一种塑封式IPM的芯片焊接结构制造技术

一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。本发明专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，通过将所述引线框架的焊接面设计成非平面，使得所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面形成连续的多点接触，如此设置，在焊接过程中，焊料受高温的影响融化，从而填满所述引线框架的焊接面上凹槽中，增大了所述芯片和所述引线框架之间的接触面积，提高了所述芯片的焊接效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力半导体器件，尤其涉及一种塑封式IPM的芯片焊接结构。
技术介绍
塑封式IPM (Intelligent Power Module，智能功率模块)，是将IGBT芯片及其驱动电路、控制电路和过流、欠压、短路、过热等保护电路集成于一体的新型控制模块。它是一种复杂、先进的功率模块，能自动实现过流、欠压、短路和过热等复杂保护功能，因而具有智能特征。同时它具有低成本、小型化、高可靠、易使用等优点，广泛应用于变频家电、逆变电源、工业控制等领域，社会效益和经济效益十分可观。但是，现有的塑封式IPM，如图1所示，其内部的IGBT芯片Γ和二极管芯片W都焊接在引线框架3'上，出于散热考虑，引线框架3'的表面平面度是非常高的，但是，由此导致了 IGBT芯片I'和二极管芯片2'与引线框架3'进行焊接时，其焊接面积仅仅局限于芯片的大小，而塑封式IPM中的芯片是非常小的(一般大约为3mmX3mm)，因此，芯片很可能在这有限的面积上固定不牢固，在后期的工艺中被破坏，从而影响产品质量。综上所述，需要设计一种更为安全可靠的塑封式IPM的芯片焊接结构。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种安全可靠的塑封式IPM的芯片焊接结构。为解决上述问题，本专利技术揭示了一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。优选地，所述焊接面的横截面为波浪状。优选地，所述焊接面的横截面为连续的齿状。优选地，所述焊接面的横截面为连续的椭圆顶状。优选地，所述芯片为IGBT芯片、二极管芯片。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点:本专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。本专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，通过将所述引线框架的焊接面设计成非平面，使得所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面形成连续的多点接触，如此设置，在焊接过程中，焊料受高温的影响融化，从而填满所述引线框架的焊接面上凹槽中，增大了所述芯片和所述引线框架之间的接触面积，提高了所述芯片的焊接效果。【附图说明】图1是现有的塑封式IPM的芯片焊接结构示意图；图2是本专利技术优选实施例中引线框架的焊接面的横截面为波浪状的结构示意图；图3是本专利技术优选实施例中引线框架的焊接面的横截面为连续的齿状的结构示意图。【具体实施方式】现有的塑封式IPM，如图1所示，其内部的IGBT芯片Γ和二极管芯片V都焊接在引线框架3'上，图中阴影部分为焊料。出于散热考虑，引线框架3'的表面平面度是非常高的，但是，由此导致了 IGBT芯片I'和二极管芯片2'与引线框架3'进行焊接时，其焊接面积仅仅局限于芯片的大小，而塑封式IPM中的芯片是非常小的(一般大约为3_X3mm)，因此，芯片很可能在这有限的面积上固定不牢固，在后期的工艺中被破坏，从而影响产品质量。鉴于现有技术中存在的上述问题，本专利技术揭示了一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。优选地，所述焊接面的横截面为波浪状。优选地，所述焊接面的横截面为连续的齿状。优选地，所述焊接面的横截面为连续的椭圆顶状。优选地，所述芯片为IGBT芯片、二极管芯片。本专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，通过将所述引线框架的焊接面设计成非平面，使得所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面形成连续的多点接触，如此设置，在焊接过程中，焊料受高温的影响融化，从而填满所述引线框架的焊接面上凹槽中，增大了所述芯片和所述引线框架之间的接触面积，提高了所述芯片的焊接效果。下面结合附图对本专利技术实施例中的技术方案进行详细地描述。如图2所示，本专利技术揭示了一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括IGBT芯片1、二极管芯片2和引线框架3，引线框架3连接于IGBT芯片1、二极管芯片2的两侧，引线框架3具有用于与IGBT芯片1、二极管芯片2进行焊接的焊接面31，IGBT芯片1、二极管芯片2通过焊料焊接于引线框架3的焊接面31上，图中阴影部分为焊料。在本专利技术优选实施例中，焊接面31为非平面，焊接面31与焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。具体地，焊接面31的横截面为波浪状。如此设置，焊接面31与IGBT芯片1、二极管芯片2之间形成多个凹槽，在焊接过程中，焊料受高温的影响融化，从而填满焊接面31上的凹槽中，增大了 IGBT芯片1、二极管芯片2和引线框架3之间的接触面积，提高了 IGBT芯片1、二极管芯片2的焊接效果，增大了芯片的牢固程度。同理，如图3所示，焊接面31的横截面为连续的齿状，焊接效果与当焊接面31的横截面为波浪状时的焊接效果相同。当然，焊接面31的横截面还可以为连续的椭圆顶状，或者变形为连续的梯形状或连续的矩形状，均能达到同样的技术效果，在此不再赘述。本专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，通过将引线框架3的焊接面31设计成非平面，使得焊接面31与焊料的接触面的横截面形成连续的多点接触，如此设置，在焊接过程中，焊料受高温的影响融化，从而填满引线框架3的焊接面31上凹槽中，增大了芯片和引线框架3之间的接触面积，提高了芯片的焊接效果，增大焊接的牢固程度，提高了产品的可靠性和稳定性。同时，本专利技术所揭示的塑封式IPM的芯片焊接结构，结构与加工工艺简单，无需增加产品成本。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。【主权项】1.一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，其特征在于:所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。2.根据权利要求1所述的塑封式IPM的芯片焊接结构，其特征在于:所述焊接面的横截面为波浪状。3.根据权利要求1所述的塑封式IPM的芯片焊接结构，其特征在于:所述焊接面的横截面为连续的齿状。4.根据权利要求1所述的塑封式IPM的芯片焊接结构，其特征在于:所述焊接面的横截面为连续的椭圆顶状。5.根据I至4任一权利要求所述的塑封式IPM的芯片焊接结构，其特征在于:所述芯片为IGBT芯片、二极管芯片。【专利摘要】一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种塑封式IPM的芯片焊接结构，包括芯片和引线框架，所述引线框架连接于所述芯片的两侧，所述引线框架具有用于与所述芯片进行焊接的焊接面，所述芯片通过焊料焊接于所述引线框架的焊接面上，其特征在于：所述焊接面为非平面，所述焊接面与所述焊料的接触面的横截面为连续的多点接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马晋，吴磊，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61