【技术实现步骤摘要】
一种纳米红硒光电材料的制备方法
本专利技术涉及一种纳米红硒光电材料的制备方法。
技术介绍
纳米硒是一种p型半导体，间接带隙为1.6eV。由于硒具有很高的光导性、优异的单向导电性、灵敏的光响应性、比较大的压电效应和热电效应，因此，在物理光学性能上它是一种相当有用且用得比较广泛的一种无机材料，主要用来生产光电池、压力传感器、复印设备、电整流器和曝光计等。自硒元素被发现以来，科学家们就对其性质和用途进行了深入的研究。硒元素在自然界的存在形态分为无定形硒和晶形硒两种。单晶硒是一种非常重要的半导体材料，晶形硒的熔点比较低，具有较高的光导效率和高效的化学活性，所以晶型硒被广泛应用于光电池制造、机械感应器制造、整流器制造等方面。张旭、谢毅等人使用酸化方法和硒代硫酸钠的歧化反应在室温下在聚丙烯酸—聚丙烯酸钠的缓冲体系中制备得到直径为50nm、长为5μm的单晶硒纳米线。使用此法可将硒纳米线的成核及生长时间缩短为3h并可成功地生长出均一尺寸的硒纳米线，但是复杂的有机体系导致副产物较多。张洪顺，王纪孝使用回流装置把N2H2·H2O与H2SeO3溶液混合后，发生氧化还原反应得到硒纳米线，这种制备方法，回流温度影响Se晶核生成，静置温度影响Se纳米线液相生长，这种生长方式，温度较难控制。而电沉积法制备纳米红硒光电材料,尚未见报到，该法制备条件相对简单,工艺条件易于控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电沉积法制备纳米红硒光电材料的方法。具体步骤为：（1）将0.076～0.152g（0.001～0.002mol）硫脲和40mL浓度为0.020～0.030mol/L的H2SeO3...
【技术保护点】
一种纳米红硒光电材料的制备方法，其特征在于具体步骤为： （1）将0.076～0.152g硫脲和40mL 浓度为0.020～0.030mol/L的 H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉积液； （2）将步骤（1）所得电沉积液置于30～50℃水浴中，以铂片为阳极，ITO玻璃为阴极，在直流电压1.5～1.9V下电沉积时间3～7分钟，即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。
【技术特征摘要】
1.一种纳米红硒光电材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）将0.076～0.152g硫脲和40mL浓度为0.020～0.030mol/L的H2SeO3溶液均匀混合，配制成电沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟福新，王伟，王苏宁，黎燕，莫德清，朱义年，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西;45
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