微安表电磁信号场强计制造技术

本实用新型专利技术提供了一种微安表电磁信号场强计，其特征包括：1.5V直流电源、电磁信号检波及滤波电路、复合放大增益选择及指示电路、灵敏度调节电路，在电磁信号检波及滤波电路中，锗二极管D1～D2选用的型号为2AP9。本实用新型专利技术所述的微安表电磁信号场强计选用FM-10型万用表(10μA档)作为定性指示器件，对FM-10型万用表不需作任何改动，可用于测量各种小型发射机发出的电磁信号场强，电磁信号场强的测量结果能够满足一般技术要求。它具有电路结构简单、测量灵敏度较高、工作性能稳定、制作成本低等特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电磁信号测量
，是关于一种微安表电磁信号场强计。
技术介绍
用于测量电磁信号场强的方法和仪器很多，市场上专业用于测量电磁信号场强的仪器虽然性能优良，但存在着售价高，非专业单位或人员难于接受等缺陷。为了克服和弥补这些问题，研制一种电路结构简洁、制作成本低、工作性能稳定、且实用的电磁信号场强计很有必要。本技术所述的微安表电磁信号场强计选用FM-10型万用表(1yAS)作为定性指示器件，对FM-10型万用表不需作任何改动，可用于测量各种小型发射机发出的电磁信号场强，电磁信号场强的测量结果能够满足一般技术要求。它具有电路结构简单、测量灵敏度较高、工作性能稳定、制作成本低等特点。以下详细说明本技术所述的微安表电磁信号场强计在实施过程中所涉及的必要的、关键性
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果:本技术所述的微安表电磁信号场强计选用FM-10型万用表(1yAS)作为定性指示器件，对FM-10型万用表不需作任何改动，可用于测量各种小型发射机发出的电磁信号场强，电磁信号场强的测量结果能够满足一般技术要求。它具有电路结构简单、测量灵敏度较高、工作性能稳定、制作成本低等特点。电路工作原理:微安表电磁信号场强计用于测量微功率电磁信号非常灵敏，由于本电路主要作为相对场强比较测试，用来定性测量电磁信号比较方便。微安表电磁信号场强计可直接用接收天线ANT(探头)测试调制器输出端的电磁信号，也可以用接收天线TX(探头)点测激励级输出端的电磁信号。电路中Kl为增益选择开关，电位器RP为灵敏度调节，本电路制做好后，要求把电路板置于铁盒内，并且要求将电路地GND接铁盒壳体，以屏蔽电磁干扰。微安表电磁信号场强计在测量电磁信号场强时，FM-10型万用表(1yAS)指针偏转地幅度愈大，则说明被测电磁信号的场强则愈大；反之，被测电磁信号的场强则愈小。技术方案:微安表电磁信号场强计，它包括1.5V直流电源、电磁信号检波及滤波电路、复合放大增益选择及指示电路、灵敏度调节电路，其特征在于:电磁信号检波及滤波电路:它由接收天线TX、锗二极管D1、锗二极管D2、电容Cl和电阻Rl组成，锗二极管Dl?D2选用的型号为2AP9，锗二极管Dl的正极和锗二极管D2的正极接接收天线TX，锗二极管D2的负极接电容Cl的一端和电阻Rl的一端，锗二极管Dl的负极和电容Cl的另一端及电阻Rl的另一端接电路地GND ；复合放大增益选择及指示电路:它由NPN型晶体管VTUNPN型晶体管VT2、电阻R2和增益选择开关Kl及FM-10型万用表组成，NPN型晶体管VTl的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管VTl的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VTl的集电极接增益选择开关Kl的第3脚活动端，增益选择开关Kl的第I脚通过电阻R2接电路正极VCC，增益选择开关Kl的第2脚接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的集电极接FM-1O型万用表黑表笔插孔，FM-10型万用表红表笔插孔接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的发射极接电路地GNDl ；灵敏度调节电路:它由电位器RP和电阻R3组成，电位器RP的一端接电路正极VCC,电位器RP的活动端通过电阻R3接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极和电路地GNDl接电位器RP的另一端；1.5V直流电源的正极接电路正极VCC，1.5V直流电源的负极接电路地GNDl。【附图说明】附图1是本技术提供一个微安表电磁信号场强计的实施例电路工作原理图；1.5V直流电源负极接电路地GNDI。【具体实施方式】按照附图1所示的微安表电磁信号场强计电路工作原理图和【附图说明】，并按照
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所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本技术，以下结合实施例对本技术的相关技术作进一步的描述。元器件的选择及其技术参数VT1、VT2为NPN型晶体管，选用的型号均为CS9011 ；D1、D2为锗二极管，选用的型号为2AP9 ;RP为电位器，使用的阻值1K Ω ;电阻Rl的阻值100K Ω，电阻R2的阻值33K Ω，电阻R3的阻值33K Ω ；Cl为瓷片电容，其容量为100PFJiES 40V ；Kl为增益选择开关，可选用单刀双掷开关，要求适合高频信号使用；G为测量表头，使用I块FM-10型指针式万用表。电路制作要点、电路调试及使用方法因微安表电磁信号场强计的电路结构比较简单，制作比较容易，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本技术的电路基本不需要进行任何调试即可正常工作；微安表电磁信号场强计在测量电磁信号场强时，FM-10型万用表(1yAS)指针偏转地幅度愈大，则说明被测电磁信号的场强则愈大；反之，被测电磁信号的场强则愈小；本电路制做好后，要求把电路板置于铁盒内，并且要求将电路地GND接铁盒壳体，以屏蔽电磁干扰；掌握微安表电磁信号场强计和正确判读被测电磁信号的场强大小，需要一段使用过程，以便积累判断经验。本技术的电路元器件布局、电路结构设计、它的外观的形状及尺寸大小等均不是本技术的关键技术，也不是本技术要求保护的
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，因不影响本技术具体实施过程，故不在说明书中一一说明。【主权项】1.一种微安表电磁信号场强计，它包括1.5V直流电源、电磁信号检波及滤波电路、复合放大增益选择及指示电路、灵敏度调节电路，其特征在于: 所述的电磁信号检波及滤波电路由接收天线TX、锗二极管D1、锗二极管D2、电容Cl和电阻Rl组成，锗二极管Dl?D2选用的型号为2AP9，锗二极管Dl的正极和锗二极管D2的正极接接收天线TX，锗二极管D2的负极接电容Cl的一端和电阻Rl的一端，锗二极管Dl的负极和电容Cl的另一端及电阻Rl的另一端接电路地GND ； 所述的复合放大增益选择及指示电路由NPN型晶体管VT1、NPN型晶体管VT2、电阻R2和增益选择开关Kl及FM-1O型万用表组成，NPN型晶体管VTl的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管VTl的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VTl的集电极接增益选择开关Kl的第3脚活动端，增益选择开关Kl的第I脚通过电阻R2接电路正极VCC，增益选择开关Kl的第2脚接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的集电极接FM-10型万用表黑表笔插孔，FM-10型万用表红表笔插孔接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的发射极接电路地GNDl ； 所述的灵敏度调节电路由电位器RP和电阻R3组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端通过电阻R3接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极和电路地GNDl接电位器RP的另一端； 所述的1.5V直流电源的正极接电路正极VCC，1.5V直流电源的负极接电路地GNDl。【专利摘要】本技术提供了一种微安表电磁信号场强计，其特征包括：1.5V直流电源、电磁信号检波及滤波电路、复合放大增益选择及指示电路、灵敏度调节电路，在电磁信号检波及滤波电路中，锗二极管D1～D2选用的型号为2AP9。本技术所述的微安表电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微安表电磁信号场强计，它包括1.5V直流电源、电磁信号检波及滤波电路、复合放大增益选择及指示电路、灵敏度调节电路，其特征在于：所述的电磁信号检波及滤波电路由接收天线TX、锗二极管D1、锗二极管D2、电容C1和电阻R1组成，锗二极管D1～D2选用的型号为2AP9，锗二极管D1的正极和锗二极管D2的正极接接收天线TX，锗二极管D2的负极接电容C1的一端和电阻R1的一端，锗二极管D1的负极和电容C1的另一端及电阻R1的另一端接电路地GND；所述的复合放大增益选择及指示电路由NPN型晶体管VT1、NPN型晶体管VT2、电阻R2和增益选择开关K1及FM‑10型万用表组成，NPN型晶体管VT1的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管VT1的发射极接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT1的集电极接增益选择开关K1的第3脚活动端，增益选择开关K1的第1脚通过电阻R2接电路正极VCC，增益选择开关K1的第2脚接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的集电极接FM‑10型万用表黑表笔插孔，FM‑10型万用表红表笔插孔接电路正极VCC，NPN型晶体管VT2的发射极接电路地GND1；所述的灵敏度调节电路由电位器RP和电阻R3组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端通过电阻R3接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极和电路地GND1接电位器RP的另一端；所述的1.5V直流电源的正极接电路正极VCC，1.5V直流电源的负极接电路地GND1。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王志，
申请(专利权)人：王志，
类型：新型
国别省市：安徽;34