本发明专利技术提供一种检测偏移的测试结构，至少包括：具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；第二焊垫，与所述第二金属层连接。本发明专利技术的检测偏移的测试结构可以定量的检测出金属层和金属连接孔的偏移量，并可以根据不同的技术节点，不同的产品要求，调节检测的灵敏度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试
，涉及一种检测偏移的测试结构，尤其是涉及一种检测金属连接孔和金属层之间偏移的测试结构。
技术介绍
目前，集成电路制造的特征尺寸越来越小，一块芯片上集成的器件数量越来越多，所需要的金属连线的层数也越来越多。在制造过程中，金属层和通孔对否对准，通孔能否完整的落在金属线上，将对芯片的性能产生直接的影响。0.13um工艺后，后端采用铜线代替铝线，双大马士革工艺保证可上层的铜线和通孔一体成型，不存在偏移的问题。但是通孔和下层金属线之间的偏移程度就成为了后端连线好坏的关键因素。如果通孔和金属层存在偏移，即使没有在成芯片立即失效，也会影响到芯片的可靠性。而可靠性测试往往需要较长的时间，技术人员只能定期选择样品及进行可靠性测试。另外，测试机台有时也会不稳定，造成金属层与通孔之间的偏移无法检测到，这种可靠性差的产片流入市场后，将会存在潜在的失效风险。所以，技术人员希望能在晶圆可接受测试（Wafer Acceptance test，WAT），这样可以既方便又准确地检测出金属层与通孔之间的偏移量，提前发现有可靠新婚风险的产品，提高产品品质。在现有技术中，填有金属的通孔与被测试结构的下层铝层相互接触，并且通孔与被测结构的上层也相互接触，对准时电流最大，如果出现偏移某由于接触面积减小，相应电流也会减小，以此来检测偏移，但是由于本身金属的电阻较小，所以电流的变化不是很灵敏，而且也无法较准确的检测出金属的偏移量。现有技术中还有一种半导体对准测试结构，包括填充有金属的通孔与被测结构的下层铝层相互接触，通孔与被测结构的上层铝层之间存在偏移。当上层铝层出现偏移并超出一定范围时，两层铝层之间即产生电流，这种结构虽然有利于检测出电流偏移量超过允许值的而且有足够的灵敏度，但是由于灵敏也导致了容易受到外界因素的影响而反馈出错误信号。因此，提供一种改进的检测偏移的测试结构是本领域技术人员需要解决的课题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种检测偏移的测试结构，用于解决现有技术中测试结构在检测金属连接孔与金属层偏移时不灵敏或过于灵敏的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种检测偏移的测试结构，所述检测偏移的测试结构至少包括：具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；第二焊垫，与所述第二金属层连接。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，每一条第一金属层上形成有至少一个金属连接孔。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，相邻第一金属层上的所述金属连接孔间的间距大于相邻第一金属层间的间距。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，越靠近两边的所述第一金属层，其与对应的金属连接孔间的接触尺寸越小。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述接触尺寸小于或等于极限值，定义为所述第一金属层与对应的金属连接孔断开连接。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述电阻结构为高电阻多晶硅。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述电阻结构的阻值范围为100～10000ohm/SQ。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，最外边两条第一金属层上电阻结构的电阻大于其余条第一金属层上电阻结构的电阻。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，第一金属层的线宽与第二金属层的线宽相等。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述第一金属层和第二金属层的线宽范围均为100～500nm。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述第一焊垫为铝焊垫或铜焊垫；所述第二焊垫为铜焊垫。作为本专利技术检测偏移的测试结构的一种优化的方案，所述第一金属层为铜金属；所述第二金属层为铜金属。如上所述，本专利技术的检测偏移的测试结构，至少包括：具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；第二焊垫，与所述第二金属层连接。本专利技术的检测偏移的测试结构可以定量的检测出金属层和金属连接孔的偏移量，并可以根据不同的技术节点，不同的产品要求，调节检测的灵敏度。附图说明图1为本专利技术的检测偏移的测试结构的俯视图。图2为图1本专利技术的检测偏移的测试结构中沿AA’方向的剖面图。图3为本专利技术的检测偏移的测试结构的电路示意图。元件标号说明1,11,12,13,14,15 第一金属层2 金属连接孔3 电阻结构4 第二金属层5 第一焊垫6 第二焊垫具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术提供一种检测偏移的测试结构，用于检测金属层与金属连接孔之间偏移量，如图1所示，所述检测偏移的测试结构至少包括：第一金属层1、金属连接孔2、第一焊垫5、第二金属层4以及第二焊垫6。所述第一金属层1为至少两条，为描述简要方便起见，本实施例中以第一金属层1为五条为例进行说明，分别为第一金属层11、12、13、14、15。所述第一金属层1呈等距平行排列，并且在每条第一金属层1上连接有电阻结构3。作为本专利技术的一种优化的方案，所述电阻结构3可以是高电阻多晶硅，当然，根据实际工艺的兼容性考量，所述电阻结构3也可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种检测偏移的测试结构，其特征在于，所述检测偏移的测试结构至少包括：具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；第二焊垫，与所述第二金属层连接。
【技术特征摘要】
1.一种检测偏移的测试结构，其特征在于，所述检测偏移的测试结构至少包括：
具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；
金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；
第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；
至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第
二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；
第二焊垫，与所述第二金属层连接。
2.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：每一条第一金属层上形成有至
少一个金属连接孔。
3.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：相邻第一金属层上的所述金属
连接孔间的间距大于相邻第一金属层间的间距。
4.根据权利要求3所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：越靠近两边的所述第一金属层，
其与对应的金属连接孔间的接触尺寸越小。
5.根据权利要求4所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述接触尺寸小于或等于极限
值，定义为所...
【专利技术属性】
技术研发人员：史航，陈永，仇峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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