一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；本发明专利技术设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。同时，本发明专利技术采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体是指一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。
技术介绍
倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器因产生大量谐波使输出信号相位不稳定，从而使倍频器噪音过大。其倍频次数越高，倍频噪声就越大，使倍频器的应用受到限制，尤其在要求倍频噪声较小的设备中则无法使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的倍频器噪音过大的缺陷，提供一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。本专利技术的目的用以下技术方案实现:一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，设置在锁相环电路输出端的相位处理电路，以及设置在控制电路和锁相环电路之间的共源极放大电路组成。进一步的，所述共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Ql的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Ql的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及极性电容C16的正极相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接；所述三极管VT3的集电极还与场效应管Q2的源极相连接。为了达到更好的使用效果，所述的振荡芯片U优选为ΝΕ555集成芯片，而移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术通过设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。(2)本专利技术采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。(3)本专利技术噪音低，使倍频器的应用范围更广。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的共源极放大电路结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；所述共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Q1的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Q1的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Q1的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Q1的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：周云扬，
申请(专利权)人：成都冠深科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51