板状物的加工方法技术

本发明专利技术提供板状物的加工方法，能够以不对板状物中的基板造成损伤的方式除去层叠体而使基板露出，该板状物由硅等的基板和在该基板的正面形成的层叠体构成。该板状物的加工方法用于对由基板和在该基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及除去板状物的层叠体而使基板露出的板状物的加工方法，其中，该板状物由硅等的基板和在该基板的正面形成的层叠体构成。
技术介绍
如本领域技术人员所知，在半导体器件制造过程中，形成有这样的半导体晶片：利用在硅等的基板的正面层叠绝缘膜和功能膜而成的功能层，将多个IC、LSI等器件形成为矩阵状。在这样形成的半导体晶片中，上述器件由被称作为间隔道的分割预定线划分开，并且通过沿着该分割预定线进行分割，制造出一个个半导体器件。近来，为了提高IC、LSI等半导体芯片的处理能力，如下形态的半导体晶片被实用化，其中，利用在硅等的基板的正面层叠低介电常数绝缘体覆膜(Low－k膜)而成的功能层来形成半导体器件，该低介电常数绝缘体覆膜是由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、以及聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜即有机物类的膜形成的。沿着这样的半导体晶片的间隔道的分割通常利用被称作切割锯(dicing saw)的切削装置来进行。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削构件，其用于对保持于该卡盘工作台的半导体晶片进行切削；和移动构件，其使卡盘工作台和切削构件相对移动。切削构件包括高速旋转的旋转主轴和安装于该主轴的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基座和在该基座的侧面外周部安装的环状的切削刃构成，并且切削刃例如通过电铸来固定粒径3μm左右的金刚石磨粒而形成。然而，利用切削刀具切削上述Low－k膜较为困难。即，存在如下问题：由于Low－k膜像云母那样非常脆，所以当利用切削刀具沿着分割预定线切削时，Low－k膜会剥离，该剥离到达器件而对器件造成致命的损伤。为了解决上述问题，在下述专利文献1中公开了如下晶片的分割方法：在形成于半导体晶片的分割预定线的宽度方向上的两侧沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线除去层叠体进行分断，将切削刀具定位到这2条激光加工槽的外侧之间，并使切削刀具与半导体晶片相对移动，由此沿着分割预定线切断半导体晶片。专利文献1：日本特开2005-142398号公报然而存在如下问题：当沿着分割预定线照射激光光线来除去层叠体而使硅等的基板露出时，由于激光光线的漏光或直射会给基板的上表面带来损伤，当利用切削刀具沿着除去层叠体后的分割预定线对基板进行切削时，因上表面的损伤而产生裂纹，从而使器件的抗折强度降低。对于在基板的上表面形成有TEG(Test Element Group，测试元件组)等的金属膜或钝化膜等层叠体的板状物，在除去层叠体的加工中会普遍引发这样的问题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供能够以不对板状物中的基板造成损伤的方式除去层叠体而使基板露出的板状物的加工方法，其中，该板状物由硅等的基板和在该基板的正面形成的层叠体构成。为解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种板状物的加工方法，其用于对由基板和在该基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，其特征在于，在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度。优选的是，在该基板露出工序中照射的激光光线以聚光斑照射到层叠体的上表面，该聚光斑是使聚光点定位在比构成板状物的层叠体的上表面靠上侧的位置而形成的。优选的是，该板状物是晶片，该晶片在基板的上表面具有通过多条分割预定线划分形成了多个器件的层叠体，在该基板露出工序中沿着分割预定线除去层叠体之后，实施将沿着分割预定线露出的基板切断的切断工序。专利技术效果本专利技术的板状物的加工方法中实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度，因此，能够不对基板造成损伤地除去层叠体。这样，由于能够不对基板造成损伤地除去层叠体，因此，即使利用切削刀具对沿着分割预定线露出的基板进行切削，也不会在基板产生裂纹，不会使器件的抗折强度降低。附图说明图1是示出利用本专利技术的板状物的加工方法加工的作为板状物的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。图2是示出实施了晶片支承工序的半导体晶片的背面被粘贴到在环状的框架上安装的切割带的正面的状态的立体图。图3是用于实施基板露出工序的激光加工装置的主要部分立体图。图4是在图3所示的激光加工装置中装备的激光光线照射构件的结构图。图5是基板露出工序的说明图。图6是示出基板露出工序的其他实施方式的说明图。图7是用于实施切断工序的切削装置的主要部分立体图。图8是切断工序的说明图。标号说明2：半导体晶片；20：基板；21：功能层；22：器件；23：分割预定线；5：实施功能层除去工序的激光加工装置；51：卡盘工作台；52：激光光线照射构件；525：聚光器；6：切削装置；61：卡盘工作台；62：切削构件；623：切削刀具。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的板状物的加工方法进行更详细的说明。在图1的(a)和(b)中，示出通过本专利技术的板状物的加工方法加工的作为板状物的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。在图1的(a)和(b)所示的半导体晶片2中，利用功能层21(层叠体)将多个IC、LSI等器件22形成为矩阵状，该功能层21是在厚度为150μm的硅等的基板20的正面20a将绝缘膜和形成电路的功能膜层叠而成的。而且，各器件22被形成为格子状的分割预定线23(在本实施方式中宽度被设定为100μm)划分开。另外，在本实施方式中，形成功能层21的绝缘膜由SiO2膜或者低介电常数绝缘体覆膜(Low－k膜)构成，该低介电常数绝缘体覆膜由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、以及由聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等的聚合物膜即有机物类的膜形成，该绝缘膜的厚度被设定为10μm。对沿着分割预定线23除去上述作为板状物的半导体晶片2的层叠体即功能层21的板状物的加工方法进行说明。首先，实施晶片支承工序，在该晶片支承工序中，在构成半导体晶片2的基板20的背面粘贴切割带，并利用环状的框架支承该切割带的外周部。即，如图2所示，在以覆盖环状的框架3的内侧开口部的方式安装了外周部的切割带4的正面，粘贴构成半导体晶片2的基板20的背面20b。因此，在粘贴于切割带4的正面的半导体晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种板状物的加工方法，其用于对由基板和在该基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，其特征在于，在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度。

【技术特征摘要】
2014.03.06 JP 2014-0434861.一种板状物的加工方法，其用于对由基板和在该基板的正面形成的层叠体构
成的板状物进行加工，其特征在于，
在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物
的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定
为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度。
2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川雄辉，石田祐辉，小幡翼，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP