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一种以太网用电设备低损耗过流保护电路制造技术

技术编号:12027731 阅读:79 留言:0更新日期:2015-09-10 12:38
本发明专利技术提供了一种以太网用电设备过流保护电路,其包括四个部分,分别为阈值电路、比较放大电路、供电电路和延时电路。本发明专利技术的主要目的在于,防止以太网用电设备上电及正常工作时,过大电流对设备造成的损坏。出于减少电路损耗的考虑,本发明专利技术选取了相对较小的保护阈值电压。而为了减少阈值电压切换过程的错误触发,本发明专利技术设置了相关延时电路。为了有效提高电路控制的精准度,比较放大电路采用工艺偏差较小晶体管做为正向输入端口和反相输入端口,并在阈值电路中引入相关电阻以减少电压采样信号和阈值电压信号的误差。可见,本发明专利技术在有效保护以太网设备上电及正常工作的同时,又具有低损耗和高精准度的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以太网设备用电接口电路的设计,尤其涉及的是,一种设备用电接口过流保护电路的设计。
技术介绍
当以太网设备开始上电工作时,会出现过冲电流使电路及其器件损坏。并且,在设备正常工作的过程中,由于负载的变化或电路短路,同样会出现较大的电流损坏设备。因此,有必要设计以太网用电设备的过流保护电路来保护设备。由于以太网设备上电过程中,电流在较短时间内迅速升高,因此设定的过流保护阈值应相对较小。而在设备正常工作时,应以IEEE802.3af标准为依据,设定一个相对大的过流保护阈值,以保证设备的正常工作。可见以太网设备过流保护电路应具有双阈值,并能根据设备的工作状态进行切换。在设备过流保护电路的设计中,同样应考虑电路的结构简化及损耗问题,以使电路更具有实用性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供了一种以太网用电设备过流保护电路。本专利技术的技术方案如下:以太网用电设备过流保护电路包括四个部分,其分别为阈值电路、比较放大电路、供电电路和延时电路。在设备上电过程中,供电电路将电压采样信号通过阈值电路输入到比较放大电路的反相输入端,同时阈值电路将上电状态阈值电压信号输入到比较放大电路的正向输入端。比较放大电路对正向输入端和反向输入端的信号进行比较,并输出控制信号,以限制供电电路的过冲电流。当设备由上电状态向正常工作状态转变时,供电电路输出的电压采样信号会被拉低至接近零电位,比较放大电路会输阈值出切换信号,经延时电路输入到阈值电路。当阈值电路接收到阈值切换信号,电路将根据时序逻辑输出工作状态阈值电压信号到比较放大电路的正向输入端。放大比较电路根据工作状态阈值电压信号及电压采样信号输出控制信号,并对设备进行过流保护。以太网用电设备过流保护电路中,阈值电路包括阈值切换信号输入端、电压采样信号输入端、电压米样信号输出端、阈值电压信号输出端、I至6号MOS管、I至4号电阻、基准电流源、I号反相器。阈值电路能够分别产生11.5mV和37mV的阈值电压,当阈值切换信号为低电平时,电路输出11.5mV上电状态阈值电压信号,当阈值切换信号为高电平时,电路输出37mV工作状态阈值电压信号。其中阈值切换信号输入端通过I号反相器连接2号MOS管的栅极,并直接连接I号MOS管的栅极。电压采样信号输入端连接I号电阻及2号电阻的上端,电压米样信号输出端连接I号MOS管及2号MOS管的漏极。阈值电压信号输出端连接3号MOS管及4号MOS管的漏极。I号MOS管的源极连接2号电阻的下端,2号MOS管源极连接I号电阻的下端。3号MOS管的栅极连接6号MOS管的栅极,3号MOS管的源极连接4号电阻的上端。4号MOS管的栅极连接5号MOS管的栅极,4号MOS管的源极连接3号电阻的上端。5号MOS管的栅极连接I号MOS管的栅极,5号MOS管的漏极连接基准电流源的下端。6号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极,6号MOS管的漏极连接5号MOS管的漏极。在阈值电路中,I至4号电阻的采用能够消除两路输出信号在比较时的误差,而较小阈值电压的设定则能够有效降低电路的损耗。以太网用电设备过流保护电路中,比较放大电路包括正向输入端口、反相输入端口、控制信号输出端口、阈值切换信号输出端口、7至39号MOS管、I至4号晶体管、基准电流源、2至3号反相器。在比较放大电路中,正向输入端接收阈值电压信号,反相输入端接收电压采样信号。控制信号输出端连接供电电路的40号MOS管,对供电电路中的过冲电流进行限制。阈值切换信号输出端信号的变化主要根据电压采样信号,当上电状态结束时,电压采样信号接近零电位,阈值切换信号由低电平转换为高电平。比较放大电路中,正向输入端口连接3号晶体管的基极,反相输入端口连接4号晶体管的基极。控制信号输出端口连接33号MOS管的漏极,阈值切换信号输出端口连接2号反相器的输出端。I号晶体管的基极连接2号晶体管的基极,I号晶体管的集电极连接12号MOS管的漏极。2号晶体管的基极连接13号MOS管的源极,2号晶体管的集电极连接11号MOS管的漏极。3号晶体管的发射极连接2号晶体管的发射极,3号晶体管的集电极接地。4号晶体管的发射极连接I号晶体管的发射极,4号晶体管的集电极接地。2号反相器的输入端连接25号MOS管的源极,2号反相器的输出端连接3号反相器的输入端。31号MOS管的漏极连接基准电流源,31号MOS管的源极连接32号MOS管的漏极。比较放大电路中I至4号晶体管的采用,有利于减少输出控制信号的偏差,使限流控制效果更精准。以太网用电设备过流保护电路中,供电电路包括电压输入端口、控制信号输入端口、电压米样信号输出端口、开关电源系统、I号电容、40号MOS管、5号电阻。在供电电路中,40号MOS管、5号电阻与比较放大电路共同组成过冲电流限制电路,将供电电路中的电流限制在安全范围之内。在上电过程中,由于I号电容被充电,电压采样信号输出端的电位被不断拉低,当电压采样信号输出端的电位接近零时,上电过程结束,供电电路开始正常工作供电。供电电路中,电压输入端连接I号电容的左端,I号电容的右端连接40号MOS管的漏极。40号MOS管的栅极连接控制信号输入端口,40号MOS管的源极连接5号电阻的上端。5号电阻的上端连接电压采样信号输出端口,5号电阻的下端接地。以太网用电设备过流保护电路中,延时电路包括阈值切换信号输入端口、延时信号输出端口、41至55号MOS管、4至5号反相器、基准电流源、2号电容。在延时电路中,放大比较电路输出的阈值切换信号做为延时电路的输入,而经延时后的阈值切换信号被输入到阈值电路中。延时电路的采用主要是为了避免由于干扰造成的阈值切换信号错误触发。延时电路中,阈值切换信号输入端口连接46和49号MOS管的栅极,延时信号输出端口连接5号反相器的输出端。43号MOS管的漏极连接基准电流源,43号MOS管的源极接地。2号电容的上端连接53和54号MOS管的栅极,2号电容的下端接地。52号MOS管的栅极连接55号MOS管的栅极,52号MOS管的漏极连接53号MOS管的源极。53号MOS管的栅极连接46号MOS管的漏极,53号MOS管的漏极连接54号MOS管的漏极。54号MOS管的栅极连接47号MOS管的漏极,54号MOS管的漏极连接4号反相器的输入端。55号MOS管的栅极连接49号MOS管的源极,55号MOS管的源极接地。本专利技术主要用于以太网设备上电及正常工作时的过流保护。根据IEEE802.3af标准,本专利技术设定了两个保护阈值电压,并分别用于设备上电状态和工作状态的过流保护。出于减少电路损耗的考虑,本专利技术选取了相对较小的保护阈值电压。而为了减少阈值电压切换过程的错误触发,本专利技术设置了 450us的延时电路。为了有效提高电路控制的精准度,比较放大电路采用工艺偏差较小晶体管做为正向输入端口和反相输入端口,并在阈值电路中引入I至4号电阻以减少电压采样信号和阈值电压信号的误差。可见,本专利技术在有效保护以太网设备上电及正常工作的同时,又具有低损耗和高精准度的优点。【附图说明】图1为本专利技术的电路系统框图; 图2为本专利技术的阈值电路的电路图; 图3为本专利技术的比较放大电路的电路图; 图4为本专利技术的供电电路的电路图; 图5为本专利技术的延时电路的电路图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以太网用电设备过流保护电路,其特征在于,其包括阈值电路、比较放大电路、供电电路和延时电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:冯志波孙刚栗伟周闫润瑛
申请(专利权)人:许昌学院
类型:发明
国别省市:河南;41

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