示屏的对比度高，层次感较强，色彩较为鲜艳。但是，TFT-1XD显示屏比较耗电，导致其功耗比较大。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种LED显示面板及其制作方法，以及一种包括该LED显示面板的显示装置，以降低显示屏的功耗。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:一种LED显示面板，包括:衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。优选的，所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层，所述漏极位于所述N型半导体层朝向所述发光层一侧的表面。优选的，所述栅极与所述沟道层之间形成有栅介质层。优选的，所述栅极至少覆盖所述沟道层沿所述N型半导体层至P型半导体层方向的一个侧面。优选的，所述沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间时，所述栅极的施加电压为负电压。优选的，所述沟道层位于所述漏极与所述N型半导体层之间时，所述栅极的施加电压为正电压。优选的，所述源极为单层金属结构，或多层金属结构，或掺杂半导体层与金属的复合结构。优选的，所述漏极为单层金属结构，或多层金属结构，或掺杂半导体层与金属的复合结构。优选的，所述发光层为多量子阱发光层；所述P型半导体层为P型In-GaN层或P型GaN层；所述N型半导体层为N型In-GaN层或N型GaN层。优选的，所述LED显示面板还包括:位于所述P型半导体层表面的ITO电流扩展层。优选的，所述LED显示面板还包括:绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述晶体管、发光二极管和衬底。一种包括上述任一项所述的LED显示面板的显示装置。一种LED显示面板制作方法，包括:提供衬底；在衬底表面形成发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层,位于所述发光层表面的P型半导体层；在所述发光二极管表面形成晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。优选的，在所述衬底表面形成发光二极管包括:在所述衬底表面形成N型半导体层；在所述N型半导体层表面形成发光层；在所述发光层表面形成P型半导体层。优选的，在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层，所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层。优选的，在所述N型半导体层表面形成发光层包括:在所述N型半导体层表面形成发光层，所述发光层完全覆盖所述N型半导体层；对所述发光层进行刻蚀，去除部分所述发光层，使得所述发光层不完全覆盖所述N型半导体层。优选的，在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成沟道层；在所述沟道层表面形成源极和栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅极；在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成漏极。优选的，在所述发光二极管表面形成晶体管包括:在所述P型半导体层表面形成源极；在所述N型半导体朝向所述P型半导体一侧的表面形成沟道层；在所述沟道层表面形成漏极和栅介质层；在所述栅介质层表面形成栅极。优选的，在所述发光二极管表面形成晶体管之前还包括:在P型半导体层表面形成ITO电流扩展层。优选的，在所述发光二极管表面形成晶体管之后还包括:在所述晶体管背离所述发光二极管一侧形成绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述晶体管、发光二极管和衬底。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的LED显示面板，包括:衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面，从而使得本专利技术实施例所提供的LED显示面板在工作过程中，当所述晶体管处于打开状态时，其相应的发光二极管导通，开始发光，相应的像素进行显示，当所述晶体管处于关闭状态时，其相应的发光二极管不导通，不发光，相应的像素不显示。由此可见，本专利技术实施例所提供的技术方案中，只有在晶体管打开时，其相应的发光二极管才导通发光，反之，其相应的发光二极管不导通，从而降低了所述显示屏的功耗。而且，发光二极管的工作电压很小，工作电流很低，从而使得所述发光二极管的功耗很小，进一步降低了本专利技术实施例所提供的LED显示面板的功耗。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的LED显示面板的一种结构示意图；图2为本专利技术实施例所提供的LED显示面板的另一种结构示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，现有技术中的TFT-1XD显示屏比较耗电，导致其功耗比较大。专利技术人研究发现，这是由于TFT-1XD显示屏中一般采用背光技术，并对每个像素均设置有一个TFT，类似百叶窗的开关，当TFT打开时，背光发出的光线可以透过像素，其相应的像素可以进行相应的显示，当TFT关闭时，背光发出的光线无法透过像素，其相应的像素不显示。但是，在整个过程中，所述TFT-1XD的背光始终处于工作状态，从而导致现有技术中的TFT-1XD显示屏比较耗电，功耗较大。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种LED显示面板，包括:衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括:位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED显示面板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括：位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：龙浩，阳光，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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