本发明专利技术公开了一种PC眼镜片镀膜方法，本发明专利技术的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，膜层密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于PC眼镜片加工
，具体涉及一种PC眼镜片镀膜方法。
技术介绍
PC的化学名称叫聚碳酸脂(polycarbonate)，是一种环保型工程塑料。PC材料的特点:重量轻、抗冲击强度高、硬度高、折射指数高、机械性能良好、热塑性好、电绝缘性能良好、不污染环境等优点。PC被广泛应用于Cd\vCd\dvd的光盘、汽车零部件、照明灯具和器材、交通行业的玻璃窗户、电子电器、医疗保健、光学通讯、眼镜镜片制造等众多行业。随着PC眼镜市场逐步扩大，其PC眼镜片也越来越得到消费者的关注。PC眼镜片具有超高的抗破碎性和100%阻挡紫外线，且其镜片薄、透亮、重量轻，但其光学性能和机械性能仍然有待进一步的完善，现有技术多采用镀膜方式进行改善，但效果仍不尽理想。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种PC眼镜片镀膜方法。本专利技术的具体技术方案如下:一种PC眼镜片镀膜方法，包括如下步骤:(I)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70°C?95°C烘烤8小时以上；(2)对步骤⑴烘烤后的PC眼镜片在2.0?2.3X 10_5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70?78°C，离子轰击速率为180?190a/sec，时间为2?5min，氩气流量为18_23sccm，时间2?5min ；(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700?2800 μ m的S1jl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 lorr，温度为70?78°C，5102固体熔化电压为7?7.3kV，S1 2固体熔化电流为115?155A ；(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的S1Jl上镀制厚度为300?370 μm的ZrOJl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr，温度为70?78°C，21<)2固体熔化电压为7?7.3kV，2102固体熔化电流为220?260A ；(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrOJl上镀制厚度为100?160 μm的S1Jl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr，温度为70?78°C，3102固体熔化电压为7?7.3kV，3102固体熔化电流为115?155A ；(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的S1Jl上镀制厚度为820?9000 ym的ZrOJl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr，温度为70?78°C，21<)2固体熔化电压为7?7.3kV，2102固体熔化电流为220?260A ；(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的21<)2层上镀制厚度为50?120 μ m的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10_5torr，温度为70?78°C，IT0固体熔化电压为7?7.4kV，ITO固体熔化电流为10?23A，氧气流量为20_32sccm，时间I?2min，离子轰击速率为180?190a/sec，时间为2?5min ；(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(J)镀制的ITO层上镀制厚度为800?880 ym的S1Ji，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr，温度为70?78°C，S12固体熔化电压为7?7.3kV，3102固体熔化电流为115?155A ；(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的S1Jl上镀制厚度为100?170 μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为:真空度为2.0?2.3X10_5torr，温度为70?78°C, HT-100固体熔化电压为7?7.4kV，HT-100固体熔化电流为8?22A。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(I)为:将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70°C?90°C烘烤8?10小时。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(2)为:对步骤(I)烘烤后的PC眼镜片在2.0X10_5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70?75°C，离子轰击速率为180a/sec，时间为2?4min，氩气流量为20_22sccm，时间3min。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(3)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700?2750 ym的S1jl，具体参数为:真空度为2.0X 10_5torr，温度为70?75°C，S12固体熔化电压为7kV，S1 2固体熔化电流为120 ?150A。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(4)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤⑶镀制的S1Jl上镀制厚度为300?350 ym的ZrO 2层，具体参数为:真空度为2.0Xl(T5torr，温度为70?75°C，21<)2固体熔化电压为7kV，ZrO 2固体熔化电流为220?240Ao在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(5)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤⑷镀制的ZrOJl上镀制厚度为110?150 ym的S1 2层，具体参数为:真空度为2.0\10_5如1^，温度为70?75°〇，S1^体熔化电压为7kV，S1 2固体熔化电流为120?150Ao在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(6)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的S1Jl上镀制厚度为830?880 ym的ZrO 2层，具体参数为:真空度为2.0Xl(T5torr，温度为70?75°C，21<)2固体熔化电压为7kV，ZrO 2固体熔化电流为220?240Ao在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(J)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrOJl上镀制厚度为50?100 ym的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，ITO固体熔化电压为7kV，ITO固体恪化电流为10?20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2?4min。在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(8)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810?860 ym的S1jl，具体参数为:真空度为2.0\10_5如1^，温度为70?75°〇，S1^体熔化电压为7kV，S1 2固体熔化电流为120?150Ao在本专利技术的一个优选实施方案中，所述步骤(9)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的S1Jl上镀制厚度为100?150 μπι的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为:真空度为2.0Xl(T5torr，温度为70?75°C，HT-100固体熔化电压为7kV，HT-100固体熔化电流为10?20A。本专利技术的有益效果是:本专利技术的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制S1jl、ZrO 2层、S1 2层、ZrO 2层、ITO层、S1 2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，磨蹭密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了 PC眼镜片的光学性能和机械性能。【具体实施方式】以下通过【具体实施方式】本专利技术的技术方案进行进一步的说明和描述。实施例1一种PC本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70℃～95℃烘烤8小时以上；(2)对步骤(1)烘烤后的PC眼镜片在2.0～2.3×10‑5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70～78℃，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min，氩气流量为18‑23sccm，时间2～5min；(3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700～2800μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的SiO2层上镀制厚度为300～370μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；(5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrO2层上镀制厚度为100～160μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的SiO2层上镀制厚度为820～9000μm的ZrO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ZrO2固体熔化电压为7～7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220～260A；(7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrO2层上镀制厚度为50～120μm的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，ITO固体熔化电压为7～7.4kV，ITO固体熔化电流为10～23A，氧气流量为20‑32sccm，时间1～2min，离子轰击速率为180～190a/sec，时间为2～5min；(8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为800～880μm的SiO2层，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，SiO2固体熔化电压为7～7.3kV，SiO2固体熔化电流为115～155A；(9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的SiO2层上镀制厚度为100～170μm的HT‑100层，冷却后即得产品，具体参数为：真空度为2.0～2.3×10‑5torr，温度为70～78℃，HT‑100固体熔化电压为7～7.4kV，HT‑100固体熔化电流为8～22A。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周贤建，
申请(专利权)人：瑞之路厦门眼镜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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