氮化铝基板及III族氮化物层叠体制造技术

技术编号:12012249 阅读:112 留言:0更新日期:2015-09-05 11:42
本发明专利技术的目的在于,提供一种高效率、高品质的III族氮化物半导体元件,并且目的还在于,提供用于制作该III族氮化物半导体元件的新型的氮化铝基板(氮化铝单晶基板)。本发明专利技术提供一种氮化铝基板,是由氮化铝构成的基板,其至少在表面具有以相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.05°以上0.40°以下的范围内向m轴方向倾斜的面作为主面的氮化铝单晶层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种氮化铝基板,是由氮化铝构成的基板,其特征在于,至少在表面具有以相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.05°以上0.40°以下的范围内向m轴方向倾斜的面作为主面的氮化铝单晶层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:弘中启一郎木下亨
申请(专利权)人:株式会社德山
类型:发明
国别省市:日本;JP

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