一种大电流高压硅堆清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种大电流高压硅堆清洗工艺，步骤为：利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t2=300s±5s；将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗；将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；将高压硅堆进行丙酮脱水处理；最后，利用热N2将高压硅堆吹干。本发明专利技术的优点在于：利用本工艺对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流高压硅堆清洗工艺
本专利技术涉及一种大电流高压硅堆清洗工艺。
技术介绍
高压硅堆由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕（包括老式电视机，电脑屏幕）中必不可少的部分。有很多厂家生产高压硅堆。电压从1KV~1000KV;电流从1mA~100A不等。目前，在行业生产中，对于电流在350mA以上的高压硅堆称为大电流高压硅堆。对于大电流高压硅堆在生产的过程中，会有一道焊接工序，而在焊接工序后，在大电流高压硅堆表面长会附着有焊油、灰尘、水汽等杂质，如果直接将这样的高压硅堆作为成品使用，会对其耐久性、可靠性等性能造成影响，因此研究出一种大电流高压硅堆清洗工艺以去除其表面的杂质势在必行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够很好的将高压硅堆表面的杂质清洗的大电流高压硅堆清洗工艺。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种大电流高压硅堆清洗工艺，其创新点在于：所述步骤为：a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t1=84s±1s；b）将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；c）然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；d）将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t2=300s±5s；e）将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；f）再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗，清洗的时间t3=84s±1s；g）将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；h）将高压硅堆进行丙酮脱水处理；i）最后，利用热N2将高压硅堆吹干。进一步的，所述步骤b中溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t4=300s±5s，二级溢水清洗的时间t5=300s±5s。进一步的，所述步骤c中KOH溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级KOH溶液清洗及第二级KOH溶液清洗，其中第一级KOH溶液清洗的时间t6=84s±1s，温度T1=84℃±4℃，第二级KOH溶液清洗的时间t7=84s±1s，温度T2=84℃±4℃。进一步的，所述步骤e中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t8=300s±5s，二级溢水清洗的时间t9=300s±5s。进一步的，所述步骤g中的溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t10=300s±5s，二级溢水清洗的时间t11=300s±5s。进一步的，所述一级溢水清洗与二级溢水清洗之间还增设有超声清洗工序，超声清洗的时间t12=300s±5s。进一步的，所述步骤h中的丙酮脱水处理一共有两道工序，分别为一级丙酮脱水处理及二级丙酮脱水处理，其中一级丙酮脱水处理的时间t13=300s±5s，二级丙酮脱水处理的时间t14=300s±5s。本专利技术的优点在于：利用本工艺对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性。具体实施方式本专利技术的大电流高压硅堆清洗工艺包括以下几个步骤：第一步，首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t1=84s±1s。第二步，将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗。在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t4=300s±5s，二级溢水清洗的时间t5=300s±5s。第三步，然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗。在本步骤中，KOH溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级KOH溶液清洗及第二级KOH溶液清洗，其中第一级KOH溶液清洗的时间t6=84s±1s，温度T1=84℃±4℃，第二级KOH溶液清洗的时间t7=84s±1s，温度T2=84℃±4℃。第四步，将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t2=300s±5s。第五步，将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗。在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t8=300s±5s，二级溢水清洗的时间t9=300s±5s。第六步，再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗，清洗的时间t3=84s±1s。第七步，将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗。在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t10=300s±5s，二级溢水清洗的时间t11=300s±5s。同时，在本步骤中的一级溢水清洗与二级溢水清洗之间还增设有超声清洗工序，超声清洗的时间t12=300s±5s。第八步，将高压硅堆进行丙酮脱水处理。在本步骤中，丙酮脱水处理一共有两道工序，分别为一级丙酮脱水处理及二级丙酮脱水处理，其中一级丙酮脱水处理的时间t13=300s±5s，二级丙酮脱水处理的时间t14=300s±5s。第九步，最后，利用热N2将高压硅堆吹干。表1为利用本专利技术的小电流高压硅堆清洗工艺对高压硅堆进行清洗后进行测试的数据表。测试环境是在温度在25±5℃，相对湿度≤60%条件下，放置2小时以上24小时以内后按电性测试条件进行测试。表1由表1中的数据可以很明显的看出，利用本工艺清洗后的高压硅堆在各个性能方面都要优异于未经过清洗的高压硅堆，且利用本工艺清洗后的高压硅堆各项测试数据均符合行业内标准，而未经过清洗的高压硅堆则达不到行业标准。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大电流高压硅堆清洗工艺，其特征在于：所述步骤为：a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t1=84s±1s；b）将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；c）然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；d）将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t2=300s±5s；e）将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；f）再将高压硅堆利用EDTA‑2Na超声清洗，清洗的时间t3=84s±1s；g）将经过EDTA‑2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；h）将高压硅堆进行丙酮脱水处理；i）最后，利用热N2将高压硅堆吹干。

【技术特征摘要】
1.一种大电流高压硅堆清洗方法，其特征在于：步骤为：a）首先，利用机械臂将高压硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的时间t1=84s±1s；b）将经过HF溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗；c）然后，利用机械臂将高压硅堆放入KOH溶液中进行清洗；d）将经过KOH溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理，喷淋的时间t2=300s±5s；e）将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗；f）再将高压硅堆利用EDTA-2Na超声清洗，清洗的时间t3=84s±1s；g）将经过EDTA-2Na超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗；h）将高压硅堆进行丙酮脱水处理；i）最后，利用热N2将高压硅堆吹干。2.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗方法，其特征在于：所述步骤b中溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗，其中一级溢水清洗的时间t4=300s±5s，二级溢水清洗的时间t5=300s±5s。3.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗方法，其特征在于：所述步骤c中KOH溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级KOH溶液清洗及第二级KOH溶液清洗，其中第一级KOH溶液清...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽凤，王志敏，张龙，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32