磁记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L10型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层，从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层，能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化，因此能够提高吞吐量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及搭载于各种磁记录装置的。
技术介绍
作为实现磁记录的高密度化的技术，采用垂直磁记录方式。作为用于形成垂直磁 记录介质的磁记录层的材料，例如使用颗粒磁性膜。 近年来，迫切需要缩小磁性膜中的磁性晶粒的粒径，更进一步提高垂直磁记录介 质的记录密度。另一方面，磁性晶粒的粒径的缩小会降低被记录的磁化的热稳定性。因 此，为了弥补由磁性晶粒的粒径的缩小导致的热稳定性的降低，需要使用磁晶各向异性 (ma即etoc巧stallineanisotropy)更高的材料来形成磁性膜中的磁性晶粒。 作为所需的具有高磁晶各向异性的材料，信息的保存稳定性优异且磁晶各向异性 大的具有L1。型结构的L1。型化Pt、Ll。型CoPt等受到关注。为了使该L1。型化Pt具有高 磁各向异性，需要使L1。型化Pt膜的轴相对于膜面垂直地取向。 另一方面，磁记录介质中，从强度、耐冲击性等的观点出发，使用侣、玻璃制的基 板。在该种基板的表面上成膜具有L1。型结构的L1。型有序合金膜时，为了赋予高磁晶各向 异性，需要使L1。型有序合金的晶体（001)取向。因此，通常，在11。型有序合金膜的基底层 上设置用于提高L1。型有序合金的晶体取向的具有化C1结构、CsCl结构的取向控制层。特 别是具有化C1结构的MgO膜对于11。型有序合金的晶格匹配性高，广泛用作取向控制层。 由迄今的实验结果可知，为了得到磁特性而使用MgO膜作为11。型化Pt膜的基底 层时，其膜厚需要为10~20nm。但是，由于MgO祀为绝缘物，因此需要利用RF瓣射法进行 成膜，此时的成膜速率非常低，为0.Inm/s左右。另外，即使在使用Mg祀在Ar气体与〇2气 体的混合气氛中利用反应性瓣射法进行成膜的情况下，其成膜速率最多也就是使用MgO祀 的RF瓣射法的2倍左右。 通常的磁记录介质的量产工艺中，从吞吐量的观点出发，理想的是，尽可能地缩短 各层的成膜时间，并且使各层的成膜时间相等。在上述瓣射速率下进行膜厚为lOnm~20nm 的MgO膜的成膜时，MgO膜的成膜需要较长时间，因此大大降低吞吐量。因此，希望进一步 减薄用于得到期望的矫顽力的MgO膜的膜厚。[000引专利文献1中公开了如下的技术：通过设置铁酸锁、氧化铜锡、氮化铁等立方晶系 的导电性化合物层作为MgO膜的基底层，从而成膜即使是3nmW下的薄膜也对于L1。型有 序合金表现出优异的取向控制性的MgO膜。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 ;日本特开2012-174320号
技术实现思路
发巧要解决的间願 专利文献1公开的磁记录介质中，作为MgO膜的基底层的导电性化合物层利用DC 瓣射法而非成膜速率慢的RF瓣射法而进行成膜，但是，此时成为一边导入氧气、氮气之类 的反应性气体一边利用反应性瓣射法进行成膜。 然而，反应性瓣射法中，几％该样微量的反应性气体的控制并不容易，成膜的再现 性存在问题。另外，也存在自导入反应性气体至成膜气氛稳定为止耗费时间之类的问题。 本专利技术的目的在于，解决上述问题，提供能再现性良好地W高吞吐量生产将磁各 向异性大的L1。型有序合金用于磁记录层的具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及 其制造方法。[001d用于解决间願的方秦 用于解决上述问题的本专利技术的磁记录介质的特征在于，具备；金属基底层、形成在 前述金属基底层上的取向控制层、W及形成在前述取向控制层上的包含具有L1。型结构的 有序合金的磁记录层，前述金属基底层具有面屯、立方结构。 另外，本专利技术的磁记录介质的制造方法的特征在于，具有W下的工序；在基板上形 成金属基底层的工序；在前述金属基底层上形成取向控制层的工序；W及在前述取向控制 层上形成包含具有L1。型结构的有序合金的磁记录层的工序，前述金属基底层具有面屯、立 方结构。[001W发巧的效果 本专利技术中，通过采用作为取向控制层的基底层使用能W短时间再现性良好地成膜 的金属基底层的技术方案，从而即使减薄取向控制层的膜厚也能够成膜包含具有高磁晶各 向异性的L1。型有序合金的磁记录层，能够再现性良好地W高吞吐量生产具有高矫顽力的 磁记录介质。【附图说明】 图1为示出本专利技术中优选使用的磁记录介质的制造装置的概要结构的俯视图。 图2为示意性地示出本专利技术的实施例的磁记录介质的结构的截面图。【具体实施方式】W下，参照附图针对本申请专利技术的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本专利技术 不限定于W下的实施方式，可W在不改变其要旨的范围内适当变更来实施。 图1为示出本专利技术中优选使用的磁记录介质的制造装置的俯视图。图1的制造装 置为在线式的成膜装置。在线式是指，经由被连接的多个腔室输送基板的形式的装置。图1 的成膜装置中，多个腔室110~131介由闽阀沿着方形的轮廓而连接成环形状。基板1在 加载互锁室111中向载体10上被搭载，载体10依次通过各腔室112~130,在卸载互锁室 131中回收基板1。各腔室111~131为利用专用或共用的排气系统进行排气的真空容器。 腔室112、116、123、127为具备使载体10的输送方向转90度的方向转换机构的方 向转换室。除腔室116、123、127之外，各腔室113~130为进行各种处理的处理室。具体 而言，为；用于在基板1上形成软磁性层的软磁性层形成室114、用于在形成有软磁性层的 基板1上形成金属基底层的金属基底层形成室115、用于在形成有金属基底层的基板1上形 成取向控制层的取向控制层形成室118、用于在形成有取向控制层的基板1上形成磁记录 层的磁记录层形成室124、具备对形成有磁记录层的基板1进行加热的机构的基板加热室 125、W及用于在磁记录层的上部形成保护层的保护层形成室129。其它处理室包括用于冷 却基板1的基板冷却室、用于更换基板1的基板更换室等。腔室110中，在送出基板1后进 行载体10的处理。 本实施方式中，向基板1上成膜的成膜处理使用瓣射（W下也称为瓣射）法来进 行。瓣射室主要由排气系统、用于导入工艺气体的气体导入系统、W使被瓣射面露出的方式 设置于内部空间的祀、用于施加放电用电压的电源、和设置于祀背后的磁体机构构成。 各处理室具有如下的结构；W载体10(基板1)为基准左右对称地构成，能够向保 持于载体10的基板1的两面同时进行成膜的结构。一边导入工艺气体一边利用排气系统 使膜形成室内保持在规定的压力，在该状态下令连接于祀保持件的电源工作。其结果，在祀 附近产生放电，祀被瓣射，被瓣射出的祀材料到达至基板1而在基板1的表面上形成规定的 膜。需要说明的是，仅取向控制层形成室118使用RF电源作为瓣射电源，其它膜形成室使 用DC电源。[002引图2为示出本专利技术的磁记录介质7的截面结构的图。磁记录介质7中，在基板1 上依次沉积软磁性层2、金属基底层3、取向控制层4、磁记录层5、保护层6。需要说明的是， 本专利技术不限定于该形态，也可W进一步在基板1与软磁性层2之间、在软磁性层2与金属基 底层3之间、或在磁记录层5的上部追加沉积由其它材料形成的层来使用。 作为基板1的材料，除了钢巧玻璃之外，可W使用由经化学加强的娃酸侣、经化学 锻镶磯的Al-Mg合金基板、娃、棚娃酸盐玻璃等形成的陶瓷、或施有玻璃釉的陶瓷等形成的 非磁性的刚性体基板。 作为软磁性层2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于，具备：金属基底层、形成在所述金属基底层上的取向控制层、以及形成在所述取向控制层上的包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层，所述金属基底层具有面心立方结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：楢舘英知，佐藤晃央，芝本雅弘，山中和人，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP