多晶硅还原炉的绝缘套筒制造技术

本实用新型专利技术提出了一种多晶硅还原炉的绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原上时，绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。本实用新型专利技术中的绝缘套筒不会与氢气、氯化氢、氯化硅等气体反应，稳定性好，能起到隔热、防腐、耐高温效果；在组装时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种绝缘套筒，特别是指一种多晶硅还原炉的绝缘套筒。
技术介绍
多晶硅还原炉的主要技术是三氯氢硅还原法，生产过程中工艺气体被硅芯电机加热至1100°C左右，使三氯氢硅与氢气反应生成多晶硅并沉积在硅芯电机表面，形成硅棒。而硅芯电极的工作电压在15000V左右，如此高温高压的条件下，对硅芯电极的要求非常高。目前采用的硅芯电极主要包括电极体、加热石墨头硅芯及电极座，电极座，其中电极座与电极体之间通过绝缘套筒进行绝缘。现有的绝缘套筒通常为聚四氟乙烯绝缘套筒，由于还原炉内温度非常高，虽然通过设备底盘对电极座进行冷却，但聚四氟乙烯绝缘套筒所处环境的温度仍然很高，在长时间运行后容易失效，造成电极座与电极体之间击穿，导致生产事故。
技术实现思路
本技术提出一种多晶硅还原炉的绝缘套筒，解决了现有技术中绝缘套筒容易失效而导致电极座与电极体之间击穿等问题。本技术的技术方案是这样实现的:一种绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由该绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原炉上时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。优选方案为，所述内环与外环连接处的内外两侧分别形成圆弧形的倒角。优选方案为，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间。优选方案为，所述绝缘顶缘由绝缘筒体顶端的外周缘向外水平延伸。优选方案为，所述绝缘顶缘外周缘的最大边界小于该绝缘盘的最大边界。优选方案为，所述绝缘盘的底端与还原炉的电极座之间还设有弹性垫圈。本技术的有益效果为:本技术中的绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒，不会与氢气、氯化氢、氯化硅等气体反应，稳定性好，能起到隔热、防腐、耐高温效果；在组装时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁而被击穿现象的发生。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术多晶硅还原炉的绝缘套筒的剖视图；图2为图1中绝缘套筒的倒置后的立体图。图中:100、绝缘套筒；10、绝缘筒体；20、绝缘盘；30、绝缘顶缘；11、内孔；21、内环；22、外环。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1及图2所示，该绝缘套筒100用于套设在一多晶娃还原炉的电极体上，并位于该多晶娃还原炉的电机座内。该绝缘套筒100包括绝缘筒体10、连接设于该绝缘筒体10中部的绝缘盘20及连接设于该绝缘筒体10顶端的绝缘顶缘30。该绝缘套筒100为氮化娃绝缘套筒，所述绝缘筒体10、绝缘盘20及绝缘顶缘30为一体式结构。所述绝缘筒体10为圆筒状，其内孔11由上向下均匀延伸，即各处孔径相等。该绝缘筒体内径为35-55mm，外径为60-120mm。该绝缘筒体热导率为20-25W/m *k，能够耐1400°C左右的高温，且耐腐蚀。所述绝缘盘20连接设于该绝缘筒体10的外周缘的中部，其包括与绝缘筒体10连接的内环21及与该内环21连接的外环22。所述内环21由该绝缘筒体10中部的外周缘向外水平延伸，所述外环22由该内环21的边缘向下垂直延伸。所述内环21与外环22连接处的内外两侧分别形成圆弧形的倒角。组装时，所述绝缘筒体10与绝缘盘20及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁。在绝缘盘20的底端与还原炉的电极座之间还设有弹性垫圈(图未示)，从而可以增强绝缘套筒100与电极座之间装配的紧密度，且有效降低硅棒生长和移除对硅芯电极的影响。所述绝缘顶缘30由绝缘筒体10顶端的外周缘向外水平延伸，且其外周缘的最大边界小于该绝缘盘20的最大边界。通过该绝缘顶缘30可使蒸汽通过其向远离绝缘筒体10的方向流动，防止液体通过绝缘筒体10的外壁流入其内孔而形成积液问题，由此，避免了使用者对积液的清理过程，从而降低使用者的劳动强度。该绝缘套筒100为氮化硅绝缘套筒，不会与氢气、氯化氢、氯化硅等气体反应，稳定性好，能起到隔热、防腐、耐高温效果，既可以有效防止剥落的碳毡等导电材料将电极与底盘接通，造成短路现象，又可以将电极体与还原炉内的高温隔离，从而避免还原炉发生氢气泄漏甚至爆炸等安全事故。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，其特征在于:该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由该绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原炉上时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。2.如权利要求1所述的绝缘套筒，其特征在于:所述内环与外环连接处的内外两侧分别形成圆弧形的倒角。3.如权利要求1所述的绝缘套筒，其特征在于:所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间。4.如权利要求1所述的绝缘套筒，其特征在于:所述绝缘顶缘由绝缘筒体顶端的外周缘向外水平延伸。5.如权利要求4所述的绝缘套筒，其特征在于:所述绝缘顶缘外周缘的最大边界小于该绝缘盘的最大边界。6.如权利要求1至5中任何一项所述的绝缘套筒，其特征在于:所述绝缘盘的底端与还原炉的电极座之间还设有弹性垫圈。【专利摘要】本技术提出了一种多晶硅还原炉的绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原上时，绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。本技术中的绝缘套筒不会与氢气、氯化氢、氯化硅等气体反应，稳定性好，能起到隔热、防腐、耐高温效果；在组装时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘围成一封闭空间，以降低内硅棒辐射热及高温气流对绝缘套筒的烧毁。【IPC分类】C01B33/03【公开号】CN204625194【申请号】CN201520196908【专利技术人】李刚 【申请人】新德隆特种陶瓷（大连）有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘套筒，用于套设在一多晶硅还原炉的电极体上，并位于该多晶硅还原炉的电机座内，其特征在于：该绝缘套筒包括绝缘筒体、连接设于该绝缘筒体中部的绝缘盘及连接设于该绝缘筒体顶端的绝缘顶缘，所述绝缘盘包括由该绝缘筒体中部的外周缘向外水平延伸的内环及由该内环的边缘向下垂直延伸的外环，在绝缘套筒设于还原炉上时，所述绝缘筒体与绝缘盘及还原炉的底盘之间形成封闭空间，所述绝缘套筒为氮化硅绝缘套筒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：新德隆特种陶瓷大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21