一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HTMTs器件的封装结构。器件包括AlGaN/GaN HTMTs器件和反向额定电压与AlGaN/GaN HTMTs器件额定阻断电压相同的Si基二极管并联，使得AlGaN/GaN HTMTs器件在阻断状态工作时，当漏端电压超过器件的额定阻断电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定漏端电压，并且通过Si基二极管的雪崩效应产生雪崩电流，反馈给保护电路。从而保护器件本身以及整个电路系统，增强器件和系统的安全性与稳定性。该封装结构的特点包括直接将垂直结构的Si基二极管焊接到AlGaN/GaN HTMTs器件的漏极（Drain）上形成并联结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构，包括：阻断电压大于或者等于设计要求额定阻断电压的AlGaN/GaN HTMTs器件，反向额定耐压等于设计要求额定阻断电压垂直结构的Si基二极管，所述AlGaN/GaN HTMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，所述Si基二极管的阴极焊接到AlGaN/GaN HTMTs器件的漏极（Drain）上面，所述Si基二极管的阳极通过金属引线与AlGaN/GaN HTMTs器件的栅极（Gate）相连，所述金属引线引出封装模块的栅极（Gate）、源极（Source）以及漏极（Drain）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何志，谢刚，
申请(专利权)人：佛山芯光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44