驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管制造技术

技术编号:12052069 阅读:176 留言:0更新日期:2015-09-13 23:44
本实用新型专利技术公开了驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,引线框架是由内圆和外圆构成,JFET集成管芯倒装引线框架的内圆里为JFET的漏极,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层上设置有能容纳JFET栅极的天窗,所述的JFET源极的圆周面上有一个供包封层扣压密封的凹槽。内圆和外圆是识别极性的漏极和源极,源、漏极的背面是栅极。所述包封层天窗里容纳的JFET栅极是裸封。本技术方案特别使用做微型、超薄系列的驻极体电容传声器,并且结构简单,实用型强,并能提高驻极体传声器的生产效率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
:本技术涉及一种结型场效应晶体管,特别适用于驻极电容传声器上使用。
技术介绍
:现今的通讯科技十分发达,其相关电声产品的设计也以微型趋势发展,驻极传声器也需要更加微型,但由于目前驻极传声器上使用的是印刷电路板,其上贴的电子元件经二次回流焊,由于人工成本日趋升高,再加之电子元件需人工焊接,必将会导致驻极传声器工作的可靠性和使用寿命,所述的印刷电路板简称为PCB。
技术实现思路
:本技术的任务是提出一种减少组装工序,加工驻极体传声器用贴片机自动贴片的一种驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管。本技术的任务是这样完成的,驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,其特征在于:引线框架是由内圆和外圆构成,JFET集成管芯倒装引线框架的内圆里为JFET的漏极,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层上设置有能容纳JFET栅极的天窗,所述的JFET源极的圆周面上有一个供包封层扣压密封的凹槽。内圆和外圆是识别极性的漏极和源极,源、漏极的背面是栅极。所述包封层天窗里容纳的JFET栅极是裸封。本技术具有以下效果:本技术方案特别使用做微型、超薄系列的驻极体电容传声器,并且结构简单,实用型强,并能提高驻极体传声器的生产效率和可靠性。【附图说明】:图1是本技术的结构不意图;图2是图1的俯视图;图3是广品的结构不意图;图4是本技术的分解结构示意图。图面说明:1、JFET 栅极,2、包封层,3、JFET 源极,4、JTEF 漏极。【具体实施方式】:本技术方案是解决现有的驻极体传声器不能用自动贴片机生产,不能二次回流焊之问题,用结型肠晶体管替代现有的PCB板,所述的结型肠晶体管简称为JFET,为了描述更为方便,下面涉及到结型肠效应晶体管时用JFET代替。具体实施例如图1、图2、图3所示,采用本技术方案生产驻极体传声器可以系列化,直径可以在3mm以下,高度为Imm以下,并能使用自动贴片机、耐二次回流焊,本技术方案由引线框架、JFET集成管芯和包封层构成,所述的引线框架是一种非标准框架,是由内圆和外圆组成,所述的JFET集成管芯经倒装引线框架的内圆里焊接后为JFET漏极4,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层2的形状是一个圆面,其圆面上开有天窗,包封层是将引线框架和JFET集成管芯连接和固定,进一步说:所述的包封层上设置有能容纳JFET栅极I的天窗,所述的JFET源极3的圆周面上有一个供固定包封层的凹槽,如图2所示,通过扣压密封的形式将引线框架和JFET集成管芯连接固定在一起,固定好的结型场效应晶体管一面为源极和漏极,另一面是栅极,进一步说:包封层这面的天窗里容纳的JFET栅极是裸封,栅极可直接作为驻极电容传声器上的栅极,JFET源极、漏极为内、外圆易识别极性,从而减少驻极电容传声器的生产流程。【主权项】1.驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,其特征在于:引线框架是由内圆和外圆构成,JFET集成管芯倒装引线框架的内圆里为JFET的漏极,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层上设置有能容纳JFET栅极的天窗,所述的JFET源极的圆周面上有一个供包封层扣压密封的凹槽。2.根据权利要求1所述的驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,其特征在于:内圆和外圆是识别极性的漏极和源极,源、漏极的背面是栅极。3.根据权利要求1所述的驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,其特征在于:所述包封层天窗里容纳的JFET栅极是裸封。【专利摘要】本技术公开了驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,引线框架是由内圆和外圆构成,JFET集成管芯倒装引线框架的内圆里为JFET的漏极,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层上设置有能容纳JFET栅极的天窗,所述的JFET源极的圆周面上有一个供包封层扣压密封的凹槽。内圆和外圆是识别极性的漏极和源极,源、漏极的背面是栅极。所述包封层天窗里容纳的JFET栅极是裸封。本技术方案特别使用做微型、超薄系列的驻极体电容传声器,并且结构简单,实用型强,并能提高驻极体传声器的生产效率和可靠性。【IPC分类】H04R19/01【公开号】CN204634041【申请号】CN201520371562【专利技术人】杜志民, 郭谨春, 郭立洲, 李福菊, 杨琳, 张修娟, 周继瑞, 王一宇, 许宗瑞, 郭光超, 马德水 【申请人】河南芯睿电子科技有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年6月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
驻极体电容传声器上专用的结型场效应晶体管,其特征在于:引线框架是由内圆和外圆构成,JFET集成管芯倒装引线框架的内圆里为JFET的漏极,引线框架的外圆里倒装有JFET源极,包封层上设置有能容纳JFET栅极的天窗,所述的JFET源极的圆周面上有一个供包封层扣压密封的凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杜志民郭谨春郭立洲李福菊杨琳张修娟周继瑞王一宇许宗瑞郭光超马德水
申请(专利权)人:河南芯睿电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:河南;41

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