一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用制造技术

技术编号:12012820 阅读:105 留言:0更新日期:2015-09-05 14:12
本发明专利技术公开了一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用。这种去光刻胶剥离液含有(a)季胺氢氧化物(b)醇胺(c)溶剂(d)带有颜料吸附基团的星型共聚物(e)含有特定结构的硅烷。该光刻胶剥离液能够有效的降低对金属的腐蚀速率,尤其是对金属铝基本无腐蚀;同时能够更为有效地去除晶圆上的光刻胶及其残留物,在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属低刻蚀的光刻胶剥离液,包含季胺氢氧化物,醇胺,溶剂,带有颜料吸附基团的星形共聚物,其特征在于,还含有下列结构的硅烷的一种或多种: 其中X为活性基团酰氧基、羟基、巯基、缩水甘油醚氧基、烷氧基中的一种,n为1‑3,Y1、Y2和Y3为甲基或可水解基团,其中,所述可水解基团为甲氧基、乙氧基、酰氧基、丁氧基、异丙氧基,且Y1、Y2和Y3中至少独立的含有2个所述可水解基团。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘江华刘兵彭洪修
申请(专利权)人:安集微电子科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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